Journal of the Korean Vacuum Society (한국진공학회지)

The Korean Vacuum Society (한국진공학회)
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Optical and Electrical Characteristics of Chirped Quantum Dot Structures for the Superluminescent Diodes with Wide Spectrum Bandwidth

파장대역폭이 넓은 고휘도 발광소자를 위한 Chirped 양자점 구조의 광/전기 특성 분석

  • Han, Il-Ki (Nano Device Research Center, Korea Institute of Science and Technology)
  • 한일기 (한국과학기술연구원, 나노소자연구센터)
  • Published : 2009.09.30
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Abstract

We analyzed photoluminescence (PL) and electroluminescence characteristics of various chirped quantum dot structures. Peaks in EL curves were contributed by excited states of quantum dots (QD), while those in PL curves by grounded states. Based on these characteristics, we suggested that superluminescent diodes with wide spectral bandwidth may be developed if chirped QD structures are designed to make a contribution by ground states to EL characteristics.

크기가 다른 양자점 (chirped 양자점) 구조에 대하여 전기발광 (Electroluminescence, EL) 특성과 광발광 (Photoluminescence, PL) 특성을 측정하고 비교 분석하였다. PL 특성에서는 양자점의 기저준위에 의한 피이크가 우세하게 나타난 반면, EL 특성에서는 여기준위에 의한 특성이 우세하게 나타났다. 이와 같은 특성비교로부터 기저준위도 EL 특성에 영향을 미칠 수 있도록 chirped 양자점 구조를 설계하면 파장대역폭이 더욱 넓은 고휘도 발광소자 개발이 가능할 것임을 제안하였다.

Keywords

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