• 제목/요약/키워드: AttPSM

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AttPSM을 사용하는 Metal Layer 리토그라피공정의 Overlay와 Side-lobe현상 방지 (Overlay And Side-lobe Suppression in AttPSM Lithography Process for An Metal Layer)

  • 이미영;이흥주
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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    • 한국전기전자재료학회 2002년도 하계학술대회 논문집
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    • pp.18-21
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    • 2002
  • As the mask design rules get smaller, the probability of the process failure becomes higher due to the narrow overlay margin between the contact and metal interconnect layers. To obtain the minimum process margin, a tabbing and cutting method is applied with the rule based optical proximity correction to the metal layer, so that the protection to bridge problems caused by the insufficient space margin between the metal layers can be accomplished. The side-lobe phenomenon from the attenuated phase shift mask with the tight design nile is analyzed through the aerial image simulation for test patterns with variation of the process parameters such as numerical aperture, transmission rate, and partial coherence. The corrected patterns are finally generated by the rules extracted from the side-lobe simulation.

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Scattering Bar를 이용한 AttPSM Lithography 공정에서의 OPC (OPC Technique in The AttPSM Lithography Process Using Scattering Bars)

  • 이미영;이홍주
    • 한국산학기술학회:학술대회논문집
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    • 한국산학기술학회 2002년도 추계학술발표논문집
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    • pp.201-204
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    • 2002
  • Overlay margin 확보를 위한 oversizing과, design rule checking, jog filtering를 통하여 side-lobe를 추출하였다. 이렇게 추출한 side-lobe를 extent하고, Cr pattern을 정의하여 side-lobe 현상을 해결할 수 있었다. 하지만 이 방법은 mask제조 공정이 복잡하므로 Cr shield방식의 단점인 복잡한 mask제작공정과 구조를 단순화하기 위하여 scattering bar를 이용하였다. 따라서, scattering bar를 삽입하기 위한 rule을 생성하여 metal layer에 적용하고 aerial image simulation을 통해 side-lobe 현상이 억제되었음을 확인하였다. 그리고 앞에서와는 반대로 background clear의 경우에 발생하는 side-lobe에 scattering bar를 적용하여 억제됨을 확인하였다.

Correction Simulation for Metal Patterns on Attenuated Phase-shifting Lithography

  • Lee, Hoong-Joo;Lee, Jun-Ha
    • Transactions on Electrical and Electronic Materials
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    • 제5권3호
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    • pp.104-108
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    • 2004
  • Problems of overlap errors and side-lobe printing by the design rule reduction in the lithography process using attenuated phase-shifting masks(attPSM) have been serious. Overlap errors and side-lobes can be simultaneously solved by the rule-based correction using scattering bars with the rules extracted from test patterns. Process parameters affecting the attPSM lithography simulation have been determined by the fitting method to the process data. Overlap errors have been solved applying the correction rules to the metal patterns overlapped with contact/via. Moreover, the optimal insertion rule of the scattering bars has made it possible to suppress the side-lobes and to get additional pattern fidelity at the same time.

정부 R&D지원이 기업의 성과에 미치는 효과 분석: 동남권 지역산업진흥사업을 중심으로 (The Effects of Government-sponsored R&D on the Participating Firms' Performance)

  • 윤윤규;고영우
    • 기술혁신연구
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    • 제19권1호
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    • pp.29-53
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    • 2011
  • 본 논문은 동남권역(부산, 울산, 경남) 제조업의 기업패널데이터(2000~06)를 사용하여 "4+9 시 도 지역산업진흥사업" 가운데 정부의 기술개발과제 지원이 참여기업의 고용 및 경영 성과에 미치는 효과를 분석한다. 기술개발과제 참여의 순효과(ATT)를 선택편의없이 추정하기 위해 성향점수짝짓기(PSM) 방법을 적용한다. 추정결과에 따르면, 동남권 지역 산업진흥사업의 기술개발과제는 과제유형별로 정도의 차이는 있지만 과제종료 이후 수년에 걸쳐 참여기업의 고용과 R&D에 대체로 유의미한 정(+)의 효과를 미치는 것으로 나타났다.

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0.18${\mu}{\textrm}{m}$이하 metal layer 사진공정에서의 overlay 보정 (Overlay correction in sub-0.18${\mu}{\textrm}{m}$ metal layer photolithography process)

  • 이미영;이홍주
    • 한국산학기술학회:학술대회논문집
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    • 한국산학기술학회 2002년도 춘계학술발표논문집
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    • pp.106-108
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    • 2002
  • 반도체 physical layout design rule이 작아짐에 따라 Proximity effect와 overlay가 Pattern 구현에 크게 영향을 미치고 있다. Metal layer와 contact의 부족한 overlay margin으로 overlay 불량이 발생하고, 감소한 space margin으로 인해 bridge와 같은 문제가 나타난다. 따라서, resolution을 향상시키고, 최소한의 overlay margin을 확보함으로써 미세 pattern의 구현을 가능하게 한다. 이를 위해 OPC와 attPSM 같은 분해능향상기술이 사용된다. 그러나 attPSM의 사용은 원하지 않는 pattern이 생성되는 sidelobe와 같은 문제가 발생한다. 따라서 serial image simulation올 통해 추출한 rule을 rule-based correction에 적용하여 sidelobe현상을 방지한다. 그리고 overlay margin 부족으로 나타나는 문제는 metal layer와 contact overlap되는 영역의 line edge를 확장하고, rule checking을 통해 최소한의 space margin을 확보하여 해결한다 따라서 overlay error를 rule-based correction을 사용하여 효과적으로 방지한다.

AttPSM metal layer 리토그라피공정의 side-lobe억제를 위한 Rule-based OPC (Rule-based OPC for Side-lobe Suppression in The AttPSM Metal Layer Lithography Process)

  • 이미영;이홍주;성영섭;김훈
    • 대한전자공학회:학술대회논문집
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    • 대한전자공학회 2002년도 하계종합학술대회 논문집(2)
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    • pp.209-212
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    • 2002
  • As the mask design rules get smaller, the probability of the process failure becomes higher doc to the narrow overlay margin between the contact and metal interconnect layers. To obtain the minimum process margin, a tabbing and cutting method Is applied with the rule based optical\ulcorner proximity correction to the metal layer, so that the protection to bridge problems caused by the insufficient space margin between the metal layers can be accomplished. The side-lobe phenomenon from the attenuated phase shift mask with the tight design rule is analyzed through the aerial image simulation for test patterns with variation of the process parameters such as numerical aperture, transmission rate, and partial coherence. The corrected patterns are finally generated by the rules extracted from the side-lobe simulation.

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감쇄위상변위마스크를 사용하는 메탈레이어 리토그라피공정의 오버레이 보정

  • 이우희;이준하;이흥주
    • 한국반도체및디스플레이장비학회:학술대회논문집
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    • 한국반도체및디스플레이장비학회 2004년도 춘계학술대회 발표 논문집
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    • pp.159-162
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    • 2004
  • Problems of overlap errors and sidelobe printing by the design rule reduction in the lithography process using attenuated phase-shifting masks(attPSM) have been serious. Overlap errors and sidelobes can be simultaneously solved by the rule-based correction using scattering bars with the rules extracted from test patterns. Process parameters affecting the attPSM lithography simulation have been determined by the fitting method to the process data. Overlap errors have been solved applying the correction rules to the metal patterns overlapped with contact/via. Moreover, the optimal insertion rule of the scattering bars has made it possible to suppress the sidelobes and to get additional pattern fidelity at the same time.

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Enhancement of Pattern Fidelity for Metal Layer in Attenuated PSM Lithography by OPC

  • Lee Hoong Joo;Lee Jun Ha
    • 대한전자공학회:학술대회논문집
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    • 대한전자공학회 2004년도 학술대회지
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    • pp.784-786
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    • 2004
  • Overlap errors and side-lobes can be simultaneously solved by the rule-based correction using scattering bars with the rules extracted from test patterns. Process parameters affecting the attPSM lithography simulation have been determined by the fitting method to the process data. Overlap errors have been solved applying the correction rules to the metal patterns overlapped with contact/via. Moreover, the optimal insertion rule of the scattering bars has made it possible to suppress the side-lobes and to get additional pattern fidelity at the same time.

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Metal과 Contact Layer Patterning을 위한 규칙기반 OPC 및 ORC Approach (Rule-based OPC and ORC Approach for Metal and Contact Layer Patterning)

  • 이미영;이우희;이준하;이흥주
    • 한국산학기술학회:학술대회논문집
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    • 한국산학기술학회 2003년도 춘계학술발표논문집
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    • pp.239-242
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    • 2003
  • Scale down으로 인해 부족해진 overlay margin을 통해 충분히 확보해주고, 이와 동시에 attPSM(attenuated phase shift)의 사용으로 발생하는 side-lobe 현상을 억제하기 위한 방법으로 rule-based OPC(optical proximity correction)룰 사용하여 side-lobe만을 효과적으로 추출한 후, 그 자리에 scattering bar를 삽입하였다. 그리고 ORC(optical rule checking)를 통해 original layout과 aerial image의 EPEs(edge placement errors)를 검사하여 검증에 걸리는 시간을 감소시켰다.

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정규직-비정규직 간 훈련격차와 임금효과 (On-the-job Training Gap between regular and non-regular Workers and Wage Effects)

  • 오호영
    • 노동경제논집
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    • 제43권3호
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    • pp.33-61
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    • 2020
  • 본 연구에서는 기업주도 재직자 훈련(On-the-Job Training: OJT)에서 정규직과 비정규직 근로자 간 훈련격차와 직업훈련의 임금효과를 비교분석하였다. 이를 위하여 OECD의 주관하에 조사된 국제성인역량조사(Programme for the International Assessment of Adult Competencies: PIAAC) 원자료에 내생성을 통제하기 위하여 비모수추정법인 성향점수매칭법(Propensity Score Matching: PSM)을 적용하였다. 비정규직을 처치집단으로 정규직을 대조집단으로 하여 훈련참여 및 훈련의 임금효과를 각각 추정한 결과 비정규직은 정규직에 비해 불리한 훈련기회에 직면하였고 훈련의 임금효과는 정규직에서는 유의하지 않았으나 비정규직에서는 훈련이 임금에 유의한 정의 효과를 보였다. 이러한 분석결과는 비정규직의 저숙련 함정 극복을 위한 정부개입의 근거를 제공하며 비정규직에 대한 훈련기회 확대가 미취업과 정규직을 잇는 가교로써 비정규직이 기능할 가능성을 보여준다.

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