• 제목/요약/키워드: MoOx

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한 개 산소 가교 이핵몰리브덴 (V) 착물 (제4보) (Monooxo-bridged Binuclear Molybdenum (V) Complexes (IV))

  • 오상오;이종달
    • 대한화학회지
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    • 제26권2호
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    • pp.81-87
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    • 1982
  • 한 개 산소 가교 이핵몰리브덴 (V) 착물, $Mo_2O_3(NCS)_4(Bipy)_2\;(Bipy = bipyridine),\;Mo_2O_3(NCS)_4(Phen)_2$ (Phen = 1,10-phenanthroline), 및 $Mo_2O_3(NCS)_4(Ox)_2(OxH)_2 $(Ox = oxinato and OxH = oxine)이 합성되었다. 그들의 전자 및 적외선 스펙트라, 전기 전도도, 그리고 자화율을 측정하였다. 그 결과 이들 착물은 모두 전기적으로 중성이며 약 0.5BM 정도의 자기 모멘트를 가진 이량체였다. 그리고 oxine 착물, $Mo_2O_3(NCS)_2(Ox)_2(OxH)_2$에서 oxine은 일부는 한 자리 리간드로, 일부는 두 자리 리간드로 결합하고 있는 듯 하다.

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All Carrier Ohmic-Contacts을 이용한 유기 발광 다이오드의 성능 향상 연구

  • 박진우;임종태;염근영
    • 한국진공학회:학술대회논문집
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    • 한국진공학회 2012년도 제42회 동계 정기 학술대회 초록집
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    • pp.168-168
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    • 2012
  • 본 연구에서는 Molybdenum oxide (MoOx)-doped 4,4',4"-tris[2-naphthyl(amino)] triphenylamine(2-TNATA)의 P-doping에 의한 hole ohmic contact과 fullerene (C60)/lithium (LiF)의 electron ohmic contact에 의한 All Ohmic contact를 이용한 유기 발광 다이오드 (OLEDs)의 광저항 특성의 향상을 설명한다. 이 소자의 성능은 MoOx-doped 2-TNATA의 두께와 도핑농도에 큰 영향을 받는다. glass/ITO/MoOx-doped 2-TNATA (100 nm)/Al 구조의 소자에서 MoOx-doped 2-TNATA 도핑 농도가 25%에서 75%로 증가할수록 hole only device의 hole ohmic 특성이 향상됐다. 그 이유는 p-type doping effect 때문이다. 또한 photoemission spectra 분석결과, p-type doping effect는 hole-injecting barrier 높이는 낮추고, hole conductivity는 향상되었다. 이것은 2-TNATA에 도핑된 MoOx의 전하전송 콤플렉스의 형성으로 hole carrier의 수가 증가하여 발생되었다. MoOx-doped 2-TNATA의 hole ohmic contact과 fullerene (C60)/lithium fluoride (LiF)의 electron ohmic contact 으로 구성된 glass/ITO/MoOx-doped 2-TNATA (75%, 60 nm)/NPB (10 nm)/Alq3 (35 nm)/C60 (5 nm)/LiF (1 nm)/Al (150 nm)의 소자구조는 6,4V에서 127,600 cd/m2 최대 휘도와 약 1,000 cd/m2에서 4.7 lm/W의 높은 전력 효율을 보여준다.

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한개의 산소다리를 가진 몰리브덴(V) 착물의 산소고리화 반응 (제 3 보). 2 성분 혼합용매에서 용매물과 $[Mo_2O_3(Ox)_2(OxH)_2(NCS)_2]$의 반응 (Oxygen Ring Formation Reaction of Mono-Oxo Bridged Binudear Molybdenum (Ⅴ) Complex (Ⅲ). Reaction of $[Mo_2O_3(Ox)_2(OxH)_2(NCS)_2]$ with solvent Water in Binary Aqueous Mixtures)

  • 오상오;석휘영
    • 대한화학회지
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    • 제32권6호
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    • pp.528-535
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    • 1988
  • 이성분 혼합용매 속에서 $[Mo_2O_3(Ox)_2(OxH)_2(NCS)_2]$의 산소고리화 반응에 대한 속도론적 연구는 분광광도법으로 수행되었다. 이 때 온도는 $20^{\circ}C$ 에서 $40^{\circ}C$, 압력은 1bar에서 1500 bar로 변화시켰다. 관찰된 속도 상수는 수소이온 농도의 증가에 따라 증가하고 티오시안이온 농도의 증가에 따라서는 감소한다. 공용매의 유전상수가 증가할수록 더욱 안정한 중간체가 형성된다. 관찰된 속도상수는 $k_{obs}^{-1} = k^{-1} (1 + K^{-1}[H_2O]^{-1})로 주어진다. 모든 활성화파라미터는 양의 값이다. [Mo_2O_3(Ox)_2(OxH)_2(NCS)_2]$의 산소고리화 반응은 Id 메카니즘에 의해 진행된다.

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원자층 증착법으로 증착된 MoOx를 적용한 전하 선택 접합의 이종 접합 태양전지 (Heterojunction Solar Cell with Carrier Selective Contact Using MoOx Deposited by Atomic Layer Deposition)

  • 정민지;조영준;이선화;이준신;임경진;서정호;장효식
    • 한국재료학회지
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    • 제29권5호
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    • pp.322-327
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    • 2019
  • Hole carrier selective MoOx film is obtained by atomic layer deposition(ALD) using molybdenum hexacarbonyl[$Mo(CO)_6$] as precursor and ozone($O_3$) oxidant. The growth rate is about 0.036 nm/cycle at 200 g/Nm of ozone concentration and the thickness of interfacial oxide is about 2 nm. The measured band gap and work function of the MoOx film grown by ALD are 3.25 eV and 8 eV, respectively. X-ray photoelectron spectroscopy(XPS) result shows that the $Mo^{6+}$ state is dominant in the MoOx thin film. In the case of ALD-MoOx grown on Si wafer, the ozone concentration does not affect the passivation performance in the as-deposited state. But, the implied open-circuit voltage increases from $576^{\circ}C$ to $620^{\circ}C$ at 250 g/Nm after post-deposition annealing at $350^{\circ}C$ in a forming gas ambient. Instead of using a p-type amorphous silicon layer, high work function MoOx films as hole selective contact are applied for heterojunction silicon solar cells and the best efficiency yet recorded (21 %) is obtained.

MoOx 기반 실리콘 이종접합 고성능 광검출기 (MoOx/Si Heterojunction for High-Performing Photodetector)

  • 박왕희;김준동
    • 한국전기전자재료학회논문지
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    • 제29권11호
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    • pp.720-724
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    • 2016
  • Transparent n-type metal-oxide semiconductor of $MoO_x$ was applied on a p-type Si substrate for high-performing heterojunction photodetector. The formation of $MoO_x$ on Si spontaneously established a rectifying current flow with a high rectification ratio of 1,252.3%. Under light illumination condition, n-type $MoO_x$/p-type Si heterojunction device provided significantly fast responses (rise time : 61.28 ms, fall time : 66.26 ms). This transparent metal-oxide layer ($MoO_x$) would provide a functional route for various photoelectric devices, including photodetectors and solar cells.

Aerobic Degradation of Tetrachloroethylene(PCE) by Pseudomonas stutzeri OX1

  • Ryoo, Doohyun;Shim, Hojae;Barbieri, Paola;Wood, Thomas K.
    • 한국지하수토양환경학회:학술대회논문집
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    • 한국지하수토양환경학회 2000년도 추계학술대회
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    • pp.207-208
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    • 2000
  • Since trichloroethylene (TCE), dichloroethylene (DCE), and vinyl chloride (VC) arise from anaerobic degradation of tetrachloroethylene (PCE) and TCE, there is interest in creating aerobic remediation systems that avoid the highly toxic VC and cis-DCE which predonominate in anaerobic degradation. However, it seemed TCE could not be degraded aerobically without an inducing compound (which also competitively inhibits TCE degradation). It has been shown that TCE induces expression of both the toluene dioxygenase of p. putida F1 as well as toluene-p-monooxygenase of P.mendocina KRI. We investigated here the ability of PCE, TCE, and chlorinated phenols to induce toluene-o-xylene monooxygenase (ToMO) from P.stutzeri OX1. ToMO has a relaxed regio-specificity since it hydroxylates toluene in the ortho, meta, and para positions; it also has a broad substrate range as it oxidizes o-xylene, m-xylene, p-xylene, toluene, benzene, ethylbenzene, styrene, and naphthalene; chlorinated compounds including TCE, 1, 1-DCE, cis-DCE, trans-DCE, VC, and chloroform : as well as mixtures of chlorinated aliphatics (Pseudomonas 1999 Maui Meeting). ToMO is a multicomponent enzyme with greatest similarity to the aromatic monooxygenases of Burkholderia pickettii PKO1 and P.mendocina KR1. Using P.sturzeri OX1, it was found that PCE induces P.mendocina KR1 Using P.situtzeri OX1, it was found that PCE induces ToMO activity measured as naphthalene oxygenase activity 2.5-fold, TCE induces 2.3-fold, and toluene induces 3.0 fold. With the mutant P.stutzeri M1 which does not express ToMO, it was also found there was no naphthalene oxygenate activity induced by PCE and TCE; hence, PCE and TCE induce the tow path. Using P.putida PaW340(pPP4062, pFP3028) which has the tow promoter fused to the reporter catechol-2, 3-dioxygenase and the regulator gene touR, it was determined that the tow promoter was induced 5.7-, 7.1-, and 5.2-fold for 2-, 3-, 4-chlorophenol, respectively (cf. 8.9-fold induction with o-cresol) : however, TCE and PCE did not directly induce the tou path. Gas chromatography and chloride ion analysis also showed that TCE induced ToMO expression in P.stutzeri OX1 and was degraded and mineralized. This is the first report of significant PCE induction of any enzyme as well as the first report of chlorinated compound induction of the tou operon. The results indicate TCE and chlorinated phenols can be degraded by P.stutzeri OX1 without a separate inducer of the tou pathway and without competitive inhibition.

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질소, 산소 주게원자 리간드를 가진 몰리브덴 (V) 착물의 전기화학적인 성질 (Electrochemical Properties of Molydenum (V) Complexes with Multidentate Ligands Containing Nitrogen or / and Oxygen Donor Atom)

  • 오상오;로수균
    • 대한화학회지
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    • 제33권5호
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    • pp.484-495
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    • 1989
  • 질소, 산소 주게원자를 가진 리간드(EDTA, DTPA, IDA, CyDTA, OX)와 몰리브덴(V) 착물$[Et_4N)_2[MoOCl_5]$을 반응시켜 이량체 몰리브덴(V)을 합성하였다. 합성한 몰리브덴(V) 착물은 원소분석, 적외선 스펙트럼, 양성자 자기 공명 스펙트럼, 전자흡수 스펙트럼에 의해 구조를 밝혔다. 전기화학적인 환원메카니즘을 추정하기 위하여 pH $3.571∼10.725$$CH_3COOH/NaOOCCH_3 Na_2B_4O_7/H_3BO_3,\;NaH_2PO_4/NaOH,\;NaH_2PO_4/Na_2HPO_4, \;NH_3/NH_4Cl$ 완충용액에서 순환전압전류법, 일정전위전기량법, 분광광도법을 이용하였다. Mo-EDTA, DTPA, IDA, CyDTA 착물의 순환전압전류그램에서는 pH가 낮을 때(약 6.00 이하) 두개의 환원파가 나타났으며 제 1환원파에 관련된 전자수는 두개이고 제 2환원파에 관련된 전자수도 두개이다. pH가 높을 때(약 8.00 이상)는 한개의 환원파가 나타났으며 관련된 전자수는 네개이었다. Mo-OX, 착물의 순환전압전류그램은 pH가 약 7.2 이하에서만 얻을 수 있었고 한개의 파가 나타났으며 관련된 전자수는 네개이다.

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산화 열처리법에 의해 제작된 산화 몰리브데늄 박막의 표면특성 고찰 (Surface characteristics of Molybdenum Oxide Films Prepared by Oxidation Thermal Treatment Method)

  • 김상곤;성열문
    • 조명전기설비학회논문지
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    • 제28권3호
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    • pp.57-62
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    • 2014
  • In this work, molybdenum oxide films were fabricated by heat-treatment method. Fundamental surface characteristics of molybdenum oxide films were investigated using XRD and Raman spectroscopy. From the results, the optimum MoOx films could be obtained under the conditions of thermal treatment temperature of $550^{\circ}C$, oxidation time of 30 minutes and oxygen flow rate of 250sccm. The thermal treatment method offers a simple and effective route for the synthesis of uniform $MoO_3$ films.

Improvement of source-drain contact properties of organic thin-film transistors by metal oxide and molybdenum double layer

  • Kim, Keon-Soo;Kim, Dong-Woo;Kim, Doo-Hyun;Kim, Hyung-Jin;Lee, Dong-Hyuck;Hong, Mun-Pyo
    • 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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    • 한국정보디스플레이학회 2008년도 International Meeting on Information Display
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    • pp.270-271
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    • 2008
  • The contact resistance between organic semiconductor and source-drain electrode in Bottom Contact Organic Thin-Film Transistors (BCOTFTs) can be effectively reduced by metal oxide/molybdenum double layer structure; metal oxide layers including nickel oxide (NiOx/Mo) and moly oxide(MoOx) under molybdenum work as a high performance carrier injection layer. Step profiles of source-drain electrode can be easily achieved by simultaneous etching of the double layers using the difference etching rate between metal oxides and metal layers.

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