• 제목/요약/키워드: All-optical OR logic gate

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DFB SOA의 광쌍안정 특성을 이용한 전광논리구현 (All Optical Logic Gate Based On Optical Bistability of DFB SOA)

  • 김병채;김영일;이석;우덕하;윤태훈
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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    • 한국전기전자재료학회 2002년도 춘계학술대회 논문집 디스플레이 광소자 분야
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    • pp.112-113
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    • 2002
  • Optical bistability can be applied to the optical logic. optical signal processing and optical memory. We have measured the optical bistability of DFB-SOA and demonstrated all-optical OR logic gate using switching characteristics of DFB-SOA.

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반도체 광증폭기(SOA)를 이용한 2.5 Gbit/s 전광 OR 논리 게이트 (2.5 Gbit/s all-optical GR logic gate using semiconductor optical amplifiers)

  • 변영태;김재헌;전영민;이석;우덕하;김선호
    • 한국광학회지
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    • 제13권2호
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    • pp.151-154
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    • 2002
  • 선광(all-optical) OR 논리소자가 반도체 광증폭기 (SOA)의 이득포화와 파장변환 특성을 이용하여 구현되었다. 전광(all-optical) OR 논리소자는 이득의 비선형성에 의해 동작되므로 SOA의 이득포화를 충분히 얻기 위해 펌프신호는 SOA의 입력단에서 어븀 첨가 광섬유 증복기(EDFA)에 의해 증폭되었다. 전광 OR논리소자의 동작특성은 2.5 Gbit/s에서 성공적으로 측정되었다.

새로운 10 Gbit/s 전광 NOR 논리 게이트 (A novel 10 Gbit/s all-optical NOR logic gate)

  • 변영태;김재헌;전영민;이석;우덕하;김선호
    • 한국광학회지
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    • 제14권5호
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    • pp.530-534
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    • 2003
  • 새로운 전광(all-optical) NOR논리소자가 반도체 광증폭기 (SOA)의 이득포화 특성을 이용하여 처음으로 제안되고 입증되었다. 전광 NOR논리소자는 이득의 비선형성에 의해 동작되므로 SOA의 이득포화를 충분히 얻기 위해 펌프신호는 SOA의 입력단에서 어븀 첨가 광섬유 증폭기에 의해 증폭되었다. 전광 NOR 논리소자의 동작특성은 10 Gbit/s에서 성공적으로 측정되었다.

Optically Programmable Gate Array 구현을 위한 수직 공진형 완전공핍 광싸이리스터 (Design of Monolithically Integrated Vertical Cavity Laser with Depleted Optical Thyristor for Optically Programmable Gate Array)

  • 최운경;김도균;최영완
    • 전기학회논문지
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    • 제58권8호
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    • pp.1580-1584
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    • 2009
  • We have theoretically analyzed the monolithic integration of vertical cavity lasers with depleted optical thyristor (VCL-DOT) structure and experimentally demonstrated optical logic gates such as AND-gate, OR-gate, and INVERTER implemented by VCL-DOT for an optical programmable gate array. The optical AND and OR gates have been realized by changing a input bias of the single VCL-DOTs and all kinds of optical logic functions are also implemented by adjusting an intensity of the reference input beams into the differential VCL-DOTs. To achieve the high sensitivity, high slope efficiency and low threshold current, a small active region of lasing part and a wide detecting area are simultaneously designed by using a selective oxidation process. The fabricated devices clearly show nonlinear s-shaped current-voltage characteristics and lasing characteristics of a low threshold current with 0.65 mA and output spectrum at 854 nm.

고속 순광학적 AND Logic Gate (Fast All-Optical AND Logic Gates)

  • 유연석;오세권;신정록;김동균
    • 한국광학회:학술대회논문집
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    • 한국광학회 2001년도 제12회 정기총회 및 01년도 동계학술발표회
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    • pp.148-149
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    • 2001
  • 순광학적 스위치와 logic gate는 초고속 networks와 컴퓨터를 위한 차세대의 기술로 부각되고 있다. 현재 사용되고 있는 전자적인 switching, routing, 신호 처리들은 대용량 고속화에 그 한계를 나타내고 있다. 미래에 요구되는 초고속 광 네트워크의 계획은 광학 스위치와 광 변조장치가 필요하다는 것을 지적하고있다 최근에 전자나 광전자적으로 가능한 것 이상으로 미래에 요구되는 Tera bits/sec에 접근할 수 있는 고속 연산과 신호처리가 가능한 스위칭에 관한 연구가 활발이 진행되고 있다. (중략)

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Realization of High Speed All-Optical Half Adder and Half Subtractor Using SOA Based Logic Gates

  • Singh, Simranjit;Kaler, Rajinder Singh;Kaur, Rupinder
    • Journal of the Optical Society of Korea
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    • 제18권6호
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    • pp.639-645
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    • 2014
  • In this paper, the scheme of a single module for simultaneous operation of all-optical computing circuits, namely half adder and half subtractor, are realized using semiconductor optical amplifier (SOA) based logic gates. Optical XOR gate by employing a SOA based Mach-Zehnder interferometer (MZI) configuration is used to get the sum and difference outputs. A carry signal is generated using a SOA-four wave mixing (FWM) based AND gate, whereas, the borrow is generated by employing the SOA-cross gain modulation (XGM) effect. The obtained results confirm the feasibility of our configuration by proving the good level of quality factor i.e. ~5.5, 9.95 and 12.51 for sum/difference, carry and borrow, respectively at 0 dBm of input power.

광대역 이득을 가진 SOA/DFB-SOA를 이용한 전광 논리구현 (All-optical Logic gate using the SOA/DFB-SOA with Broadband-Gain)

  • 김영일;김재헌;이석;우덕하;윤태훈
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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    • 한국전기전자재료학회 2002년도 춘계학술대회 논문집 디스플레이 광소자 분야
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    • pp.109-111
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    • 2002
  • We have demonstrated all-opticalflip-flop based on optical bistability in a SOA/DFB-SOA with broadband gain. Input signal with the wavelength of 1340.23 nm or 1680.93 nm and the current of about 98% of the lasing threshold is injected into theDFB-SOA. Current injected into SOA is 80 mA All-optical flip-flop has various applications such as all-optical memory, demultiplexing, packet-header buffering, and retiming.

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Semiconductor Optical Amplifier를 이용한 5 Gb/s전광 XOR논리소자 (5 Gb/s all-optical XOR gate by using semiconductor optical amplifier)

  • 김재헌;변영태;전영민;이석;우덕하;김선호
    • 한국광학회지
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    • 제13권1호
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    • pp.84-87
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    • 2002
  • SOA (Semiconductor Optical Amplifier)의 inverter 원리를 응용하여 RZ 형식의 전광 XOR논리소자가 5 Gb/s 속도에서 처음으론 구현되었다. 먼저 Boolean AB와 Boolean AB가 실험적으로 구현되었으며 전광 XOR논리소자를 만들기 위해서 AB와 AB를 합하여 XOR의 Boolean 값인 AB+AB의 특성이 얻어졌다.

병렬 SOA-MZI 구조들을 이용한 XOR, NOR, OR 그리고 NAND 기능들을 가진 전광 복합 논리 게이트들 (All-Optical Composite Logic Gates with XOR, NOR, OR, and NAND Functions using Parallel SOA-MZI Structures)

  • 김주엽;한상국
    • 대한전자공학회논문지SD
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    • 제43권1호
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    • pp.13-16
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    • 2006
  • 병렬 SOA-MZI 구조들을 이용하여 XOR NOR, OR, 그리고 NAND 기능들을 가진 전광 복합 논리 게이트들을 제안하고 100Gbps에서 실험적으로 구현했다. 제안된 구조는 높은 소광 비를 가지며 복합적인 논리 기능들을 동시에 수행할 수 있다.

All Optical Logic Gates Based on Two Dimensional Plasmonic Waveguides with Nanodisk Resonators

  • Dolatabady, Alireza;Granpayeh, Nosrat
    • Journal of the Optical Society of Korea
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    • 제16권4호
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    • pp.432-442
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    • 2012
  • In this paper, we propose, analyze and simulate the performances of some new plasmonic logic gates in two dimensional plasmonic waveguides with nanodisk resonators, using the numerical method of finite difference time domain (FDTD). These gates, including XOR, XNOR, NAND, and NOT, can provide the highly integrated optical logic circuits. Also, by cascading and combining these basic logic gates, any logic operation can be realized. These devices can be utilized significantly in optical processing and telecommunication devices.