• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 2002년도 ITC-CSCC -2
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• pp.778-781
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• 2002

In this paper, we designed the anti-fuse program circuit, and there are an anti-fuse program/sense/latch circuit, a negative voltage generator, power-up circuit and etc. in this circuit. An output voltage of a negative voltage generator is about -4,51V. We detected certainly it regardless of simulation result power rise time or temperature change to detect the anti-fuse program state of an anti-fuse program/sense/latch circuit and were able to know what performed a steady action. And as a result of having done a simulation while will change a resistance value voluntarily in order to check an anti-fuse resistance characteristic of this circuit oneself, it recognized as a programmed anti-fuse until 23k$\Omega$, and we were able to know that this circuit was a lot of margin than general anti-fuse resistance 500$\Omega$. Therefore, the anti-fuse program circuit of this study showed that was able to apply for configuration of the programmable logic device.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제19권3호
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• pp.21-30
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• 2012

Technology trend and application of laser fuse, anti-fuse, and eFUSE as well as the structure, programming mechanism, and reliability of eFUSE have been reviewed. In order to ensure eFUSE reliability in the field, a sensing circuit trip point consistent with the fuse resistance distribution, process variation, and device degradation in the circuit such as hot carrier or NBTI, as well as fuse resistance reliability must be considered to optimize and define a reliable fuse programming window.

• 융합보안논문지
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• 제15권3_1호
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• pp.99-105
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• 2015

기존 SRAM 기반 PUF (physical unclonable function)는 난수 생성 및 키교환에 사용된다. SRAM에서 생성된 출력값은 일정하게 유지되어야 하나, 외부 환경에 의해 변화하는 문제가 발생된다. 본 논문은 듀얼 안티퓨즈 OTP (one time programmable) 메모리를 SRAM 기반 PUF에 채택한 새로운 구조의 D-PUF (deterministic PUF) 회로를 제안한다. 제안된 PUF 회로는 SRAM에서 한 번 생성된 출력값을 일정하게 계속 유지시켜 PUF 회로의 신뢰성을 향상시킬 수 있다. 우선, 높은 보안 수준을 갖는 안티퓨즈를 이용하여 OTP 메모리를 구성하였다. SRAM은 크로스 커플 인버터쌍의 미스매치를 이용하여 전원이 들어온 후 초기값을 임의로 생성하고 이를 출력한다. 마스킹된 출력값은 안티퓨즈 OTP ROM(read-only memory)에 난수값으로 프로그램된다. 한번 프로그램된 ROM 값은 되돌려지지도 변화하지도 않는다. 따라서, 제안된 D-PUF 회로는 SRAM의 출력값을 OTP 메모리에 저장시켜 한 번 결정된 PUF 출력값을 계속 유지시킨다. 제안된 D-PUF의 출력은 동작 전압 및 온도 변화 등과 같은 외부 환경 변수에 영향을 받지 않아 신뢰성이 향상된다. 따라서, 제안된 D-PUF는 강력한 오류 정정 코드없이 사용하더라도 안정적인 동작을 수행할 수 있다.

• ETRI Journal
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• 제17권2호
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• pp.21-30
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• 1995

A new architecture of field programmable gate array for high-speed datapath applications is presented. Its implementation is facilitated by a configurable interconnect technology based on a one-time, two-terminal programmable, very low-impedance anti-fuse and by a configurable logic module optimized for datapath applications. The configurable logic module can effectively implement diverse logic functions including sequential elements such as latches and flip-flops, and arithmetic functions such as one-bit full adder and two-bit comparator. A novel programming architecture is designed for supplying large current through the anti-fuse element, which drops the on-resistance of anti-fuse below $20{\Omega}$. The chip has been fabricated using a $0.8-{\mu}m$ n-well complementary metal oxide semiconductor technology with two layers of metalization.

• 한국산학기술학회논문지
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• 제13권6호
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• pp.2697-2701
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• 2012

안티퓨즈 MOS 커패시터를 기반으로 제작된 OTP 소자의 수율은 프로그램 과정에서 입력 저항(Rin)값과 통과 트랜지스터(Pass Tr)의 크기, 데이터 읽기 과정에서 읽기 트랜지스터(Read Tr)와 읽기 전압에 영향을 받는다. 따라서 수율에 영향을 주는 요소를 분석하기 위해 여러 가지 실험 조건을 달리하여 각각의 조건에 대해 블로잉 후 실효소자의 저항 특성에 대한 풀 맵(full map) 데이터를 얻어 OTP 소자가 어떻게 동작하는지를 분석하여 수율 개선에 필요한 최적 조건을 연구하였다. 최적 조건은 입력저항이 $50{\Omega}$, 통과 트랜지스터의 W값이 $10{\mu}m$, 읽기 전압이 2.8 V 일 때이다.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 2004년도 학술대회지
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• pp.612-615
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• 2004

A high-voltage generator is used to program the anti-fuse of the semiconductor chip. A new high-voltage generator consists of PN diodes and new stack type capacitors. An oscillator supply pulses to the high-voltage generator. The pulse period of the oscillator is delayed by controlling gate-voltage of the MOS. The pulse period is about 27ns, therefore the pulse frequency is about 37MHz. The threshold voltage of PN diode is about 0.8V. The capacitance of new stack type capacitor is about 4pF. The output voltage of the new high-voltage generator is about 7.9V and its current capacity is about $488{\mu}$A.

• ETRI Journal
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• 제35권4호
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• pp.594-602
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• 2013

This paper proposes printed organic one-time programmable read-only memory (PROM). The organic PROM cell consists of a capacitor and an organic p-type metal-oxide semiconductor (PMOS) transistor. Initially, all organic PROM cells with unbroken capacitors store "0." Some organic PROM cells are programmed to "1" by electrically breaking each capacitor with a high voltage. After the capacitor breaking, the current flowing through the PROM cell significantly increases. The memory data is read out by sensing the current in the PROM cell. 16-bit organic PROM cell arrays are fabricated with the printed organic PMOS transistor and capacitor process. The organic PROM cells are programmed with -50 V, and they are read out with -20 V. The area of the 16-bit organic PROM array is 70.6 $mm^2$.

• 미생물학회지
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• 제32권4호
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• pp.280-284
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• 1994

공생 아메바에서 리소솜과 공생낭 간에 융합이 저해되는 이유로서는 먼저 이들 공생낭의 막에 어떤 특별한 인자가 존재하여 융합을 저해하거나 또는 융합 과정에 필수적인 어떤 요소가 이들 공생막에는 부족하여 융합이 일어나지 않는다고 유추해 볼 수 있다. 단일 클론 항체를 추적물질로 사용하여 이들 인자나 구성요소를 알아내는 과정에서, lipopolysaccharides가 공생 박테리아에 의하여 생산되어 공생낭의 막에 삽입된다는 것을 확인하였으며 이들이 공생막상에서도 세포질 방향으로 노출되어 있다는 것을 알아내었다. 따라서 이들 lipopolysaccharides가 리소솜과 공생낭간의 융합 저해에 간여하는 가를 알아보기 위하여 이들에 대한 단일 크론 항체를 공생 아메자의 세포질에 미세주사하여 보았다. 주사된 아메바에서는 공생낭과 리소솜간의 융합이 일어나는 것으로 미루어 보아, 아마도 lipopolysaccharides는 융합저해 요소 중의 하나로 사료되어 진다.

• 대한음성학회지:말소리
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• 제60호
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• pp.165-180
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• 2006

In this paper, we present several confidence measures (CM) for speech recognition systems to evaluate the reliability of recognition results. We propose heuristic CMs such as mean log-likelihood score, N-best word log-likelihood ratio, likelihood sequence fluctuation and likelihood ratio testing(LRT)-based CMs using several types of anti-models. Furthermore, we propose new algorithms to add weighting terms on phone-level log-likelihood ratio to merge word-level log-likelihood ratios. These weighting terms are computed from the distance between acoustic models and knowledge-based phoneme classifications. LRT-based CMs show better performance than heuristic CMs excessively, and LRT-based CMs using phonetic information show that the relative reduction in equal error rate ranges between $8{\sim}13%$ compared to the baseline LRT-based CMs. We use the support vector machine to fuse several CMs and improve the performance of utterance verification. From our experiments, we know that selection of CMs with low correlation is more effective than CMs with high correlation.

• 한국산학기술학회논문지
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• 제13권11호
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• pp.5465-5470
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• 2012

FPGA(Field Programmable Gate Array) 디바이스는 회로의 개발 기간을 단축할 수 있으며, 낮은 비용으로 자체적인 회로를 구현할 수 있다는 장점이 있다. FPGA 중에서도 SRAM기술을 사용하는 FPGA는 게이트의 집적도가 높아 복잡한 회로의 구현이 가능하고, 구현한 회로를 동적으로 변경할 수 있는 특징이 있어, 최근 인공위성의 탑재컴퓨터에 그 사용빈도가 증가하고 있는 추세다. 그러나, SRAM 기반 FPGA는 우주 방사선 입자들에 의한 오류 현상인 단일사건오류에 취약하여, 우주에서 사용할 때에는 이를 검출하고, 정정할 수 있는 회로를 탑재해야 한다. 이 논문에서는 FPGA의 내부 모듈 중에서 SEU에 가장 취약한 재구성 메모리를 보호하는 제어기를 설계하였다. 제어기는 SEU에 강한 Anti-Fuse방식의 FPGA에 구현하였으며, 실제 회로 구현 후, 방사능 시험을 수행한 결과, 본 연구에서 제안한 재구성 메모리 보호 제어기를 기존의 TMR회로와 함께 사용하면, 보다 우수한 고장허용성을 갖는 것을 입증하였다.