• 제목/요약/키워드: AMLCD

검색결과 103건 처리시간 0.167초

비정질 실리콘 광센서를 이용한 터치 감응 디스플레이 설계 및 제작 (A Touch-sensitive Display with Embedded Hydrogenated Amorphous-silicon Photodetector Arrays)

  • 이수연;박현상;한민구
    • 전기학회논문지
    • /
    • v.58 no.11
    • /
    • pp.2219-2222
    • /
    • 2009
  • A new touch-sensitive hydrogenated amorphous silicon(a-Si:H) display with embedded optical sensor arrays is presented. The touch-sensitive panel operation was successfully demonstrated on a prototype of 16-in. active-matrix liquid crystal display (AMLCD). The proposed system provides the finger touched point without the real-time image processing of information of the captured images. Due to the simple architecture of the system, we expect the introduction of large-area touch-sensitive display panels.

비정질 실리콘 광센서를 이용한 터치 감응 디스플레이 설계 및 제작 (A touch-sensitive display with embedded hydrogenated amorphous-silicon photodetector arrays)

  • 이수연;박현상;한민구
    • 대한전기학회:학술대회논문집
    • /
    • /
    • pp.1223_1224
    • /
    • 2009
  • 광센서가 내장된 새로운 수소화된 비정질 실리콘(a-Si:H) 터치 디스플레이를 제시하였다. 16 인치 AMLCD의 모델을 구현하여 터치 패널을 성공적으로 작동시켰다. 본 시스템은 입력된 이미지로부터 실시간으로 정보를 추출해야 하는 복잡한 기존의 방식을 사용하지 않으면서 터치 포인트의 위치를 제공한다. 이 시스템의 간단한 구조를 통하여 대면적 터치 패널 디스플레이를 구현할 수 있다.

  • PDF

통계적 실험계획법을 이용한 액정표시기용 다결정 실리콘 박막트랜지스터의 최적화 설계 (Robustic design of poly-Si TFT for LCD using statistical design of experiment)

  • 이현중;배경진;이종근;박세근
    • 대한전자공학회:학술대회논문집
    • /
    • /
    • pp.507-510
    • /
    • 1998
  • Performance of AMLCD pixels depends on the electrical characteristics of thin film transistor switches. The high quality of LCD can be obtained by minimizing the process and device variations of TFT. The effect of process and device factors on poly-Si TFT characteristics are calculated by ATHENA and ATLAS, and the optimized design windows based on statistical design of experiment are suggested for high performance 20 inch LCD are suggested for high performance 20 inch LCD monitors.

  • PDF

Excimer-Laser Annealing for Low-Temperature Poly-Si TFTs

  • Kim, Hyun-Jae
    • Journal of Information Display
    • /
    • v.4 no.4
    • /
    • pp.1-3
    • /
    • 2003
  • For excimer laser annealing (ELA), energy density, number of pulses, beam uniformity, and condition of initial amorphous Si (a-Si) films are significant factors contributing to the final microstructure and the performance of low-temperature polycrystalline Si (LTPS) TFTs. Although the process and equipment have been significantly improved, the environmental factors associated with initial amorphous Si (a-Si) films and process conditions are yet to be optimized.

WVGA solutions for mobile multimedia convergence

  • Ha, Yong-Min;Hwang, Han-Wook;Kim, Hong-Soo;Jang, Jeong-Woo;Kim, Byeong-Koo
    • 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
    • /
    • /
    • pp.13-16
    • /
    • 2008
  • Mobile phones are evolving into a platform for internet access. In order to display web pages in handsets, WVGA and around 3-inch displays are strongly recommended. Low power consumption, compactness and narrow boarder area are essential. The general requirements for WVGA solution and the design factors to reduce the power consumption and boarder area discussed.

  • PDF

액정표시 장치에서 영상에 따른 콘트라스트 제어 방법 (A Method for Contrast Enhancement according to Video image in Liquid Crystal Display)

  • 박행원;전병우;이승우;김영기
    • 대한전자공학회:학술대회논문집
    • /
    • /
    • pp.477-480
    • /
    • 2003
  • This paper describes a novel method for image contrast enhancement by controlling gamma curve in AMLCD. The key idea is to automatically manipulate gamma voltage in accordance with the image data distribution. This method is applied to 17" SXGA LCD monitor module. The contrast ratio and the brightness are enhanced respectively by about 3 times and 1.7 times, by using the proposed method.

  • PDF

Advances and New Challenges in LCD

  • Souk, Jun-Hyung
    • 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
    • /
    • /
    • pp.24-27
    • /
    • 2002
  • Even though the TFT-LCD industry gained enough momentum that has been built up in past 10 years, the industry faces new challenges in order to maintain the 'true mainstream display' position in near future. The technical challenges can be summarized in two fold; one is image quality upgrade for different application area. Cost competitiveness is the other big issue in LCD for the continued leadership position in display industry. In this paper, we describe the technology advancement and the technical challenges in LCD to achieve these goals..

  • PDF

A Pixel Structure for Reflective Color TFT-LCDs with 27-color in Still-Image

  • Jang, Dae-Jung;Sung, Yoo-Chang;Kwon, Oh-Kyong;Kim, Hyun-Jae
    • 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
    • /
    • /
    • pp.153-156
    • /
    • 2002
  • We have developed a pixel structure for reflective color TFT-LCD which can display 27-color in still-image. The proposed pixel can display 3 gray scale in still image; white, black and median gray. This paper shows the concept and the driving method of the proposed pixel. Finally this paper compares power consumption and area with the Toshiba's DMOG technology.

  • PDF

a-Si:H/a-SiN:H 계면에서 각각 phosphorus로 도핑된 층이 TFT 이동도에 미치는 영향

  • 지정환;이상권;김병주;문영순;최시영
    • 한국진공학회:학술대회논문집
    • /
    • /
    • pp.254-254
    • /
    • 2011
  • 현재 AMLCD(Active Matrix Liquid Crystal Display)는 노트북, 컴퓨터, TV등 여러 영상매체에 있어 가장 많이 활용되고 있는 디스플레이로 손꼽힌다. AMLCD에 구동소자로 사용되는 a-Si:H TFT는 낮은 제조비용과 축적된 기술을 바탕으로 가장 많이 쓰이고 있다. 특히 a-Si이 가지는 소형화나 대형화의 편의성은 모바일 기기, projection TV, 광고용 패널 등 적용분야가 점점 넓어지고 있는 추세이다. 하지만 a-Si라는 물질 자체가 가지는 낮은 이동도는 더 많은 application을 위해 해결되어야 할 과제이다. 낮은 이동도는 a-Si 실리콘 원자간 결합의 불규칙성 및 무질서와 dangling bond에 의한 localize state(deep trap, band tail)의 존재 때문에 발생하며 결과적으로 TFT 소자의 특성의 저하를 가져온다. 앞선 연구에서는 carrier이동도의 개선을 위해서 첫 번째로 insulator층과 active층 사이의 계면 상태를 향상시키기 위해 insulator로 쓰이는 a-SiN층 표면에 0~18 sccm의 유량으로 phosphorus를 주입하였다. AFM분석을 해본 결과 phosphorus를 주입함으로써 계면의 roughness가 줄어드는 것을 확인 할 수 있었다. 이러한 계면의 roughness 감소는 표면 산란(surface scattering)및 전자 포획(trap)의 영향을 줄임으로써 이동도의 향상을 가져왔다. 두 번째로 active층으로 쓰이는 a-Si:H 층의 표면에 phosphorus를 0?9sccm의 유량으로 doping하였다. 이로 인해 channel이 형성되는 active 영역에 직접적으로 불순물을 doping됨으로써 전도도를 증가되어 이동도를 향상시켰다. 하지만 지나친 doping은 불순물 산란(impurity scattering)의 증가로 인해 이동도를 저하시키는 결과를 보여 주었다. 본 연구에서는 TFT의 이동도 향상을 위해 두 가지의 technology를 함께 적용시켜 a-SiN/a-Si:H 계면 각각에 phosphorus를 주입 및 doping을 하였다. 모든 박막은 PECVD로 제작하였으며 각 박막의 두께는 a-SiN/a-SiN(phosphorus)/a-Si:H(doped)/a-Si:H/n+ a-Si($2350{\AA}/150{\AA}/150{\AA}/1850{\AA}/150{\AA}$)으로 고정하고 유량을 변화시키면서 특성을 관찰하였다.

  • PDF

A New DAC Employing Source-follower type Analog Buffer with P-type Poly-Si TFTs in Active-Matrix Displays

  • Nam, Woo-Jin;Jung, Sang-Hoon;Kim, Ji-Hoon;Shin, Hee-Sun;Han, Min-Koo
    • 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
    • /
    • /
    • pp.999-1002
    • /
    • 2004
  • We propose and simulate a new integrated DAC analog buffer composed of only p-type poly-Si TFTs in AMLCD and AMOLED. Proposed circuit employs a voltage level shifter which $V_{OUT}$ has a linear functional relation to $V_{IN}$. The proposed scheme enables to allow a constant $V_{GS}$ of buffer transistor so that the charging speed of pixel data address is improved.

  • PDF