• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제28권2호
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• pp.29-37
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• 2021

3 차원 패키징을 위한 저온 Cu-Cu직접 접합부의 계면접착에너지를 향상시키기 위해 Cu박막 표면에 대한 Ar/N₂ 2단계 플라즈마 처리 전, 후 Cu표면 및 접합계면에 대한 화학결합을 X-선 광전자 분광법(X-ray photoelectron spectroscopy)을 통해 정량화한 결과, 2단계 플라즈마 처리로 인해 Cu표면에 Cu₄N이 형성되어 Cu산화를 효과적으로 억제하는 것을 확인하였다. 2단계 플라즈마 처리하지 않은 Cu-Cu시편은 표면 산화막의 영향으로 접합이 제대로 되지 않았으나 2단계 플라즈마 처리한 시편은 효과적인 표면 산화방지효과로 인해 양호한 Cu-Cu접합을 형성하였다. Cu-Cu직접접합 계면의 정량적 계면접착에너지를 double cantilever beam 시험방법 및 4점 굽힘(4-point bending, 4-PB) 시험방법을 통해 비교한 결과, 각각 1.63±0.24, 2.33±0.67 J/m²으로 4-PB 시험의 계면접착에너지가 더 크게 측정되었다. 이는 계면파괴역학의 위상각(phase angle)에 따른 계면접착에너지 증가 거동으로 설명할 수 있는데 즉, 4-PB의 계면균열선단 전단응력성분 증가로 인한 계면거칠기의 효과에 기인한 것으로 판단된다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제15권6호
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• pp.543-550
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• 2002

In this paper, the $CF_4$ decomposition rate and by-product were investigated for two simulated plasma reactors which are metal particle reactor and spiral wire reactors as a function of mixed gases. The $CF_4$ decomposition rate by plasma reactor with metal particle electrode had a gain of 20~25% over that by plasma reactor with spiral wire electrode. The $CF_4$ decomposition efficiency increases with increasing applied voltage up to the critical voltage for spark formation. The $CF_4$ decomposition efficiency of metal particle reactor was about 80% at AC 24kV. The $CF_4$ decomposition rate used Ar-$N_2$ as base gas was the highest among three base gases of $N_2$, $Ar-N_2$, air. The by-products of the $N_2$, $N_2Ar$ base as were similar, but in case of air base they were different.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2002년도 하계학술대회 논문집 Vol.3 No.2
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• pp.912-916
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• 2002

In this paper, the $CF_4$ decomposition rate and by-product were investigated for a simulated two plasma reactors which are metal particle reactor and spiral wire reactor as function of mixed gases. The $CF_4$ decomposition rate by plasma reactor with metal particle electrode had a gain of 20~25[%] over that by plasma reactor with spiral wire electrode. The $CF_4$ decomposition efficiency increases with increasing applied voltage up to the critical voltage for spark formation. The $CF_4$ decomposition efficiency of metal particle reactor was about 80[%] at AC 24[kV]. The $CF_4$ decomposition rate used $Ar-N_2$ as base gas was the highest among three base gases of $N_2$, $Ar-N_2$, air. The by-products of the $N_2$, $Ar-N_2$ base as were similar, but in case of air base they were different.

• 한국표면공학회:학술대회논문집
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• 한국표면공학회 2008년도 추계학술대회 초록집
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• pp.83-85
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• 2008

4성분계 Ti-Si-C-N 코팅막은 $TiCl_4$, $SiH_4$, $CH_4$, Ar, 그리고 $N_2$ 가스 혼합체를 이용하여 RF-PECVD 기법에 의해 Si 와 AISI 304 기판위에 합성하였다. Ti-C-(0.6)-N(0.4) 조성의 코팅막에 Si를 첨가함으로 Ti(C,N) 결정질은 줄어들고, Si3N4 및 SiC 비정질상이 나타났다. Ti-Si(9.2 at.%)-C-N의 조성에서 나노 크기의 nc-Ti(C,N) 결정질을 비정질 a-Si3N4/SiC가 둘러싸고 있는 형태의 나노 복합체를 나타내었다. 경도 24 Gpa의 Ti-C-N 코팅막은 Si를 첨가함으로 Ti-Si(9.2 at.%)-C-N 조성에서 46 Gpa의 최고 경도를 나타내었으며, 마찰계수의 경우에도 Ti-C-N 코팅막에 Si를 첨가함으로 크게 낮아졌다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제20권8호
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• pp.701-705
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• 2007

The incorporation of N in a-C film is able to improve the friction coefficient and the adhesion to various substrates. In this study, a-C:N films were deposited on Si and steel substrates by closed-field unbalanced magnetron (CFUBM) sputtering system in $Ar/N_2$ plasma. The lubricant characteristics was investigated for a-C:N deposited with total working pressure from 4 to 7 mTorr. We obtained high hardness up to 24GPa, friction coefficient lower than 0.1 and the smooth surface of having the extremely low roughness (0.16 nm). The physcial properties of a-C:N thin film are related to the increase of cross-linked $sp^2$ bonding clusters in the film. However, the decrease of hardness, elastic modulus and the increase of surface roughness, friction coefficient with the increase of $N_2$ partial pressrue might be due to the effect of energetic ions as a result of the increase of ion bombardment with the increase of ion density in the plasma.

• 반도체디스플레이기술학회지
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• 제2권3호
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• pp.19-23
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• 2003

Extended unbalanced magnetron sputtering system based on the cylindrical magnetron with a rotating cathode was developed. The unbalanced configuration of magnetic field was realized by means of additional lines of permanent magnets, placed along both sides of a 89 mm outer diameter and 600 mm long cylindrical cathode. The performance of the unbalanced magnetron was assessed in terms of the ion current density and the ion-to-atom ratio incident at the substrate. Furthermore, the paper presents the comparison of the internal plasma parameters, such as the electron temperature, electron density, plasma and floating potentials, measured by a Langmuir probe in various positions from the cathode, for conventional and unbalanced constructions of the cylindrical magnetron. The plasma density and ion current density are about 3-5 times higher than those of conventional one, in the unbalanced magnetron in a 0.24 Pa Ar atmosphere with a DC cathode power of 3 kW.

• 공업화학
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• 제24권1호
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• pp.31-37
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• 2013

텍스쳐링에 의해 실리콘 웨이퍼의 표면반사율을 감소시키는 것은 실리콘 태양전지의 효율향상을 위해 매우 중요한 공정이다. 본 연구에서는 에칭속도 제어를 위해 촉매제를 포함한 산 용액으로 텍스쳐링 처리한 웨이퍼의 표면효과와 그 태양전지 특성을 평가 고찰하였다. 텍스쳐링 전 $HNO_3-H_2O_2-H_2O$ 용액의 전처리는 표면반사율의 초기 저감효과를 가져왔다. 이는 산화특성에 의해 유기 불순물이 제거되고 텍스쳐링을 위한 핵의 생성에 기인한다고 할 수 있다. 이후 공정에서 불산/질산 용액에 인산 및 초산과 같은 완충제를 첨가한 혼합용액을 제조하고, 적정 농도 조합과 그 처리시간의 최적화를 통해 개선된 텍스쳐링 효과를 얻을 수 있었으며 이 효과는 표면반사율 감소를 통해 확인할 수 있었다. 이렇게 제조된 실리콘 웨이퍼에 반사방지막 코팅 후 태양전지를 제작하여 그 변환효율을 측정한 결과 16.4%의 양호한 특성을 나타냈다. 이는 개선된 텍스쳐링 처리에 의해 저감된 표면특성에 의한 단락전류의 증가에 기인한 것으로 추정된다.