• 한국인터넷방송통신학회논문지
• /
• 제10권6호
• /
• pp.235-241
• /
• 2010

정전기 발생에서 가장 직접적이고 주요인자는 주변 습도 상태이다. 대부분의 정전기 발생은 마찰에 의해 발생되는 마찰전기이며, 공기 중에 포함된 수분의 양에 따라 물체 주위에 하나의 얇은 전도 층을 형성하게 되어 발생하는 정전기 충전 전압을 물체 표면 전체에 흩어지게 하는 함수 역할을 하게 된다. 정전기 방전 현상은 순간적인 전압상승을 야기하며 경우에 따라서는 아주 치명적인 손상을 입히게 된다. 무기체계의 조립, 취급, 수송, 저장의 과정에서 쉽게 나타날 수 있는 정전기 방전 현상을 미연에 방지하기 위한 방법을 설계 하고 분석 한다. 이러한 방법은 각종 무기체계 개발 관련자들의 정전기 방전 보호를 위한 설계 지침을 제시하며, 정전기에 대한 대책을 수립할 수 있도록 규정과 지원을 해 줄 수 있다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
• /
• 대한전기학회 1988년도 전기.전자공학 학술대회 논문집
• /
• pp.161-164
• /
• 1988

The purpose of this paper is to propose a simple firmware realization of PCM framing system, which exploits LSI memories for performance improvement and hardware simplification. The proposed system simply consists of a tapped delay line for simultaneous observation of in framing-bits and ROM programmed sequence controller for framing process. Perpormance analyses are made in terms of misframe interval, sync-loss-detection time and reframe time. The proposed strategy proved to be significantly better in reframe time, stability and hardware implementation.

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
• /
• 제16권5호
• /
• pp.657-663
• /
• 2016

In this work, a novel silicon (Si) based floating body synaptic transistor (SFST) is studied to mimic the transition from short-term memory to long-term one in the biological system. The structure of the proposed SFST is based on an n-type metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (MOSFET) with floating body and charge storage layer which provide the functions of short- and long-term memories, respectively. It has very similar characteristics with those of the biological memory system in the sense that the transition between short- and long-term memories is performed by the repetitive learning. Spike timing-dependent plasticity (STDP) characteristics are closely investigated for the SFST device. It has been found from the simulation results that the connectivity between pre- and post-synaptic neurons has strong dependence on the relative spike timing among electrical signals. In addition, the neuromorphic system having direct connection between the SFST devices and neuron circuits are designed.