• Electronics and Telecommunications Trends
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• v.30 no.1
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• pp.42-50
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• 2015

PON(Passive Optical Network)은 설치 및 유지보수가 편리하여 광가입자망으로 널리 사용되고 있다. 대표적인 PON 기술로 IEEE에서 표준화된 EPON(Ethernet PON), 10G EPON과 ITU-T에서 표준화된 GPON(Gigabit capable PON), XG-PON 기술이 있다. EPON 및 GPON은 각각 1G급 및 2.5G급 전송속도를 제공하며 한국, 일본, 중국 등 아시아와 북미 등에서 가입자 서비스 및 비즈니스 서비스용으로 사용되고 있다. 2010년대부터 10G급 PON 기술 사용이 증가되고 있으며, 앞으로 가파르게 증가하고 있는 가입자 트래픽량에 대처하기 위해 40G급 또는 100G급 PON 기술이 사용될 것으로 예상된다. 본고에서는 현재 ITU-T에서 표준화가 진행 중인 NG-PON2(Next Generation PON2) 기술 중 주요기술인 TWDM-PON(Time and Wavelength Division Multiplexing-PON) 기술에 대한 국제 표준화 현황 및 국내외 기술개발 현황을 살펴보고자 한다.

• The Journal of Korean Institute of Communications and Information Sciences
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• v.39B no.7
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• pp.440-448
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• 2014

A $4{\times}10$ Gb/s Transimpedance Amplifier (TIA) array is implemented in $0.13{\mu}m$ CMOS process technology, which will be used in the receiver of TWDM-PON system. A technology for bandwidth enhancement of a given $4{\times}10$ Gb/s TIA presented under inductor peaking technology and a single 1.2V power supply based low voltage design technology. It achieves 3 dB bandwidth of 7 GHz in the presence of a 0.5 pF photodiode capacitance. The trans-resistance gain is $50dB{\Omega}$, while 48 mW/ 1channel from a 1.2 V supply. The input sensitivity of the TIA is -27 dBm. The chip size is $1.9mm{\times}2.2mm$.

• Information and Communications Magazine
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• v.30 no.7
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• pp.26-32
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• 2013

본 고에서는 국제표준화 기구인 ITU-T와 국제표준화 단체인 IEEE 에서 진행중인 차세대 광가입자망 기술의 국제 표준화에 대해 알아본다. IUT-T의 study group 15 에서 TWDM-PON 기술과 PtP WDM 기술이 주내용인NG-PON2 기술표준화가 진행중이다. 그리고, 최근 IEEE 802.3 그룹에서는 NG-EPON 기술의 표준화 제안이 추진 중이다.

• ETRI Journal
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• v.38 no.1
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• pp.9-17
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• 2016

We demonstrate a time- and wavelength-division multiplexed passive optical network system employing a vertical-cavity surface-emitting laser array-based optical line terminal transceiver and a tunable bidirectional optical subassembly-based optical network terminal transceiver. A packet error-free operation is achieved after a 40 km single-mode fiber bidirectional transmission. We also discuss an arrayed waveguide grating, a photo detector array based on complementary metal-oxide-semiconductor photonics technologies, and low-cost key devices for deployment in access networks.

• The Journal of Korean Institute of Communications and Information Sciences
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• v.40 no.7
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• pp.1347-1353
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• 2015

We implemented a 10 Gb/s 4-channel vertical cavity surface emission lasers (VCSEL) driver array in a $0.13{\mu}m$ CMOS process technology. To enhance high current resolution, power dissipation, and chip space area, digital APC/AMC with time division sensing technology is primarily adopted. The measured -3 dB frequency bandwidth is 9.2 GHz; the small signal gain is 10.5 dB; the current resolution is 0.01 mA/step, suitable for the wavelength operation up to 10 Gb/s over a wide temperature range. The proposed APC and AMC demonstrate 5 to 20 mA of bias current control and 5 to 20 mA of modulation current control. The whole chip consumes 371 mW of low power under the maximum modulation and bias currents. The active chip size is $3.71{\times}1.3mm^2$.