• Title, Summary, Keyword: TWDM-PON

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Recent Trends on Technology and Standardization of 40Gb/s Time and Wavelength Division Multiplexing Passive Optical Network (40Gb/s TWDM-PON 기술 및 표준화 동향)

  • Lee, H.H.;Lee, S.S.;Chung, H.S.;Lee, J.H.
    • Electronics and Telecommunications Trends
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    • v.30 no.1
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    • pp.42-50
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    • 2015
  • PON(Passive Optical Network)은 설치 및 유지보수가 편리하여 광가입자망으로 널리 사용되고 있다. 대표적인 PON 기술로 IEEE에서 표준화된 EPON(Ethernet PON), 10G EPON과 ITU-T에서 표준화된 GPON(Gigabit capable PON), XG-PON 기술이 있다. EPON 및 GPON은 각각 1G급 및 2.5G급 전송속도를 제공하며 한국, 일본, 중국 등 아시아와 북미 등에서 가입자 서비스 및 비즈니스 서비스용으로 사용되고 있다. 2010년대부터 10G급 PON 기술 사용이 증가되고 있으며, 앞으로 가파르게 증가하고 있는 가입자 트래픽량에 대처하기 위해 40G급 또는 100G급 PON 기술이 사용될 것으로 예상된다. 본고에서는 현재 ITU-T에서 표준화가 진행 중인 NG-PON2(Next Generation PON2) 기술 중 주요기술인 TWDM-PON(Time and Wavelength Division Multiplexing-PON) 기술에 대한 국제 표준화 현황 및 국내외 기술개발 현황을 살펴보고자 한다.

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A Design and Implementation of 4×10 Gb/s Transimpedance Amplifiers (TIA) Array for TWDM-PON (TWDM-PON 응용을 위한 4×10 Gb/s Transimpedance Amplifier 어레이 설계 및 구현)

  • Yang, Choong-Reol;Lee, Kang-Yoon;Lee, Sang-Soo
    • The Journal of Korean Institute of Communications and Information Sciences
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    • v.39B no.7
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    • pp.440-448
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    • 2014
  • A $4{\times}10$ Gb/s Transimpedance Amplifier (TIA) array is implemented in $0.13{\mu}m$ CMOS process technology, which will be used in the receiver of TWDM-PON system. A technology for bandwidth enhancement of a given $4{\times}10$ Gb/s TIA presented under inductor peaking technology and a single 1.2V power supply based low voltage design technology. It achieves 3 dB bandwidth of 7 GHz in the presence of a 0.5 pF photodiode capacitance. The trans-resistance gain is $50dB{\Omega}$, while 48 mW/ 1channel from a 1.2 V supply. The input sensitivity of the TIA is -27 dBm. The chip size is $1.9mm{\times}2.2mm$.

차세대 광가입자망 국제표준화 동향

  • Lee, Han-Hyeop;Lee, Sang-Su;Lee, Jong-Hyeon
    • Information and Communications Magazine
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    • v.30 no.7
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    • pp.26-32
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    • 2013
  • 본 고에서는 국제표준화 기구인 ITU-T와 국제표준화 단체인 IEEE 에서 진행중인 차세대 광가입자망 기술의 국제 표준화에 대해 알아본다. IUT-T의 study group 15 에서 TWDM-PON 기술과 PtP WDM 기술이 주내용인NG-PON2 기술표준화가 진행중이다. 그리고, 최근 IEEE 802.3 그룹에서는 NG-EPON 기술의 표준화 제안이 추진 중이다.

Demonstration of Time- and Wavelength-Division Multiplexed Passive Optical Network Based on VCSEL Array

  • Mun, Sil-Gu;Lee, Eun-Gu;Lee, Jie Hyun;Park, Heuk;Kang, Sae-Kyoung;Lee, Han Hyub;Kim, Kwangok;Doo, Kyeong-Hwan;Lee, Hyunjae;Chung, Hwan Seok;Lee, Jong Hyun;Lee, Sangsoo;Lee, Jyung Chan
    • ETRI Journal
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    • v.38 no.1
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    • pp.9-17
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    • 2016
  • We demonstrate a time- and wavelength-division multiplexed passive optical network system employing a vertical-cavity surface-emitting laser array-based optical line terminal transceiver and a tunable bidirectional optical subassembly-based optical network terminal transceiver. A packet error-free operation is achieved after a 40 km single-mode fiber bidirectional transmission. We also discuss an arrayed waveguide grating, a photo detector array based on complementary metal-oxide-semiconductor photonics technologies, and low-cost key devices for deployment in access networks.

Implementation of 10 Gb/s 4-Channel VCSELs Driver Chip for Output Stabilization Based on Time Division Sensing Method (시분할 센싱 기법 기반의 출력 안정화를 위한 10 Gb/s 4채널 VCSELs 드라이버의 구현)

  • Yang, Choong-reol;Lee, Kang-yoon;Lee, Sang-soo;Jung, Whan-seok
    • The Journal of Korean Institute of Communications and Information Sciences
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    • v.40 no.7
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    • pp.1347-1353
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    • 2015
  • We implemented a 10 Gb/s 4-channel vertical cavity surface emission lasers (VCSEL) driver array in a $0.13{\mu}m$ CMOS process technology. To enhance high current resolution, power dissipation, and chip space area, digital APC/AMC with time division sensing technology is primarily adopted. The measured -3 dB frequency bandwidth is 9.2 GHz; the small signal gain is 10.5 dB; the current resolution is 0.01 mA/step, suitable for the wavelength operation up to 10 Gb/s over a wide temperature range. The proposed APC and AMC demonstrate 5 to 20 mA of bias current control and 5 to 20 mA of modulation current control. The whole chip consumes 371 mW of low power under the maximum modulation and bias currents. The active chip size is $3.71{\times}1.3mm^2$.