Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering (한국정보통신학회논문지)

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A 0.13-μm CMOS RF Front-End Transmitter For LTE-Advanced Systems

LTE-Advanced 표준을 지원하는 0.13-μm CMOS RF Front-end transmitter 설계

  • Received : 2011.12.02
  • Accepted : 2012.04.30
  • Published : 2012.05.31
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Abstract

This paper has proposed a 2,500 MHz ~ 2,570 MHz 0.13-${\mu}m$ CMOS RF front-end transmitter for LTE-Advanced systems. The proposed RF front-end transmitter is composed of a quadrature up-conversion mixer and a driver amplifier. The measurement results show the maximum output power level is +6 dBm and the suppression ratio for the image sideband and LO leakage are better than -40 dBc respectively. The fabricated chip consumes 36 mA from a 1.2 V supply voltage.

본 논문은 LTE-Advanced 시스템에 적용할 수 있는 2,500 MHz~2,570 MHz 대역 0.13-${\mu}m$ CMOS RF front-end 송신기를 제안하며 I/Q 상향주파수변환기와 구동증폭기로 구성되어있다. 상향주파수변환기는 우수한 선형특성을 얻기 위해 공진회로를 부하로 사용하였으며 국부발진신호의 누설을 줄이기 위해 전류 보상회로를 사용하였다. 또한, 제안하는 구동증폭기는 높은 전류 효율과 우수한 선형특성을 확보하기 위해 Class AB 바이어스 상태로 설계되었다. 측정 결과 제안하는 RF front-end 송신기는 최대 +6 dBm의 출력 파워를 제공하며, +0 dBm 출력 시 이미지 신호 및 국부 발진 누설 신호와 40 dBc의 차이를 보인다. 제작된 칩은 1.2 V의 공급 전압으로부터 36 mA 전류를 소모한다.

Keywords

References

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