• 한국표면공학회지
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• 제45권3호
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• pp.123-129
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• 2012

Nanocrystalline CrN coatings were fabricated by DC and ICP (inductively coupled plasma) assisted magnetron sputtering techniques. The effect of ICP power, ranging from 0 to 500 W, on coating microstructure, preferred orientation mechanical properties were systematically investigated with HR-XRD, SEM, AFM and nanoindentation. The results show that ICP power has an significant influence on coating microstructure and mechanical properties of CrN coatings. With the increasing of ICP power, coating microstructure evolves from the columnar structure of DC process to a highly dense one. Grain size of CrN coatings were decreased from 11.7 nm to 6.6 nm with increase of ICP power. The maximum nanohardness of 23.0 GPa was obtained for the coatings deposited at ICP power of 500 W. Preferred orientation in CrN coatings also vary with ICP power, exerting an effective influence on film nanohardness.

• 분석과학
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• 제20권3호
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• pp.251-254
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• 2007

수용액 내에서 환원제인 sulfurous acid와 휘발성이 강한 Os(III)을 반응시킨 후 생성된 비휘발성 Os(IV)을 inductively coupled plasma atomic emission spectrometry (ICP-AES)로 분석하였다. pH 2-10의 수용액에서 sulfurous acid와 Os(VIII)의 정량적 반응에 의하여 생성된 Os(VI)을 ICP-AES로 분석하였다. 동축형 분무기(concentric type nebulizer)에 의한 시료 도입 방법에서 sulfurous acid와 osmium은 반응 직후부터 안정한 신호를 나타내었으며 다양한 ICP-AES 조건에서 3회 반복 측정했을 때 재현성은 0.5-4.5%였으며, 검출 한계는 2.5-57.7 ng/g이었다.

• 콘크리트학회논문집
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• 제24권1호
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• pp.71-78
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• 2012

이 논문에서는 기존 PHC말뚝의 전단성능을 향상시키기 위하여 전단철근과 내부충전 콘크리트로 보강한 ICP 말뚝을 제안하였다. 허용응력 설계법을 바탕으로 전단철근 및 내부충전 콘크리트를 설계하였으며, 이를 바탕으로 2종류의 시험체를 제작하여 KS규격에 따라 전단시험을 수행하였다. 전단시험 결과, KS규격에 의거한 시험방법으로는 전단파괴를 얻을 수 없었으나, 제안된 방법에 의한 전단보강효과는 충분히 검증할 수 있었다. ICP말뚝 시험체의 전단 저항력은 기존 PHC말뚝에 비하여 평균 2배 이상으로 증진되는 것으로 나타났다. 또한 축방향 철근을 추가 보강한 ICP말뚝 시험체의 전단 저항력은 기존 PHC말뚝에 비하여 평균 2.5배 이상 증진되었다. 한편 허용응력설계법에 따라 결정된 ICP 말뚝의 허용 전단력에 비하여 시험으로 측정된 전단강도는 약 2.9 이상의 안전율을 갖는 것으로 나타났다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2000년도 제18회 학술발표회 논문개요집
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• pp.98-98
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• 2000

초고집적(ULSI) 반도체 소자의 multilevel metalization을 위한 중간 유저네로서 저 유전상수(k<)와 높은 열적안정성(>45$0^{\circ}C$)을 갖는 새로운 물질을 도입하는 것이 필요하다. 중합체 박막은 낮은 유전상수와 높은 열적 안정성으로 인하여 low-k 물질로 적당하다고 여겨진다. PECVD에 의한 plasma polymer 박막의 증착은 많이 보고되어 왔으마 고밀도 플라즈마 형성이 가능하고 기판으로 유입되는 ion의 energy 조절이 가능한 inductively coupled plasma(ICP) CVD에 의한 plasma polymer 박막에 대한 연구는 보고된 바 없다. 본 연구에서는 Mtehyl-cyclohexane precusor를 사용하여 substrate에 bias를 주면서 inductively coupled plasma(ICP)를 이용하여 플라즈마 폴리머 박막(plasma polymerized methyl-cyclohexane : 이하^g , pp MCH라 칭함)을 증착하였으며 ICP power와 substrate bias(SB) power가 증착된 박막의 특성에 어떠한 영향을 미치는지 알아보았다. 증착된 박막의 유전상 수 및 열적 안정성은 ICP power의 변화에 비해 SB power의 변화에 더 크게 영향을 받았다.^g , pp MCH 박막은 platinum(Pt) 기판과 silicon 기판위에서 같이 증착되었다. Methyl-cyclohexane precursor는 4$0^{\circ}C$로 유지된 bubbler에 담겨지고 carrier 가스 (H2:10%, He:90%)에 의해 reactor 내부로 유입된다.^g , pp MCH 박막은 증착압력 350 mTorr, 증착온도 6$0^{\circ}C$에서 \circled1SB power를 10W에 고정시키고 ICP power를 5W부터 70W까지, \circled2ICP power를 10W에 고정시키고 SB power를 5W부터 70W까지 변화하면서 증착하였다. 유전 상수 및 절연성은 Al/PPMCH//Pt 구조의 capacitor를 만들어서 측정하였으며, 열적 안정성은 Ar 분위기에서 30분간의 열처리 전후의 두께 변화를 측정함으로써 분석하였다. SB power 10W에서 ICP power가 5W에서 70w로 증가함에 따라 유전상수는 2.65에서 3.14로 증가하였다. 열적 안정성은 ICP power의 증가에 따라서는 크게 향상되지 않은 것으로 나타났다. ICP power 10W에서 SB power가 5W에서 70W로 증가함에 따라 유전상수는 2.63에서 3.46으로 증가하였다. 열적 안정성은 SB power의 증가에 따라 현저하게 향상되었으며 30W 이상에서 증착된 박막은 45$0^{\circ}C$까지 안정하였고, 70W에서 증착된 박막은 50$0^{\circ}C$까지 안정하였다. 열적 안정성은 ICP power의 증가에 따라서는 현저하게 향상되었다. 그 원인은 SB power의 인가에 의해 활성화된 precursor 분자들이 큰 에너지를 가지고 기판에 유입되어 치밀한 박막이 형성되었기 때문으로 사료된다.

• BMB Reports
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• 제50권5호
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• pp.275-280
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• 2017

Herpes simplex virus type 1 ICP27 is a multifunctional protein responsible for viral replication, late gene expression, and reactivation from latency. ICP27 interacts with various cellular proteins, including Daxx. However, the role of interaction between ICP27 and Daxx is largely unknown. Since Daxx is known to repress $NF-{\kappa}B$ activity, there is a possibility that ICP27 may influence the inhibitory effect of Daxx on $NF-{\kappa}B$ activity. In this study, we tested whether ICP27 affects the $NF-{\kappa}B$ activity through its interaction with Daxx. Interestingly, ICP27 enhanced the Daxx-mediated repression of $NF-{\kappa}B$ activity. In addition, we found that sumoylation of Daxx regulates its interaction with p65. ICP27 binds to Daxx, inhibits Daxx sumoylation, and enhances p65 deacetylation induced by Daxx. Consequently, ICP27 represses the $NF-{\kappa}B$ activity, by elevating the inhibitory effect of Daxx on $NF-{\kappa}B$ activity through desumoylation of Daxx.

• 정보처리학회논문지:소프트웨어 및 데이터공학
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• 제11권12호
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• pp.525-530
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• 2022

두 개의 점군(point cloud)을 정렬(alignment)하기 위해 현재까지 ICP(iterative closest point) 알고리즘이 널리 사용되고 있지만, ICP는 두 점군의 초기 방향이 크게 다를 경우 정렬에 실패하는 경우가 많다. 본 논문에서는 두 개의 삼각형 메쉬 A, B가 서로 크게 다른 초기 방향을 가질 때, 이들을 정렬하는 알고리즘을 제안한다. 메쉬 A, B에 대해 각각 가중치 무게중심(weighted centroid)을 구한 뒤, 무게중심으로부터 정점까지의 거리를 이용하여 메쉬 간에 서로 대응될 가능성이 있는 정점들을 특징점으로 설정한다. 설정된 특징점들이 대응될 수 있도록 메쉬 B를 회전한 뒤, A와 B의 정점들에 대해 RMSD(root mean square deviation)를 측정한다. RMSD가 기준치보다 작은 값을 가질 때까지 특징점을 변경하며 같은 과정을 되풀이하여 정렬된 결과를 얻는다. 실험을 통해 ICP 및 Go-ICP 알고리즘으로 정렬이 실패할 경우에도 제안된 알고리즘으로 정렬이 가능함을 보인다.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 2000년도 하계종합학술대회 논문집(2)
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• pp.298-301
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• 2000

We investigated the etch rate of SiO$_2$ in E-ICP, ICP system and the addition gas (O$_2$H$_2$) effect on SiO$_2$ etch characteristics. In all conditions, E-ICP shows higher etch rate than ICP. Small amount of O$_2$ addition increase F atom and O$\^$*/ concentration. at optimized condition (30％ O$_2$ in CF$_4$, 70Hz) E-ICP system shows highest etch rate (about 6000${\AA}$). H$_2$addition in CF$_4$ Plasma make abrupt decrease Si etch rate and moderate decrease SiO$_2$ etch rate.

• 제어로봇시스템학회논문지
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• 제20권11호
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• pp.1170-1174
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• 2014

This paper suggests using the ICP (Iterative Closet Point) algorithm to compensate a two-dimensional map. ICP algorithm is a typical algorithm method using matching distance data. When building a two-dimensional map, using data through the value of a laser scanner, it occurred warping and distortion of a two-dimensional map because of the difference of distance from the value of the sensor. It uses the ICP algorithm in order to reduce any error of line. It validated the proposed method through experiment involving matching a two-dimensional map based reference data and measured the two-dimensional map.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제14권2호
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• pp.158-162
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• 2001

In this report, a new process for patterning of YBaCuO thin films, ICP(inductively coupled plasma) method, is described by comparing with existing wet etching method. Two 100㎛ wide and 2mm long YBaCuO striplines on LaAlO$_3$ substrates have been fabricated using two patterning techniques. And the properties were compared with the critical temperature and the SEM photography. Then, the critical temperatures of two samples were about 88 K, but the cross section of sample using ICP method was shaper than that using the wet etching method. ICP method can be used as a good etching technique process for patterning of YBaCuO superconductor.

• 한국표면공학회지
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• 제41권6호
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• pp.279-286
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• 2008

Numerical analysis is done to investigate which would be the most influencing process parameter in determining the uniformity of deposition thickness in TiN ICP-CVD(inductively coupled plasma chemical vapor deposition). Two configurations of ICP antenna are modeled; side and top planar. Side and top gas inlets are considered with each ICP antenna geometries. Precursor for TiN deposition was TDMAT(Tetrakis Diethyl Methyl Amido Titanium). Two step volume dissociation of TDMAT is used and absorption, desorption and deposition surface reactions are included. Most influencing factors are H and N concentration dissociated by electron impact collisions in plasma volume which depends on the relative positions of gas inlet and ICP antenna generated hot plasma region. Low surface recombination of N shows hollow type concentration, but H gives a bell type distribution. Film thickness at substrate edges is sensitive to gas flow rate and at high pressures getting more dependent on flow characteristics.