Electrical & Electronic Materials (E2M - 전기 전자와 첨단 소재)

The Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers (한국전기전자재료학회)
권호 표지

2차원 소재 위 고품위 원자층 박막 증착을 위한 상압 플라즈마 기반 표면 활성화 기술

  • 강명훈 (광운대학교 전기공학과) ;
  • 이태훈 (광운대학교 전기공학과)
  • Published : 2019.02.01
Download PDF
⟨ Previous Next ⟩

Abstract

Keywords

References

  1. C. Lee, X. Wei, J. W. Kysar, and J. Hone, Science, 312, 385 (2008).
  2. F. Schwierz, Nat. Nanotechnol., 5, 487 (2010). https://doi.org/10.1038/nnano.2010.89
  3. Y. Shao, J. Wang, H. Wu, L. Jun, I. A. Aksay, and Y. Lin, Electroanalysis, 22, 1027 (2010). https://doi.org/10.1002/elan.200900571
  4. N. Li, X. Zhang, Q. Song, R. Su, Q. Zhang, T. Kong, L. Liu, G. Jin, M. Tang, and G. Cheng, Biomaterials, 32, 9374 (2011). https://doi.org/10.1016/j.biomaterials.2011.08.065
  5. K. S. Kim, Y. Zhao, H. Jang, S. Y. Lee, J. M. Kim, K. S. Kim, J. H. Ahn, P. Kim, J. Y. Choi, and B. H. Hong, Nature, 457, 706 (2009). https://doi.org/10.1038/nature07719
  6. S. K. Lee, B. J. Kim, H. Jang, S. C. Yoon, C. Lee, B. H. Hong, J. A. Rogers, J. H. Cho, and J. H. Ahn, Nano Lett., 11, 4642 (2011). https://doi.org/10.1021/nl202134z
  7. H. Lee, T. K. Choi, Y. B. Lee, H. R. Cho, R. Ghaffari, L. Wang, H. J. Choi, T. D. Chung, N. Lu, T. Hyeon, S. H. Choi, and D. H. Kim, Nat. Nanotechnol., 11, 566 (2016). https://doi.org/10.1038/nnano.2016.38
  8. X. Wang, S. M. Tabakman, and H. Dai, J. Am. Chem. Soc, 130, 8152 (2008). https://doi.org/10.1021/ja8023059
  9. R. J. Zaldivar, J. P. Nokes, P. M. Adams, K. Hammoud, and H. I. Kim, Carbon, 50, 2966 (2012). https://doi.org/10.1016/j.carbon.2012.02.079
  10. W. C. Shin, J. H. Bong, S. Y. Choi, and B. J. Cho, ACS Appl. Mater. Interfaces, 5, 11515 (2013). https://doi.org/10.1021/am4039807
  11. J. W Shin, M. H. Kang, S. Oh, B. C. Yang, K. Seong, H. S. Ahn, T. H. Lee, and J. An, Nanotechnology, 29, 195602 (2018). https://doi.org/10.1088/1361-6528/aab0fb
  12. A. Nourbakhsh, M. Cantoro, A. V. Klekachev, G. Pourtois, T. Vosch, J. Hofkens, M. H. Van Der Veen, M. M. Heyns, S. De Gendt, and B. F. Sels, J. Phys. Chem. C, 115, 16619 (2011). https://doi.org/10.1021/jp203010z
  13. K. Kim, H. B. R. Lee, R. W. Johnson, J. T. Tanskanen, N. Liu, M. G. Kim, C. Pang, C. Ahn, S. F. Bent, and Z. Bao, Nat. commun., 5, 4781 (2014). https://doi.org/10.1038/ncomms5781
  14. N. Peltekis, S. Kumar, N. McEvoy, K. Lee, A. Weidlich, and G. S. Duesberg, Carbon, 50, 395 (2012). https://doi.org/10.1016/j.carbon.2011.08.052
  15. P. Zhou, S. Yang, Q. Sun, L. Chen, P. Wang, S. Ding, and D. W. Zhang, Sci. rep., 4, 6441 (2014). https://doi.org/10.1038/srep06441
  16. K Kukli, M Ritala, J Aarik, T Uustare, and M Leskela, J. Appl. Phys., 92, 1833 (2005). https://doi.org/10.1063/1.1493657
  17. K. Kim, T. H. Lee, E. J. G. Santos, P. S. Jo, A. Salleo, Y. Nishi, and Z. Bao, ACS nano, 9, 5922 (2015). https://doi.org/10.1021/acsnano.5b00581
  18. T. H. Lee, K. Kim, G. Kim, H. J. Park, D. Scullion, L. Shaw, M. G. Kim, X. Gu, W. G. Bae, E. J. G. Santos, Z. Lee, H. S. Shin, Y. Nishi, and Z. Bao, Chem. Mater., 29, 2341 (2017). https://doi.org/10.1021/acs.chemmater.6b05517
  19. P. L. Levesque, S. S. Sabri, C. M. Aguirre, J. Guillemette, M. Siaj, P. Desjardins, T. Szkopek, and R. Martel, Nano Lett., 11, 132 (2011). https://doi.org/10.1021/nl103015w