• 공업화학
• /
• 제17권1호
• /
• pp.28-32
• /
• 2006

본 연구에서는 polydimethylsiloxane (PDMS)와 glass로 이루어진 마이크로채널의 너비와 깊이 및 외부전압에 따른 특성을 알아보기 위하여 각각의 마이크로채널에서의 유량 변화를 조사하였다. PDMS와 SU-8 감광제를 사용하는 soft lithographic method 기술을 사용하여 마이크로채널을 만들었다. 채널의 깊이 $50{\mu}m$와 $100{\mu}m$에 대하여, 채널의 너비를 $100{\mu}m$, $200{\mu}m$, $300{\mu}m$로 하여 제작하였으며, 각각의 마이크로채널에 0.3 kV, 0.35 kV, 0.4 kV 그리고 0.45 kV의 외부전압을 걸어 유량 변화를 측정하였다. 실험 결과, 동일한 너비를 갖는 마이크로채널에서는 외부전압이 증가함에 따라 유량이 증가하였다. 이는 외부전압이 증가함에 따라 전기장이 증가하기 때문이다. 동일한 외부전압에서 마이크로채널의 너비가 증가할수록 유량이 증가하는 경향이 나타났고, 이는 채널 너비의 증가가 내부의 저항을 감소시키는 효과를 가져온 것으로 사료된다. 또한, 동일하게 단면적을 두 배로 증가시켜 깊이와 너비의 영향을 조사한 결과, 저 전압에서는 깊이의 영향이 크게 나타났으며 고 전압에서는 너비의 영향이 크게 나타났다.

• 공업화학
• /
• 제24권6호
• /
• pp.593-598
• /
• 2013

본 연구에서는 ATR-FTIR (Attenuated Total Reflectance-Fourier Transfer Infrared)기법을 이용하여 PCB 회로형성에 사용하는 아크릴레이트 계열의 포토레지스트 드라이필름(Dry film)의 흡습 특성을 평가하였다. 또한 습도 변화에 따른 드라이필름의 파단면을 관찰하여 습도에 따라 고분자의 파단특성이 달라지는 것으로 확인하였으며, 정량적인 분석방법으로써 흡습에 따른 무게 변화 및 ATR-FTIR을 이용한 흡광도 변화를 통하여 확산계수를 계산하였다. 실험 결과 주변환경의 온도와 습도가 높아질수록 상온에서 취성과 연성의 중간 정도의 특성을 나타내던 드라이필름이 연성으로 전이되는 사실을 확인할 수 있었고, 온도와 습도가 낮을 경우엔 취성의 특성을 나타냄을 알 수 있었다. 이를 통해 PCB 회로형성 공정의 온 습도 환경 조건을 항상 일정하게 유지해야 일정한 품질을 유지할 수 있다는 사실을 알 수 있었다. 본 연구에서 사용된 흡습특성 평가법인 ATR-FTIR방법의 타당성을 확보하기 위해, 기존에 많이 사용하는 무게 변화법을 통한 고분자-물 확산계수와 ATR-FTIR을 이용한 값을 상호 비교하였다. ATR-FTIR을 이용한 방법은 무게변화법과 동일한 수준의 정확도를 가질 뿐만 아니라 흡습 및 탈습 과정에서 고분자 구조가 어떻게 변화하는지를 평가할 수 있어 가장 적합한 방법으로 판단된다.

• 한국재료학회지
• /
• 제19권3호
• /
• pp.132-136
• /
• 2009

This study investigates GaAs dry etching in capacitively coupled $BCl_3/N_2$ plasma at a low vacuum pressure (>100 mTorr). The applied etch process parameters were a RIE chuck power ranging from $100{\sim}200W$ on the electrodes and a $N_2$ composition ranging from $0{\sim}100%$ in $BCl_3/N_2$ plasma mixtures. After the etch process, the etch rates, RMS roughness and etch selectivity of the GaAs over a photoresist was investigated. Surface profilometry and field emission-scanning electron microscopy were used to analyze the etch characteristics of the GaAs substrate. It was found that the highest etch rate of GaAs was $0.4{\mu}m/min$ at a 20 % $N_2$ composition in $BCl_3/N_2$ (i.e., 16 sccm $BCl_3/4$ sccm $N_2$). It was also noted that the etch rate of GaAs was $0.22{\mu}m/min$ at 20 sccm $BCl_3$ (100 % $BCl_3$). Therefore, there was a clear catalytic effect of $N_2$ during the $BCl_3/N_2$ plasma etching process. The RMS roughness of GaAs after etching was very low (${\sim}3nm$) when the percentage of $N_2$ was 20 %. However, the surface roughness became rougher with higher percentages of $N_2$.

• 한국재료학회지
• /
• 제19권8호
• /
• pp.421-426
• /
• 2009

We report on the capacitively coupled O2 plasma etching of PMMA and polycarbonate (PC) with a diffusion pump. Plasma process variables were process pressure and CCP power at 5 sccm $O_2$ gas flow rate. Characterization was done in order to analyze etch rate, etch selectivity, surface roughness, and morphology using stylus surface profilometry and scanning electron microscopy. Self bias decreased with increase of process pressure in the range of 25$\sim$180 mTorr. We found an important result for optimum pressure for the highest etch rate of PMMA and PC, which was 60 mTorr. PMMA and PC had etch rates of 0.46 and 0.28 ${\mu}m$/min under pressure conditions, respectively. More specifically, etch rates of the materials increased when the pressure changed from 25 mTorr to 60 mTorr. However, they reduced when the pressure increased further after 60 mTorr. RMS roughnesses of the etched surfaces were in the range of 2.2$\sim$2.9 nm. Etch selectivity of PMMA to a photoresist was $\sim$1.5:1 and that of PC was $\sim$0.9:1. Etch rate constant was about 0.04 ${\mu}m$/minW and 0.02 ${\mu}m$/minW for PMMA and PC, respectively, with the CCP power change at 5 sccm $O_2$ and 40 mTorr process pressure. PC had more erosion on the etched sidewall than PMMA did. The OES data showed that the intensity of the oxygen atomic peak (777.196 nm) proportionally increased with the CCP power.

• 폴리머
• /
• 제38권5호
• /
• pp.640-644
• /
• 2014

평판 디스플레이 제조공정 중의 하나인 유리기판 위에 감광액을 도포하는 과정에 슬롯코팅 방법이 많이 쓰이고 있다. 도포공정에서는 균일한 코팅 두께를 얻는 것이 중요하며, 코팅의 균일성은 노즐방향과 운전방향의 균일성으로 나뉜다. 운전방향의 코팅 균일성은 코터의 운전조건에 영향을 받고, 노즐방향의 균일성은 다이 내부의 흐름의 균일성에 영향을 받게 된다. 이러한 영향 인자들로 인해 코팅두께가 불균일한 현상이 발생하는데, 코터 진행의 초기 구간에는 비정상상태 구간으로 운전방향과 노즐방향으로 코팅두께가 균일하지 않다. 본 연구에서는 이러한 현상이 나타나는 원인을 파악하기 위해 비정상상태와 정상상태를 구별하여 해석하고 이를 실험과 비교하였다. 그 결과 감광액이 다이 내부에서 균일한 압력분포에 도달하기까지 시간이 필요하고 이로 인해 코팅 초기구간에서 다이의 양가장자리 영역의 속도가 중앙 영역에 비해 속도가 낮게 나타났으며 코팅 두께도 얇게 나타났다. 그러나 정상상태에 도달한 후에는 가장자리 영역의 속도가 중앙 영역보다 높게 나타났고 코팅 두께 역시 두껍게 나타났다.

• 폴리머
• /
• 제31권2호
• /
• pp.148-152
• /
• 2007

콜레스테릭 액정모노머를 이용하여 액정표시장치용 선택반사 칼라필터 원형을 개발하였다. 콜레스테릭 액정은 특정한 기판처리 조건에서 나선(helical twist) 구조를 갖는 액정으로서 피치와 비슷한 크기의 입사 파장을 반사시키는 독특한 선택반사의 광특성을 갖는다. 실험결과 R, G, B의 파장영역을 반사시키는 반구형으로 패턴된 콜레스테릭 반사 필름을 개발하여 그 반사파장의 피크 값을 살펴본 바, 시야각 방향 변화에 따라 적색, 녹색필름은 단파장쪽으로 반사파장 피크가 이동하였으며 청색의 경우 별다른 변화가 없었다. 포토리소그래피를 이용하여 포토레지스트(Photo-resist)를 thermal reflow방식으로 마이크로미터 크기의 반구형의 주기적인 패턴을 얻을 수 있었으며 그 위에 형성된 적색, 녹색, 청색의 필름은 패턴이 없는 경우에 비하여 시야각에 따른 반사파장의 변화가 적음을 육안을 통하여, 그리고 Lab좌표를 통해서 각각 정량적으로 확인할 수 있었다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
• /
• 한국진공학회 2013년도 제45회 하계 정기학술대회 초록집
• /
• pp.221-221
• /
• 2013

Vertical LED (VLED) has been recognized as a way to obtain the high-power LED due to their advantages [1]. However, approximately 4% of the light generated from the active region is extracted, if the light extraction from side walls and back side is neglected because of Fresnel reflection (FR) and total internal reflection (TIR) [2,3]. In this study, the optical simulation of the VLED with the various microstructures was performed. Among them, the microlens having the diameter of 3 ${\mu}m$ and the height of 1.5 ${\mu}m$ shown the best result was chosen, and then, optimized microlens was formed on a GaN template using conventional semiconductor process. Various microstructures were proposed to improve the light extraction efficiency (LEE) of the VLED for the simulation. The LEE was simulated using LightTools based on a Monte Carlo ray tracing. The microstructures with hemisphere, cone, truncated and cylinder pattern having diameter of 3 ${\mu}m$ were employed on the top layer of the VLED respectively. The improvement of the LEE by using the microstructure is 87% for the hemisphere, 77% for the cone, 53% for the truncated, 21% for the cylinder, compared with the LEE of the flat surface at the reflectance of 85%. The LEE was increased by 88% at the height of 1.5 ${\mu}m$, compared with the LEE of the flat surface. We found that the microlens on the top layer is the most suitable for increasing the LEE. In order to apply the proposed microlens on n-GaN surface, we fabricated microlens on a GaN template. A photoresist array having hexagonal-closed packed microlens was fabricated on the GaN template. Then, optimization of etching the GaN template was performed using a dry etching process with ICP-RIE. The dry etching carried out using a gas mixture of Cl2 and Ar, each having a flow rate of 16 sccm and 10 sccm, respectively with RF power of 50 W, ICP power of 900 W and chamber pressure of 2 mTorr was the optimum etching condition as shown in Fig. 2(a).

• 한국표면공학회:학술대회논문집
• /
• 한국표면공학회 2003년도 춘계학술발표회 초록집
• /
• pp.3-3
• /
• 2003

고밀도 플라즈마를 생산할 수 있는 대면적용 플라즈마 소스의 개발은 미세전자구조 산업에서부터 FPD 산업에 이르기까지 많은 영역에 걸쳐 필수 불가결한 기술요소가 되어가고 있 다. 이러한 대면적용 고밀도 플라즈마에의 적용을 위하여 새로운 유도결합형 플라즈마 소오스의 개발이 진행되고 있으며, 차세대 반도체 식각 및 세정 공정을 위하여 여러 형태의 안 테나가 연구되어지고 있다. 그러나 TFT -LCD에 적용이 가능하게끔 기존의 ICP 소오스를 직 접적으로 대면적화 하는 데에는 여러 가지 문제점들로 인해 그 한계점이 들어났다. 그 예로 안테나의 길이가 길어짐에 따른 안테나 저항 값이 커지며, 안테나 소스 길이자체가 사용하는 인가전력(13.56MHz)의 반파장에 해당되는 길이가 되었을 경우 생기는 심각한 정상파 효과, 유전물질의 두께 증가 및 그에 따른 재료비의 상승 및 관리상의 어려움들이 바로 그것 이라 할 수 있겠다. 그러므로, 본 연구에서는 차세대 TFT -LCD 대면적 공정에 적용 가능한 고밀도 플라즈마 를 발생시키기 위해서 내장형 유도결합형 선혈 안테나를 사용하였다. 내장형 유도결합형 선 혈 안테나가 가지고 있는 고유의 정전기적 결합효과를 최소화시키기 위해 직사각형모앙의 플라즈마 댐버(830mm*1,020mm)에서 영구자석을 사용하여 multi-cusp 자장효과 및 다양 한 자장의 배열에 따른 플라즈마 특성변화를 살펴보았다. 영구자석을 사용하여 외부자장을 인가하였을 때가, 그럴지 않은 때보다 RF 안테나 코일의 전압을 낮춰주었으며, 영구자석의 배열에 따라 코일의 인덕턴스의 값이 크게 변함을 알 수 있었다. 그리고 최적화된 자장의 배열은 플라즈마의 이온밀도를 증가시켰으며, 플라즈마의 균일도도 10% 이내로 유지됨을 알 수 있었다. 또한 영구자석에 의한 자장의 유무 및 공정압력과 인가전력에 따른 P Photoresist Film의 식각특성에 관해 살펴보았다.증을 위한 실험.측정장비의 구입 및 업계와의 공동활용, 국내.외 최신기술 정보자료의 수집과 신속제공, 국내.외 전문가 초청 활 용, 미래 지향적 목적활용 기초연구사업 수행, 미래기술 동향예측 및 홍보 등을 통해 서 국내 도금기술의 기술자립 및 고도화를 위한 여건마련을 위하여 노력하고 있다.빛 이때의 부식속도(선형분극법), 인위적인 피막 파괴 전,후 의 전위 변화 및 부식속도 측정법에 의한 국부부식 발달 저지능 등을 평가하여 각 실험결과를 비교분석하여 보았다. 수록 민감하여 304 의 IGSCC 와 매우 유사한 거동을 보인다. 본 강연에서는 304 와 600 의 고온 물에서 일어나는 IGSCC 민감도에 미치는 환경, 예민화처리, 합금원소의 영향을 고찰하고 이에 대한 최근의 연구 동향과 방식 방법을 다룬다.다.의 목적과 지식)보다 미학적 경험에 주는 영향이 큰 것으로 나타났으며, 모든 사람들에게 비슷한 미학적 경험을 발생시키는 것 이 밝혀졌다. 다시 말하면 모든 사람들은 그들의 문화적인 국적과 사회적 인 직업의 차이, 목적의 차이, 또한 환경의 의미의 차이에 상관없이 아름다 운 경관(High-beauty landscape)을 주거지나 나들이 장소로서 선호했으며, 아름답다고 평가했다. 반면에, 사람들이 갖고 있는 문화의 차이, 직업의 차 이, 목적의 차이, 그리고 환경의 의미의 차이에 따라 경관의 미학적 평가가 달라진 것으로 나타났다.corner$적 의도에 의한 경관구성의 일면을 확인할수 있지만 엄밀히 생각하여 보면 이러한 예의 경우도 최락의 총체적인 외형은 마찬가지로 $\ulcorner$순응$\lrcorner$의 범위를 벗어나지 않는다. 그렇기 때문에도 $\ulcorner$순응$\lrcorner$과 $\ulcorner$표현$\lrcorner$

• 자원리싸이클링
• /
• 제22권4호
• /
• pp.81-90
• /
• 2013

1990년대 이후 정보통신산업의 급속한 발전으로 반도체 및 LCD의 수요가 지속적으로 증가하고 있다. 이에 따라 미세회로 패턴형성에 핵심이 되는 감광제와 이의 희석 제거에 사용되는 고가의 시너, 박리액의 수요가 급격히 증가하고 있어, 폐시너, 폐박리액에 대한 재활용 필요성이 대두되고 있는 실정이다. 최근 경제적인 측면과 환경적인 측면, 효율성에 관한 측면에서 스트리핑 공정폐액의 재활용 기술이 폭넓게 연구되고 있다. 본 연구에서는 스트리핑 공정폐액의 재활용 기술에 대한 특허와 논문을 분석하였다. 분석범위는 1981년~2010년까지의 미국, 유럽연합, 일본, 한국의 등록/공개된 특허와 SCI 논문으로 제한하였다. 특허와 논문은 키워드를 사용하여 수집하였고, 기술의 정의에 의해 필터링 하였다. 특허와 논문의 동향은 연도, 국가, 기업, 기술에 따라 분석하여 나타내 보았다.

• 전자공학회논문지
• /
• 제52권7호
• /
• pp.33-39
• /
• 2015

본 연구에서는 SU-8을 절연층으로 사용해 솔루션 공정을 바탕으로 하여 Indium Zinc Oxide(IZO) thin film transistor(TFT)의 안정성을 향상에 대해 연구하였다. 매우 점성이 강하며 negative lithography 용으로 사용되는 SU-8은 기계적, 화학적으로 높은 안정도를 가진다. 그리고 이 SU-8을 사용해 TFT층의 위에 스핀코팅을 사용해 절연막 층을 쌓고 photo lithography를 이용해 patterning을 하였다. SU-8층에 의한 positive bias stress(PBS)에 대한 전기적 특성 향상의 이유를 연구하기 위해 TFT에 X-ray photoelectron spectroscopy(XPS), Fourier transform infrared spectroscopy(FTIR) 분석을 시행하였다. SU-8을 절연층으로 한 TFT는 좋은 전기적 특성을 보였으며, 전류점멸비, 전자이동도, 문턱전압, subthreshold swing이 각각 $10^6$, $6.43cm^2/V{\cdot}s$, 7.1V, 0.88V/dec로 측정되었다. 그리고 3600초 동안 PBS를 가할 시 ${\Delta}V_{th}$는 3.6V로 측정되었다. 그러나 SU-8 층이 없는 경우 ${\Delta}V_{th}$는 7.7V 였다. XPS와 FTIR을 분석한 결과, SU-8 절연층이 TFT의 산소의 흡/탈착을 차단하는 특성에 의해 PBS에 강한 특성을 나타나게 함을 확인하였다.