Electrical & Electronic Materials (E2M - 전기 전자와 첨단 소재)

The Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers (한국전기전자재료학회)
권호 표지

전자 패키징 기술 분야에서의 그래핀 응용 연구

  • Published : 2021.04.01
Download PDF
⟨ Previous Next ⟩

Abstract

Keywords

References

  1. K. S. Novoselov, A. K. Geim, S. V. Morozov, D. Jiang, Y. Zhang, S. V. Dubonos, I. V. Grigorieva, and A. A. Firsov, Science, 306, 666 (2004). DOI: 10.1126/science.1102896
  2. A. K. Geim and K. S. Novoselov, Nat. Mater., 6, 183 (2007). DOI: doi.org/10.1038/nmat1849
  3. C. Lee, X. Wei, J. W. Kysar, and J. Hone, Science, 321, 385 (2008). DOI: 10.1126/science.1156211
  4. S. H. Lee , D. H. Lee , W. J. Lee, and S. O. Kim, Adv. Funct. Mater., 21, 1338 (2011). DOI: 10.1002/adfm.201002048
  5. K. S. Novoselov, V. I. Fal'ko, L. Colombo, P. R. Gellert, M. G. Schwab, and K. Kim, Nature, 490, 192 (2012). DOI: 10.1038/nature11458
  6. M. Mazlan, M. N. B. Omar, A. I. M. Shaiful, S. Hussain, M. F. M. Roslan, M. N. H. Shaidan, and Z . I. Rizman, J. Fudam. Appl. Sci., 10, 803 (2018). DOI: /10.4314/jfas.v10i2s.57
  7. W. J. Greig, Integrated Circuit Packaging, Assembly and Interconnections, 1st ed. (Springer Science+Business Media LLC, New York, 2007), p. 4.
  8. Y. H. Ko, K. Choi, S. W. Kim, D. Y. Yu, J. Bang, and T. S. Kim, J. Microelectron. Packag. Soc., 23, 1 (2016). DOI: 10.6117/kmeps.2016.23.2.001
  9. T. K. Lee, T. R. Bielar, C. U. Kim, and H. Ma, Fundamentals of Lead-Free Solder Interconnect Technology, 1st ed. (Springer Science+Business Media, New York, 2015), p. 26-27. DOI 10.1007/978-1-4614-9266-5
  10. S. K. Kang and A. K. Sarkhel, J. Electron. Mater., 23, 701 (1994). DOI: 10.1007/BF02651362
  11. M. Abtew and G. Selvaduray, Mater. Sci. Eng. R, 27, 95 (2000). DOI: 10.1016/S0927-796X(00)00010-3
  12. N. C. Lee, Sold. Surf. Mt. Tech., 9, 2 (1997). DOI: 10.1108/09540919710800656
  13. J. W. Yoon, S. W. Kim, and S. B. Jung, J. Alloys Compd., 392, 247 (2005). DOI: 10.1016/j.jallcom.2004.09.045
  14. Z. Chen, M. He, B. Balakrisnan, and C. C. Chum, Mater. Sci. Eng., A, 423, 107 (2006). DOI: 10.1016/j.msea.2005.12.038
  15. A, Sharma, H. R. Sohn, and J. P. Jung, Metall. Mater. Trans. A, 47A, 494 (2016). DOI: 10.1007/s11661-015-3214-8
  16. L. C. Tsao, J. Alloys Compd., 509, 8441 (2011). DOI: 10.1016/j.jallcom.2011.05.116
  17. M. G. Cho, S. K. Kang, D. Y. Shin, and H. M. Lee, J. Electron. Mater., 36, 1501 (2007). DOI: 10.1007/s11664-007-0254-x
  18. X. D. Liu, Y. D. Han, H. Y. Jing, J. Wei, and L. Y. Xu, Mater. Sci. Eng. A, 562, 25 (2013). DOI: /10.1016/j.msea.2012.10.079
  19. M. Sobhy, A. M. El-Refai, and A. Fawzy, J. Mater. Sci.: Mater. Electron., 27, 2349 (2016). DOI: 10.1007/s10854-015-4032-x
  20. L. Xu, L. Wang, H. Jing, X. Liu, J. Wei, and Y. Han, J. Alloys Compd., 650, 475 (2015). DOI 10.1016/j.jallcom.2015.08.018
  21. D. Ma and P. Wu, J. Alloys. Compd., 671, 127 (2016). DOI: 10.1016/j.jallcom.2016.02.093
  22. X. Hu, Y. C. Chan, K. Zhang, and K. C. Yung, J. Alloys. Compd., 580, 162 (2013). DOI: 10.1016/j.jallcom.2013.05.124
  23. L. Y. Xu, Z. K. Zhang, H. Y. Jing, J. Wei, and Y. D. Han, J. Mater Sci: Mater. Electron., 26, 5625 (2015). DOI: 10.1007/s10854-015-3112-2
  24. Y. H. Ko, K. Son, G. Kim, Y. B. Park, D. .Y. Yu, J. Bang, and T. S. Kim, J. Mater. Sci.: Mater. Electron., 30, 2334 (2019). DOI: 10.1007/s10854-018-0506-y
  25. G. Chen, F. Wu, C. Liu, V. V. Silberschmidt, and Y. C. Chan, J. Alloys Compd., 656, 500 (2016). DOI: 10.1016/j.jallcom.2015.09.178
  26. Y. Ma, X. Li, L. Yang, W. Zhou, M. Wang, W. Zhu, and Ping Wu, Mater. Sci. Eng., A, 696, 437 (2017). DOI: 10.1016/j.msea.2017.04.105
  27. K. Son, G. Kim, Y. H. Ko, and Y. Bae Park, J. Microelectron. Packag. Soc., 26, 81 (2019). DOI: 10.6117/kmeps.2019.26.3.081
  28. Y. H. Ko, D. Y. Yu, J. Son, J. Bang, and T. S. Kim, J. Microelectron. Packag. Soc., 26, 43 (2019). DOI: 10.6117/kmeps.2019.26.3.043
  29. M. S. Kang, D. S. Kim, and Y. E. Shin, Materials, 12, 936 (2019). DOI: 10.3390/ma12060936
  30. S. W. Jeong, J. H. Kim, and H. M. LEE, J. Electron. Mater., 33, 1530 (2004). DOI: 10.1007/s11664-004-0095-9
  31. H. K. Lee, M. H. Chun, Y. C. Chu, and K. S. Oh, J. Microelectron. Packag. Soc., 22, 51 (2015). DOI: 10.6117/kmeps.2015.22.3.051
  32. S. H. Huh, J. H. Lee, and S. J. Ham, J. Microelectron. Packag. Soc., 21, 43 (2014). DOI: 10.6117/kmeps.2014.21.3.043
  33. T. Y. Lee, K. H. Kim, J. H. Bang, N. S. Park, M. S. Kim, and S. Yoo, J. Microelectron. Packag. Soc., 21, 25 (2014). DOI: 10.6117/kmeps.2014.21.3.025
  34. Y. C. Sohn, J. Yu, S. K. Kang, D. Y. Shih, and T. Y. Lee, J. Mater. Res., 19, 2428 (2004). DOI: 10.1557/JMR.2004.0297
  35. A. Sharif and Y. C. Chan, J. Alloys Compd., 440, 117 (2007). DOI: 10.1016/j.jallcom.2006.09.020
  36. C. E. Ho, R. Y. Tsai, Y. L. Lin, and C. R. Kao, J. Electron. Mater., 31, 584 (2002). DOI: 10.1007/s11664-002-0129-0
  37. Y. M. Kim, K. M. Harr, and Y. H. Kim, Electron. Mater. Lett., 6, 151 (2010). DOI: 10.3365/eml.2010.12.151
  38. Y. H. Ko, J. D. Lee, T. Yoon, C. W. Lee, and T. S. Kim, ACS Appl. Mater. Interfaces, 8, 5679 (2016). DOI: 10.1021/acsami.5b11903
  39. H. Wang, W. S. Leong, F. Hu, L. Ju, C. Su, Y. Guo, J. Li, M. Li, A. Hu, and J. Kong, ACS Nano, 12, 2395 (2018). DOI: 10.1021/acsnano.7b07739
  40. Y. Liu, S. Li, W. Song, X. Wang, H. Zhang, and F. Sun, Results Phys., 13, 102256 (2019). DOI: 10.1016/j.rinp.2019.102256
  41. Y. Liu, S. Li, H. Zhang, H. Cai, F. Sun, and G. Zhang,. J. Mater. Sci.: Mater. Electron., 29, 13167 (2018). DOI: 10.1007/s10854-018-9440-2
  42. R. R. Tummala, Fundamentals of Microsystems Packaging, 1st ed. (McGraw-Hill, New York, 2001), p. 204-205.
  43. J. H. Bong, S. J. Yoon, A. Yoon, W. S. Hwang, and B. J. Cho, Appl. Phys. Lett., 106, 0632112 (2015). DOI: /10.1063/1.4908559
  44. C. G. Kang, S. K. Lim, S. Lee, S. K. Lee, C. Cho, Y. G. Lee, H. J. Hwang, Y. Kim, H. J. Choi, S. H. Choe, M. H. Ham, and B. H. Lee, Nanotechnology, 24, 115707 (2013). DOI: 10.1088/0957-4484/24/11/115707
  45. S. J. Yoon, A. Yoon, W. S. Hwang, S. Y. Choi, and B. J. Cho, Proc. Symp. VLSI Tech., (IEEE, Kyoto, Japan, 2015) p. T124. DOI: 10.1109/VLSIT.2015.7223714
  46. R. Aradhana, S. Mohanty, and S. K. Nayak, Int. J. Adhes. Adhes., 99, 102596 (2020). DOI: 10.1016/j.ijadhadh.2020.102596
  47. J. Kim, B. S. Yim, J. M. Kim, and J. Kim, Microelectron. Reliab., 52, 595 (2012). DOI: 10.1016/j.microrel.2011.11.002
  48. N. W. Pu, Y. Y. Peng, P. C. Wang, C. Y. Chen, J. N. Shi, Y. M. Liu, M. D. Ger, and C. L. Chang, Carbon, 67, 449 (2014). DOI: 10.1016/j.carbon.2013.10.017
  49. S. A. Ju, K. Kim, J. H. Kim, and S. S. Lee, ACS Appl. Mater. Interfaces, 3, 2904 (2011). DOI: 10.1021/am200056t
  50. B. M. Amoli, J. Trinidad, G. Rivers, S. Sy, P. Russo, A. Yu, N. Y. Zhou, and B. Zhao, Carbon, 91, 188 (2015). DOI: 10.1016/j.carbon.2015.04.039
  51. R. Aradhana, S. Mohanty, and S. K. Nayak, J. Mater. Sci.: Mater. Electron., 30, 4296 (2019). DOI: 10.1007/s10854-019-00722-5
  52. T. Xu, J. Chen, W. Yuan, Y. Liu, Y. Sun, H. Wu, and X. Zhou, Materials, 11, 2028 (2018). DOI: 10.3390/ma11102028