• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2012년도 제42회 동계 정기 학술대회 초록집
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• pp.464-464
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• 2012

본 연구에서는 DBD (Dielectric Barrier Discharge)방식을 통해 발생된 대기압 plasma를 이용한 Photoresist (PR) Ashing에 관한 연구를 하였다. 사용된 DBD 반응기는 기존의 blank planar plate 형태의 Power가 인가되는 anode 부분과 Dielectric Barrier 사이 공간을 액상의 도전체로 채워 넣은 형태의 전극이 사용 하였으며, 인가 Power는 40 kHz AC 최대 인가 전압 15 kV를 사용 하였고(본 연구에서 인가 power는 30 KHz,전압 14 KV를 고정시킴) 플라즈마를 발생시 라디칼의 활성화를 유지하기 위해 전극 온도가 $180^{\circ}C$ 정하였다. Feeding 가스는 N2, 반응가스로는 CDA(Clean Dry Air), SF6와 CF4가스를 사용 하였으며 모든 공정은 In-line type으로 시편을 처리 하였다. CDA ratio의 경우에 질소대비 0.2%때 이송속도 30 mm/sec 1회 처리 기존 PR ashing은 최대 $320{\AA}$의 ashing 두께를 얻을 수 있었다. SF6와 CDA가스를 같이 반응하는 경우 ratio는 CDA : SF6 = 0.6% : 0.6%에서 PR ashing rate이 $841{\AA}/pass$의 값을 얻을 수 있었고, CDA가스만 첨가하는 경우보다 약2.6배 증가함을 관찰할 수 있었다. CF4 가스를 사용하는 경우 ratio는 CDA : CF4 = 0.2% : 0.2%에서 PR ashing rate이 $687{\AA}/pass$의 값을 얻을 수 있으며 CDA가스만 첨가하는 경우보다 약 2.1배 증가함을 관찰할 수 있었다. 그리고 PR ashing rate가 가스첨가종류와 비율에 따라서 변화함을 관찰하였고 최적조건을 찾기 위해 연구를 진행하였다. 추후 PR ashing rate가 향상을 하기 위해 가스혼합비율 및 stage 온도등 조건을 조절하여 공정최적조건을 얻기 위해 연구를 진행하였다.

• Macromolecular Research
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• 제12권4호
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• pp.352-358
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• 2004

For their application as one-component photoresists, we prepared epoxy terpolymers containing oxime-urethane and benzophenone groups by the radical polymerization of glycidyl methacrylate (GMA), metha-cryloxyethyl benzophenoneoxime urethane (MBU), and N-(4-benzoyl)phenylmaleimide (BPMI). The terpolymer composition was optimized to provide the most photosensitive photoresist. The photo-decomposition reaction of the oxime-urethane groups in the terpolymer was monitored by UV absorption spectroscopy, and the photo-crosslinking reaction of the epoxy terpolymer was observed by measuring the normalized thickness. The photosensitivity of the epoxy terpolymer increased as the amount of BPMI and MBU units increased up to 16 and 24 mol%, respectively. Among the terpolymers we prepared, terpolymer T-II(contents of GMA, MBU, BPMI are 75, 19, 6.1 mole%, respectively) exhibited the highest photosensitivity ( $D_{c}$ $^{0.5}$ = 430 mJ/$\textrm{cm}^2$) and had a moderate contrast (${\gamma}$$^{p}$ = 1.23). Negative-tone micropatterns having a line width of ca. 10 ${\mu}{\textrm}{m}$ were obtained by developing the system with chloroform.m.

• 한국인쇄학회지
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• 제26권2호
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• pp.55-64
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• 2008

We designed a UV-LED exposure system which has 365nm dominant wavelength due to the environment-friendly and economical maskless screen plate making. And the photoresist applied on the screen stretched was exposed without mask by beam projector with UV-LED light source. Then it was developed by air spray with $1.7\;kgf/cm^2$ of injection pressure. The pencil hardness and solvent resistance of curing photoresist film were excellent as those of conventional photoresist film and the maximum resolution of line image formed by maskless screen plate making. was $100{\mu}m$, so we could establish the possibility of environment-friendly maskless screen plate making technology. But the sharpness of the patterns were ${\pm}40{\mu}m$ since the exposure system for maskless plate making has weak light intensity and the diffusion of light.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2003년도 추계학술대회 논문집 Vol.16
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• pp.152-155
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• 2003

Ashing of photoresist was investigated in dielectric barrier discharges in atmospheric pressure by changing applied voltage, frequency, flow rate. we analyzed the plasma by Optical Emission Spectroscopy(OES) to monitor the variation of active oxygen species. Another new peaks of oxygen radical is observed by addition of argon gas. This may explain the increase in ashing rate with argon addition. With the results of Optical Emission Spectroscopy(OES), we can find the optimized ashing conditions. MIS capacitor for monitoring charging damage by the plasma was also studied. The results suggest the dielectric barrier discharges(DBD) can be an efficient, alternative Plasma source for general surface processing.

• Journal of Microbiology and Biotechnology
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• 제32권5호
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• pp.672-679
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• 2022

Microbial lipases are used widely in the synthesis of various compounds due to their substrate specificity and position specificity. 4-Ethyl malate (4-EM) made from diethyl malate (DEM) is an important starting material used to make argon fluoride (ArF) photoresist. We tested several microbial lipases and found that Photobacterium lipolyticum M37 lipase position-specifically hydrolyzed DEM to produce 4-EM. We purified the reaction product through silica gel chromatography and confirmed that it was 4-EM through nuclear magnetic resonance analysis. To mass-produce 4-EM, DEM hydrolysis reaction was performed using an enzyme reactor system that could automatically control the temperature and pH. Effects of temperature and pH on the reaction process were investigated. As a result, 50℃ and pH 4.0 were confirmed as optimal reaction conditions, meaning that M37 was specifically an acid lipase. When the substrate concentration was increased to 6% corresponding to 0.32 M, the reaction yield reached almost 100%. When the substrate concentration was further increased to 12%, the reaction yield was 81%. This enzyme reactor system and position-specific M37 lipase can be used to mass-produce 4-EM, which is required to synthesize ArF photoresist.

• 한국진공학회지
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• 제18권2호
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• pp.97-101
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• 2009

현대의 반도체 산업에서 공정 중 가장 큰 비중을 차지하며, 가장 많은 자본과 인력을 소비하는 것이 바로 세정 공정이다. 세정공정은 소자의 작동에 영향을 미치고 기능을 저하시킬 수 있는 이물질 입자들을 제거하는 것이다. 특히 소자를 식각하기 위한 Photoresist(PR) 과정이 끝날 때마다 항상 세정 과정이 포함되어야 했다. 또한, Photoresist(PR) 공정 중 생성된 HDI-PR(high dose implanted photoresist)은 세정 과정에서 제거가 힘들기 때문에 현대의 고밀도 집적회로 세정 공정에서는 건식 세정과 습식 세정을 혼용하여 여러 단계의 세정 공정을 거치게 된다. 이 논문에서는 기존 플라즈마 방식으로 대표되는 건식 세정과 약액으로 대표되는 습식 세정을 동시에 사용하는 방식을 사용하여 약액활성화 방법(Plasma Liquid-Vapor Activation; PLVA)을 제안하여 실험을 실시하였고 HDI-PR을 활성화된 용액에 담근 후 Nano-Indenter를 이용하여 표면강도와 탄성계수를 측정했다. Nano-indenter는 특정한 기하학적 형태를 가지는 Tip을 표면에 압입한 후 압입하중과 압입깊이를 측정함으로서 시료의 표면강도와 탄성계수를 측정하였다. 그 결과 plasma로 활성화된 PR stripper 용액으로 strip한 후의 시료의 표면 강도가 크게 줄어든 것을 확인하였다. 이는 이후 물리적 표면 세정 공정을 후 공정으로 사용한다면 보다 효율적인 HDI-PR을 제거할 수 있을 것으로 사료된다.

• Korean Chemical Engineering Research
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• 제44권5호
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• pp.498-504
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• 2006

고밀도 $CHF_3$ 플라즈마를 이용한 식각에서 photoresist(PR)의 식각속도 및 $SiO_2$의 PR에 대한 식각 선택도가 이온의 입사 각도에 따라 변화하는 특성을 관찰하였다. 플라즈마 내에 파라데이 상자를 설치하여 이온의 입사 각도를 조절하였으며, 바이어스 전압을 변화시켜 이온의 입사 에너지를 조절하였다. 대부분의 바이어스 전압에서 $SiO_2$의 식각속도는 이온입사각도가 증가함에 따라 단조 감소함에 비해 PR의 식각속도는 중간각도 영역까지 일정하다가 그 이후에 감소하기 시작하였다. 이온입사각도가 $0^{\circ}$인 조건에서의 식각속도를 기준으로 정규화된 식각속도(NER)는 $SiO_2$의 경우 cosine함수와 거의 일치하였으나 PR의 경우 중간각도영역에서 over-cosine 형태를 보였다. PR에 대한 $SiO_2$의 식각선택도는 이온입사각도에 따라 점차로 감소하였는데, 이는 PR이 $SiO_2$에 비해 중간각도에서 물리적 스퍼터링에 의해 식각 수율이 크게 증가하였기 때문이다. 또한, 바이어스 전압의 증가에 따라 PR에 대한 식각선택도는 대부분의 이온입사각도에서 감소하였다.

• Korean Chemical Engineering Research
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• 제43권1호
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• pp.27-32
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• 2005

본 연구에서는 다양한 공용매로 변형된 초임계 이산화탄소를 이용하여 웨이퍼 표면에 존재하는 이온주입 포토레지스트(IIP, ion-implanted photoresist) 및 잔류 불순물의 제거 공정을 97, 148, $200^{\circ}C$의 온도와 200, 300, 400 bar의 압력조건에서 수행하였다. 이온주입 포토레지스트는 순수 초임계 이산화탄소에 의해 제거되지 않았으나 팽윤(swelling)되는 것을 확인할 수 있었다. 또한, 단일 공용매 및 비양성자성 용매들의 혼합 공용매로 변형된 초임계 이산화탄소 시스템은 이온주입 포토레지스트를 팽윤시키나, 제거에 효과적이지 못하였다. 그러나 DMSO에 DIW가 혼합된 혼합 공용매(5%, v/v)로 변형된 초임계 이산화탄소 시스템은 $97^{\circ}C$, 200 bar의 온도, 압력 조건에서 30분 동안 세정 실험을 수행한 결과 이온 주입 포토레지스트의 제거에 효과적이었다(약 80%). 본 연구에서 사용된 혼합 공용매로 변형된 초임계 이산화탄소 시스템은 플라즈마 애싱(ashing) 및 산과 용매가 기본이 되는 습식 세정 방법의 대안으로서 화학액의 사용과 폐수를 감소시킬 수 있다.

• 한국고분자학회지:고분자과학과기술
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• 제1권6호
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• pp.370-385
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• 1990

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2008년도 제34회 동계학술대회 초록집
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• pp.347-347
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• 2008