• 한국통신학회논문지
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• 제32권3A호
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• pp.319-323
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• 2007

본 논문에서는 50-1000 MHz의 주파수 범위에서 전력과 임피던스의 표준을 이용하여 RF전압을 자동으로 정밀 측정을 하였다. RF-DC차를 결정하기 위하여 동축형 미소열량계와 자동 회로망 분석기가 이용되었으며, 총불확도는 약 1 % 이다. 써미스터 마운트의 실효효율과 열전압 변환기의 RF-DC차를 측정하기 위하여 HP 컴퓨터와 Commodore 컴퓨터, 그리고 IEEE-488 인터페이스 버스를 이용하고, 측정하는 전체과정이 자체 개발한 프로그램에 의해 자동으로 수행되었다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2007년도 하계학술대회 논문집 Vol.8
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• pp.48-48
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• 2007

P-type transparent conducting $CuGaO_2$ thin films have been prepared by DC/RF sputtering using Quartz(0001) and sapphire(0001) substrates. The target was fabricated by heating a stoichiometric mixture of CuO and $Ga_2O_3$ at 1373K for 12h under $N_2$ atmosphere. The film were deposited under mixture gas of Ar and $O_2(Ar:O_2=4:1)$ during 10~30min. and the as-deposited films were annealed at 1123K and $N_2$ atmosphere. Room temperature conductivity and the activation energy of the sintered body in the temperature range of 223K ~ 423K were 0 004S/cm, 1.9eV, respectively. XRD revealed that all of the as-deposited films were amorphous. Heating of the films deposited on Quartz substrates above 1123K resulted in crystallization with a second phase of $CuSiO_3$, which was assumed owing to reaction with Quartz substrate. The single phase of $CuGaO_2$ was obtained at the film deposited on the sapphire substrates. The transmittance after annealing of DC- and RF-sputtered films were 55~75% at 550nm. From the transmittance and reflectance measurement. the direct band gap of the DC/RF-sputtered films were 3.63eV and 3.57eV. and there was little difference between DC and RF sputtered films.

• 한국인터넷방송통신학회논문지
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• 제18권5호
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• pp.223-228
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• 2018

본 논문은 동축 공동 공진기를 이용한 레인센서를 설계하고 제작한다. 선형적으로 빗방울을 감지할 수 있는 레인센서는 전압 제어 발진기 (VCO), 동축 공동 공진기, RF 스위치, RF 검출기, A / D 컨버터, DAC 및 마이크로 컨트롤러로 구성되었다. 설계된 레인 센서의 작동 주파수 범위는 2.5GHz ~ 3.2GHz이며, 입력 전압과 전류 소스는 24 [V / DC]와 1 [A]이다. 설계된 센서 회로는 VCO, RF 스위치, 고주파수 3GHz에서 소자의 주파수 특성을 변화시키는 RF 검출기를 포함한다. 센서 회로의 주파수 특성에 대한 오차를 교정한다. 이를 위해 공진기에 신호를 보내지 않고 RF 검출기로 신호를 직접 전달하는 기준 경로를 만든다. 시뮬레이션 및 측정 결과에 따르면 시뮬레이션된 공진기 주파수와 제작된 공진기 주파수 사이에 0-50MHz 차이가 있음을 알 수 있다.

• 반도체디스플레이기술학회지
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• 제4권2호
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• pp.11-14
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• 2005

In plasma processing reactors, it is common practice to control plasma density and ion bombardment energy by manipulating excitation voltage and frequency. In this paper, a dually excited capacitively coupled rf plasma reactor is self-consistently simulated with a three moment model. Effects of phase differences between primary and secondary voltage waves, simultaneously modulated at various combinations of commensurate frequencies, on plasma properties are investigated. The simulation results show that plasma potential and density as well as primary self-dc bias are nearly unaffected by the phase lag between the primary and the secondary voltage waves. The results also show that, with the secondary frequency substantially lower than the primary frequency, secondary self·do bias remains constant regardless of the phase lag. As the secondary frequency approaches to the primary frequency, however, the secondary self-dc bias becomes greatly altered by the phase lag, and so does the ion bombardment energy at the secondary electrode. These results demonstrate that ion bombardment energy can be more carefully controlled through plasma simulation.

• 한국전자파학회논문지
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• 제12권4호
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• pp.551-561
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• 2001

본 연구에서는 GEC-Marconi 사의 H40 GaAs pHEMT 소자에 대해서 새롭게 수정한 Curtice 모델을 사용하여 대신호 통합모델을 구축하였다. 통합모델에는 DC 특성과 biss에 따른 소신호 및 잡음 특성이 모두 포함되어 있으며, 특히 수정되 Curtice 모델을 사용함으로써 gate-source 간의 전압이 증가함에 따라 나타나는 pHEMT 의 transconductance(이하 $g_{m}$) 특성을 매우 간단하면서도 물리적으로 설명할 수 있게 하였다. 또한 통합모델 내부에는 RF-choke를 사용함으로써 $g_{m}$, $R_{ds}$ 성분의 DC 상태와 AC 상태에서의 차이를 설명하게 하였다. 통합모델을 HP사의 simulation tool 인 MDS(Microwave Design System)의 SDD(Symbolically Defined Device)를 이용하여 구현한 후, 실제의 data와 비교한 결과 DC, small signal, 그리고 noise 에 대한 특성에 H40 pHEMT 와 대부분 일치함을 보았으며, 선형과 다양한 harmonic balance simulation 의 수렴성 및 정확성을 확인함으로써 본 모델을 이용한 경우 저잡음 증폭기, 발진기, 그리고 혼합기 등의 여러 부품설계를 할 수 있음을 보였다.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국해양정보통신학회 2010년도 춘계학술대회
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• pp.665-667
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• 2010

본 논문에서는 주파수 하향 변환기를 이용한 전력증폭기의 혼변조 성분 검출 방법을 제안하였다. 전력증폭기 출력 신호의 일부를 전력분배기를 통해 2개의 경로로 나누어 변환기의 RF, LO 단자에 각각 인가한 뒤 그 차 주파수를 얻고, 얻어진 차 주파수 중 필요한 성분인 3차와 5차의 차 성분만 여파기로 걸러 내어 이를 DC 전압으로 변환함으로써 전력 증폭기 출력 신호의 혼변조 성분의 크기를 알 수 있었다. 3W 전력증폭기의 Vgs를 변화시켜서 3차 혼변조 성분이 -26.4~+2.15dBm, 5차 혼변조 성분이 -34.2~-12.89dBm으로 변화하였을 때, 검출된 DC 전압 크기는 +0.72~+0.9V의 변화를 보였다.

• 한국전자파학회논문지
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• 제17권12호
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• pp.1156-1163
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• 2006

본 논문에서는 IEEE 802.15.3a의 초광대역(Ultra Wideband: UWB) 시스템용 직접 변환 혼합기를 설계 및 제작하였다. 직접 변환 방식을 사용하는 UWB 혼합기는 dc offset, 2차 고조파 왜곡 등을 발생시키는데, 이 문제를 해결하기 위해 역병렬 다이오드 쌍을 이용하였다. $3.1{\sim}4.8GHz$ 동위상 전력분배기와 $1.5{\sim}2.4GHz$ 광대역 $45^{\circ}$ 전력분배기를 사용하였고, RF-LO의 격리도를 높이기 위하여 RF 신호는 -0.5 dB 이상 손실로 통과시키고 LO 신호는 -10 dB 이하로 차단하는 광대역 여파기를 작은 크기로 설계하였다. 이와 더불어, 역병렬 다이오드와 광대역 소자의 초광대역 임피던스 정합을 통해 주파수 변환 손실을 최소로 하였다. 제안된 혼합기의 측정 결과는 주파수 변환 손실이 13.5 dB, input third-order intercept-point($IIP_3$)는 7 dBm, 그리고 1-dB gain compression point ($P_{1dB}$)는 -4 dBm이다. I/Q 출력 양단간의 전력 오차는 1 dB, 그리고 위상오차는 ${\pm}3^{\circ}$이내의 초광대역 쿼드러쳐 혼합기로 동작하였다.

• 한국광학회지
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• 제17권2호
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• pp.175-180
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• 2006

리튬나이오베이트 기판의 분극 반전 기술을 이용하여 5.5 GHz대역의 SSB(Single Sideband) 광변조기를 설계 및 제작하였다. 분극 반전을 통해 광이 인가받는 유효전계가 마흐젠더 두 도파로에서 $90^{\circ}$ 위상차를 갖도록 할 수 있었다. 제작된 광변조기는 5.8 GHz의 중심주파수로, 1.9 V DC 인가 시 약 33 dB의 USB 억제율을, -10.6 V 인가 시 약 25 dB의 LSB 억제율을 나타내었다. 또한 2.5 GHz의 대역폭에서 15 dB 이하의 Sideband 억제율을 보이고 있다.

• ETRI Journal
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• 제26권1호
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• pp.61-64
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• 2004

We have explored the fabrication of an InP/InGaAs single heterojunction bipolar transistor (HBT) and a wave guide p-i-n photodiode (PD) on two kinds of double stacked layers for the implementation of an optoelectronic millimeter-wave monolithic integrated circuit (OEMMIC). We applied a photosensitive polyimide for passivation and integration to overcome the large difference between the HBT and PD layers of around $3{\mu}m$. Our experiment showed that the RF characteristics of the HBT were dependent on the location of the PD layer, while the dc performances of the HBTs and PDs were independent of the type of stacked layer used. The $F_t$ and $F_{max}$ of the HBTs on the HBT/PD stacked layer were 10% lower than those of the HBTs on the PD/HBT stacked layer.

• 한국광학회지
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• 제17권2호
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• pp.181-185
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• 2006

리튬나이오베이트 기판의 분극 반전 기술을 이용하여 300Hz 대역 광변조기를 제작하였고 60 GHz 광캐리어 발생기로 응용하였다. 주기적인 분극반전은 도파광과 RF사이의 QVM(Quasi-Velocity-Matching)을 유발하여 대역변조를 가능하게 하였다. 제작된 광변조기는 30.3 GHz에서 최대 변조효율을 보였으며, 3 dB 변조 대역폭은 약 5.1 GHz로 측정되었다. DSB-SC(Double Sideband Suppressed Carrier) 측정 실험을 통해 입사된 광 주파수로부터 30 GHz 간격으로 USB(Upper Sideband)와 LSB(Lower Sideband)를 발생시켰으며 입사광의 스펙트럼은 발생된 USB 혹은 LSB에 비해 28 dB정도 억제됨으로써, 30GHz 대역 광변조기가 60 GHz 광캐리어 발생기로 응용될 수 있음을 보였다.