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광대역 고온용 SAW filter 소자용 $La_3Ga_5SiO_{14}$ 단결정의 고밀도 플라즈마 식각 (High density plasma etching of single crystalline $La_3Ga_5SiO_{14}$ for wide band high temperature SAW filter devices)

  • 조현
    • 한국결정성장학회지
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    • 제15권6호
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    • pp.234-238
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    • 2005

  • [ $Cl_2/Ar$ ] 유도결합 플라즈마(ICP)내의 플라즈마 조성, 이온 flux 및 이온 에너지가 $La_3Ga_5SiO_{14}$ 단결정 wafer의 식각속도, 표면 양상 및 화학량론적 조성에 미치는 영향을 조사하였다. 비교적 높은 ICP source power$({\sim}1000W)$ 또는 높은 $Cl_2$ gas 유량 비율 조건으로부터 최고 약 $1600{\AA}/min$의 실용적이고 조절이 용이한 식각속도를 확보하였다. 식각된 $La_3Ga_5SiO_{14}$ 표면은 식각 이전과 비슷하거나 더 낮은 표면 조도 특성을 나타내었으며 식각 공정 전, 후 표면의 화학량론적 조성에 있어서의 변화는 없는 것으로 조사되었다.

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