$La_{0.5}Sr_{0.5}CoO_3$ (LSCO) electrodes were prepared on ferroelectric $Sr_{0.9}Bi_{2.1}Ta_2O_9$(SBT) thin films by spin coating method using photosensitive sol-gel solution. Self-patterning technique of photosensitive sol-gel solution has advantages such as simple manufacturing process compared to photoresist/dry etching process. Lanthanum(III) 2-methoxyethoxide, Stronitium diethoxide. Cobalu(II)2-methoxyethoxide were used as starting materials for LSCO electrode. UV irradiation on LSCO thin films lead to decrease solubility by M-O-M bond formation and the solubility difference allows us to obtain self-patternine. There was little composition change of the LSCO thin films between before leaching and after leaching in 2-methoxyethanol. The lowest resistivity of LSCO thin films deposited on $SiO_2$/Si substrate was $1.1{\times}10^{-2}{\Omega}cm$ when the thin film was ennealed at $740^{\circ}C$. The values of Pr/Ps and 2Pr of LSCO/SBT/Pt capacitor on the applied voltage of 5V were 0.51, 8.89 ${\mu}C/cm^2$, respectively.
A BCl$_3$/Ne plasma chemistry was used to etch Ga-based (GaAs, AIGaAs, GaSb) and In-based (InGaP, InP, InAs and InGaAsP) compound semiconductors in a Planar Inductively Coupled Plasma (ICP) reactor. The addition of the Ne instead of Ar can minimize electrical and optical damage during dry etching of III-V semiconductors due to its light mass compared to that of Ar All of the materials exhibited a maximum etch rate at BCl$_3$ to Ne ratios of 0.25-0.5. Under all conditions, the Ga-based materials etched at significantly higher rates than the In-based materials, due to relatively high volatilities of their trichloride etch products (boiling point CaCl$_3$ : 201 $^{\circ}C$, AsCl$_3$ : 130 $^{\circ}C$, PCl$_3$: 76 $^{\circ}C$) compared to InCl$_3$ (boiling point : 600 $^{\circ}C$). We obtained low root-mean-square(RMS) roughness of the etched sulfate of both AIGaAs and GaAs, which is quite comparable to the unetched control samples. Excellent etch anisotropy ( > 85$^{\circ}$) of the GaAs and AIGaAs in our PICP BCl$_3$/Ne etching relies on some degree of sidewall passivation by redeposition of etch products and photoresist from the mask. However, the surfaces of In-based materials are somewhat degraded during the BCl$_3$/Ne etching due to the low volatility of InCl$_{x}$./.
시클로부탄-1,2,3,4-테트라카복실산 이무수물, 2-(메타크릴로일옥시)에틸-3,5-디아미노벤조에이트 및 1,3-비스(3-아미노프로필)-1,1,3,3-테트라메틸디실록산을 N-메틸-2-피롤리돈 하에서 용액 중합 반응시켜 알칼리 수용액에서 현상이 가능할 뿐만 아니라 가시광선 영역에서 우수한 광투과성을 보이는 신규 감광성 폴리이미드 전구체인 폴리암산 (PAA-0)을 제조하였다. 광개시제의 존재 하에서 노광 후 열경화된 폴리이미드 박막은 2.38 wt%의 테트라메틸암모니움 히드록사이드 수용액에 용해되지 않는 특성을 보였으며, 이를 이용하여 광에 의한 미세 화상 형성 연구를 수행하였다. 폴리이미드 전구체 박막의 광반응에 적합한 광개시제는 2, 2-디메톡시-2-페닐아세토페논임을 알 수 있었고, 최적 광량은 400∼600 mJ/$\textrm{cm}^2$의 범위에 있음이 확인되었다. 감광성 폴리이미드 전구체는 25$0^{\circ}C$의 온도에서 50분간 열경화시킴으로써 투명한 폴리이미드 박막으로 전환이 되었으며, 유기용제를 비롯한 포토레지스트 제거제에 대한 우수한 내용제성 및 가시광선영역에서의 우수한 광투과 특성을 나타내었다.
OLED 소자는 유리기판과 공기 층의 경계면에서 발생하는 전반사와 ITO-유기층으로 형성되는 광도파로를 따라 진행하는 도파모드 결합으로 인해 내부에서 생성된 빛의 80% 이상이 외부로 추출되지 못하게 된다. 본 연구에서는 마이크로 렌즈 어레이와 회절격자 레지스트 층을 이용하여 소자 내부에서 손실되는 빛을 외부로 추출시킴으로써 OLED의 발광효율을 향상시킨다. 마이크로 렌즈 어레이를 이용하여 유리기판-공기 전반사로 인해 내부에 갇히는 빛을 외부로 출력시키고, ITO 와 유기물 사이에 회절격자 레지스트 층을 삽입하여 ITO-유기층 광도파로에 갇힌 빛들을 수직방향으로 추출될 수 있도록 하였다. 제작된 OLED 소자에 전류밀도 $20mA/cm^2$를 인가한 경우, 마이크로 렌즈 어레이를 적용한 OLED에서 22%의 효율 개선을 얻었고, 회절격자 레지스트 층을 가지는 OLED 의 경우 41%의 효율개선을 얻을 수 있었다.
We studied BCl$_3$ dry etching of GaAs in a planar inductively coupled plasma system. The investigated process parameters were planar ICP source power, chamber pressure, RIE chuck power and gas flow rate. The ICP source power was varied from 0 to 500 W. Chamber pressure, RIE chuck power and gas flow rate were controlled from 5 to 15 mTorr, 0 to 150 W and 10 to 40 sccm, respectively. We found that a process condition at 20 sccm $BCl_3$ 300 W ICP, 100 W RIE and 7.5 mTorr chamber pressure gave an excellent etch result. The etched GaAs feature depicted extremely smooth surface (RMS roughness < 1 nm), vertical sidewall, relatively fast etch rate (> $3000\AA$/min) and good selectivity to a photoresist (> 3 : 1). XPS study indicated a very clean surface of the material after dry etching of GaAs. We also noticed that our planar ICP source was successfully ignited both with and without RIE chuck power, which was generally not the case with a typical cylindrical ICP source, where assistance of RIE chuck power was required for turning on a plasma and maintaining it. It demonstrated that the planar ICP source could be a very versatile tool for advanced dry etching of damage-sensitive compound semiconductors.
The result of stripping process for the removal of the post etch/ash Photoresist (PR) residue on an aluminum patterned wafer by using supercritical $CO_2$ ($sc-CO_2$) mixture, was investigated by scanning of electron microscope (SEM) inspection of wafer, measuring the cloud points and visual observation of the state of $sc-CO_2$ mixtures. It was found that $sc-CO_2$ mixtures were made by mixing additives and $sc-CO_2$ should form homogeneous and transparent phase (HTP) in order to effectively and uniformly remove the post etch/ash PR residue on the aluminum patterned wafer using them. The additives were formulated by mixing and co-solvents like an amine compound and fluorosurfactants used as HTP agents, and the PR residue on the wafer were able to be rapidly and effectively removed using the $sc-CO_2$ mixture of HTP. The five kinds of additives were formulated by the recipe of mixing co-solvents and surfactants, which were able to remove PR residue on the wafer by mixing with $sc-CO_2$ at the stripping temperature range from 40 to $80^{\circ}C$. The five kinds of $sc-CO_2$ mixtures which were named as PR removers were made, which were able to form HTP within the above described stripping temperature. The cloud points of $sc-CO_2$ mixtures were measured to find correlation between them and HTP.
In this paper, the effects of a nonionic surfactant on the etch uniformity and the etch profile during the wet-etching process of high-purity aluminum were investigated for the fabrication of uniform micropattern arrays. To improve the surface roughness of a high-purity aluminum plate, a mechanical lapping process and an electrolytic polishing process were used. After electrolytic polishing process, the surface roughness, Ra, of the high-purity aluminum plate was improved from $1.25{\mu}m$ to $0.02{\mu}m$. A photoresist was used as an etching mask during the aluminum etching process, where the mixture of phosphoric acid, acetic acid, nitric acid, a nonionic surfactant and water was used as the aluminum etchant. Different amounts of the Triton X-100 nonionic surfactant were added to the aluminum etchant to investigate the effect of a nonionic surfactant during the wet-etching process of high-purity aluminum. The etch rate and the etch profile were measured by an optical interferometer and a scanning electron microscope.
저가의 소자 개발이 가능한 나노임프린팅 공정을 도입하여 510 nm 주기의 브래그 격자 구조를 가지는 폴리머 광도파로 소자를 제작하였다. 폴리머 격자 광소자의 온도 의존성을 감소시키기 위한 방법으로 플라스틱 박막으로 이루어진 유연성 기판상에 브래그 격자를 제작하는 것이 필요하다. 임프린팅 공정을 손쉽게 수행하기 위한 광도파로 구조를 채택하였으며, 코아와 클래딩의 굴절률이 각각 1.540, 1.430인 폴리머를 이용하여 코아 두께가 $3{\mu}m$인 단일모드 광도파로 구조를 얻을 수 있었다. 유연성 기판 브래그 격자 광도파로 소자의 특성을 Si기판 브래그 격자 광도파로 소자와 비교하여 관측한 결과, 유연성 기판 도입에 따른 브래그 반사 소자의 성능 저하는 나타나지 않았다.
Self-patterning of thin films using photosensitive sol solution has advantages such as simple manufacturing process compared to photoresist/dry etching process. In this study, ferroelectric $Sr_{0.9}Bi_{2.1}Ta_2O_9$(SBT) and $La_{0.5}Sr_{0.5}CoO_3$(LSCO)thin films have been prepared by spin coating method using photosensitive sol solution. $Sr(OC_2H5)_2$, $Bi(TMHD)_3$ and $Ta(OC_2H)_5)_5$ were used as starting materials for SBT solution and $La(OCH_2CH_2OCH_3)_3$, $Sr(OC_2H_5)_2$, $CO(OCH_2CH_2OCH_3)_2$ were used for LSCO solution. Solubility difference by UV irradiation on LSCO thin film allows to obtain a fine patterning due to M-O-M bond formation. The lowest resistivity($4{\times}10^{-3}{\Omega}cm$) of LSCO thin films was obtained by annealing at $740^{\circ}C$.
국내 포토레지스트 스트리퍼의 연간 소요량은 약 1000억원 규모(50, 000톤)로 대부분 전량 수입에 의존하고 있으나, 폐스트리퍼에는 각종 불순물이 함유되어 있어, 소각 또는 낮은 수준으로 재활용되어 오는데 그치고 있다. 최근 경제적 측면과 효율성 측면에서 스트리퍼 폐액의 재활용 기술이 폭넓게 연구되고 있다. 본 논문에서는 스트리퍼 폐액의 재활용에 관한 특허 기술을 분석하였다. 분석범위는 2007 9월까지 미국, 유럽연합, 일본과 한국에서 출원 및 공개된 특허로 제한하였다. 특허들은 전체적으로 검색어를 사용하여 수집되었고, 기준 기술 이외의 것을 여과하였다. 특허기술의 경향은 년도와 국가별, 기업 및 관련기술 분야별로 분석되었다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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