E2M - 전기 전자와 첨단 소재 (Electrical & Electronic Materials)

  • 제31권4호
  • /
  • Pages.27-33
  • /
  • 2018
  • /
  • 2982-6268(pISSN)
  • /
  • 2982-6306(eISSN)
한국전기전자재료학회 (The Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers)
권호 표지

콜로이드 나노 입자와 금속-칼코겐화물 기반의 양자점 트랜지스터 구현 기술

  • 발행 : 2018.08.01
PDF 다운로드
⟨ 이전 논문 다음 논문 ⟩

초록

키워드

참고문헌

  1. S. Coe-Sullivan, W. K. Woo, J. S. Steckel, M. Bawendi, and V. Bulovic, Org. Electron., 4, 123 (2003). http://doi.org/10.1016/j.orgel.2003. 08.016
  2. Y. Wang, I. Fedin, H. Zhang, and D. V. Talapin, Sci. Prog., 357, 385 (2017). http://doi.org/10.1126/science.aan2958
  3. J. Jang, D. S. Dolzhnikov, W. Liu, S. Nam, M. Shim, and D. V. Talapin, Nano Lett., 15, 6309 (2015). http://doi.org/10.1021/acs.nanolett.5b01258
  4. S. M. Jung, H. L. Kang, J. K. Won, J. H. Kim, C. Hwang, K. Ahn, I. Chung, B. K. Ju, M. G. Kim, and S. K. Park, ACS Appl. Mater. Interfaces, 10, 3739 (2018). http://doi.org/10.1021/acsami.7b13997
  5. M. A. Hines and G. D. Scholes, Adv. Mater., 15, 1844 (2003). http://doi.org/10.1002/adma.200305395
  6. M. V. Kovalenko, R. D. Schaller, D. Jarzab, M. A. Loi, D. V. Talapin, and J. Am. Chem. Soc., 134, 2457 (2012). http://doi.org/10.1021/ja2087689
  7. J. H. Choi, A. T. Fafarman, S. J. Oh, D. K. Ko, D. K. Kim, B. T. Diroll, S. Muramoto, J. G. Gillen, C. B. Murray, and C. R. Kagan, Nano Lett., 12, 2631 (2012). http://doi.org/10.1021/nl301104z
  8. M. A. Boles, D. Ling, T. Hyeon, and D. V. Talapin, Nat. Mater., 15, 141 (2016). http://doi.org/10.1038/nmat4526
  9. J. S. Lee, M. V. Kovalenko, J. Huang, D. S. Chung, and D. V. Talapin, Nat. Nanotech., 6, 348 (2011). http://doi.org/10.1038/nnano.2011.46
  10. Y. Shirasaki, G. J. Supran, M. G. Bawendi, and V. Bulovic, Nat. Photonics, 7, 13 (2013). http://doi.org/10.1038/nphoton.2012.328
  11. D. K. Hwang, Y. T. Lee, H. S. Lee, Y. J. Lee, S. H. Shokouh, J. H. Kyhm, J. Lee, H. H. Kim, T. H. Yoo, S. H. Nam, D. I. Son, B. K. Ju, M. C. Park, J. D. Song, W. K. Choi, and S. Im, NPG Asia Mater., 8, e233 (2016). http://doi.org/10.1038/am.2015.137
  12. L. S. Li, N. Pradhan, Y. Wang, X. Peng, Nano Lett., 4, 2261 (2004). http://doi.org/10.1021/nl048650e
  13. J. Seo, W. J. Kim, S. J. Kim, K. S. Lee, A. N. Cartwright, and P. N. Prasad, Appl. Phys. Lett., 94, 133302 (2009). http://doi.org/10. 1063/1.3110969 https://doi.org/10.1063/1.3110969
  14. A. W. Wills, M. S. Kang, A. Khare, W. L. Gladfelter, and D. J. Norris, ACS Nano, 4, 4523 (2010). http://doi.org/10.1021/nn100637u
  15. D. V. Talapin and C. B. Murray, Science, 310, 86 (2018). http://doi.org/10.1126/science.1116703
  16. P. R. Brown, D. Kim, R. R. Lunt, N. Zhao, M. G. Bawendi, J. C. Grossman, and V. Bulovic, ACS Nano, 8, 5863 (2014). http://doi.org/10.1021/nn500897c
  17. Z. Ning, Y. Ren, S. Hoogland, O. Voznyy, L. Levina, P. Stadler, X. Lan, D. Zhitomirsky, and E. H. Sargent, Adv. Mater, 24, 6295 (2012). http:// doi.org/10.1002/adma.201202942
  18. W. k Koh, S. R. Saudari, A. T. Fafarman, C. R. Kagan, and C. B. Murray, Nano Lett., 11, 4764 (2011). http://doi.org/10.1021/nl202578g
  19. D. S. Chung, J. S. Lee, J. Huang, A. Nag, S. Ithurria, and D. V. Talapin, Nano Lett., 12, 1813 (2012). http://doi.org/10.1021/nl203949n
  20. M. V. Kovalenko, M Scheele, and D. V. Talapin, Science., 324, 1417 (2009). http://doi.org/10.1126/science.1170524