• Electrical & Electronic Materials
• /
• v.9 no.9
• /
• pp.918-924
• /
• 1996

A downstream oxygen plasma is generated by capacitively coupled RF power and applied to photoresist stripping. Stripping rate (ashing rate) is measured in terms of RF power, chamber pressure, oxygen flow rate and temperature. Ashing reaction is thermally activated and depends on oxygen radical density. The ashing process is optimized to have the high ashing rate, good uniformity and minimal plasma damage using a statistical method.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
• /
• 2012.02a
• /
• pp.464-464
• /
• 2012

본 연구에서는 DBD (Dielectric Barrier Discharge)방식을 통해 발생된 대기압 plasma를 이용한 Photoresist (PR) Ashing에 관한 연구를 하였다. 사용된 DBD 반응기는 기존의 blank planar plate 형태의 Power가 인가되는 anode 부분과 Dielectric Barrier 사이 공간을 액상의 도전체로 채워 넣은 형태의 전극이 사용 하였으며, 인가 Power는 40 kHz AC 최대 인가 전압 15 kV를 사용 하였고(본 연구에서 인가 power는 30 KHz,전압 14 KV를 고정시킴) 플라즈마를 발생시 라디칼의 활성화를 유지하기 위해 전극 온도가 $180^{\circ}C$ 정하였다. Feeding 가스는 N2, 반응가스로는 CDA(Clean Dry Air), SF6와 CF4가스를 사용 하였으며 모든 공정은 In-line type으로 시편을 처리 하였다. CDA ratio의 경우에 질소대비 0.2%때 이송속도 30 mm/sec 1회 처리 기존 PR ashing은 최대 $320{\AA}$의 ashing 두께를 얻을 수 있었다. SF6와 CDA가스를 같이 반응하는 경우 ratio는 CDA : SF6 = 0.6% : 0.6%에서 PR ashing rate이 $841{\AA}/pass$의 값을 얻을 수 있었고, CDA가스만 첨가하는 경우보다 약2.6배 증가함을 관찰할 수 있었다. CF4 가스를 사용하는 경우 ratio는 CDA : CF4 = 0.2% : 0.2%에서 PR ashing rate이 $687{\AA}/pass$의 값을 얻을 수 있으며 CDA가스만 첨가하는 경우보다 약 2.1배 증가함을 관찰할 수 있었다. 그리고 PR ashing rate가 가스첨가종류와 비율에 따라서 변화함을 관찰하였고 최적조건을 찾기 위해 연구를 진행하였다. 추후 PR ashing rate가 향상을 하기 위해 가스혼합비율 및 stage 온도등 조건을 조절하여 공정최적조건을 얻기 위해 연구를 진행하였다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
• /
• 2014.02a
• /
• pp.152-152
• /
• 2014

최근 반도체의 고집적화로 high dose implant 도입과 소자의 동작 특성 향상을 위한 low-k 물질 도입에 따라 다양한 주변 공정의 변화를 이끌고 있다. 이에 따라 반도체 제조의 핵심 공정 단계 중 하나인 ashing 단계에서 기존 성능 이상의 장비를 기대하고 있으며, 그것을 평가하기 위한 중요 요소로 uniformity와 fast stripping이 있다. 본 연구에서는 유체해석 시뮬레이션을 통해 450 mm ashing 챔버에서의 gas inlet baffle과 wafer stage 사이의 최적 거리를 예측했다. 우선적으로 시뮬레이션의 신뢰도를 높이기 위해 실험으로 측정한 300 mm ashing 결과와 유체해석 결과 molecular flux의 상관관계를 파악하여, 450 mm ashing 챔버의 최적 구조를 예측하였다. 선행 연구한 300 mm 시뮬레이션 결과를 바탕으로 이상적인 450 mm ashing 챔버를 설계하였다. 유체해석 결과는 동일한 형태의 수직형 구조 장비에서 baffle과 wafer stage 사이의 거리가 35 mm에서 60 mm일 때, 450 mm wafer surface 위에서 더욱 균일한 density 분포를 나타내었다. Reactant flux 분포는 거리가 60 mm에서 80 mm 사이일 경우 더 균일하게 나타났다. 그러므로, 450 mm 챔버에서 gas inlet baffle과 wafer stage 간격이 60 mm일 때 최적의 구조로 판단된다.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
• /
• 2009.10a
• /
• pp.1500-1503
• /
• 2009

In this paper, we studied about atmospheric pressure remote plasma ashing of photoresist(PR), by using a modified dielectric barrier discharge(DBD). The effect of various gas combinations such as $N_2/O_2$, $N_2/O_2+SF_6$ on the changes PR ashing rate was investigated as a function of power. The maximum PR ashing rate of 1850 nm/min was achieved at $N_2$ (70 slm)/ $O_2$ (200 sccm) + $SF_6$ (3 slm). We found that as the oxygen and fluorine radical peaks were increased, the ashing rate is increased, too.

• Journal of the Semiconductor & Display Technology
• /
• v.7 no.2
• /
• pp.35-38
• /
• 2008

This study shows the improvement of PR-Ashing rates in semi-conductor process using Atmospheric Plasma. Taguchi method is used to improve Ashing rates of photo-resist that is spread on the surface of a wafer. Improvement of Ashing rates is acquired through the decision of the effective factors and suitable combination of the factors. The results show the contribution rate of each factor and the effectiveness of Plasma for PR-Ashing process in this system.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
• /
• 2010.06a
• /
• pp.195-195
• /
• 2010

본 연구에서 제작한 u-bolometer 은 적외선을 흡수하는 멤브레인이 a-Si 위에 Ti 메탈로 이루어져 있다. 이 u-bolometer 는 MEMS 센서로써 3차원 공진 구조를 제작하기 위해서는 희생층을 제거하는 공정이 필수적이며 이 희생 층으로 Polyimide를 사용하고 있는 공정에서 Plasma Ashing 공정은 더욱더 필수적이다. 이 Ashing 공정은 O2 플라즈마를 이용하며 이때 흡수물질인 Ti 레이어가 플라즈마에 의해 면저항과 흡수율의 특성이 어떻게 변화되는지 플라즈마 공정 전후를 분석한 결과 면저항의 변화가 나타났으며 uniformity도 높게 변화하였다. 또한 적외선 흡수율이 약 5% 차이가 나타나는 것을 확인 할 수 있었다.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
• /
• 2009.06a
• /
• pp.424-424
• /
• 2009

그라핀은 밴드갭이 없어서 세미메탈의 성질을 띠므로 초고속 RF 소자에는 응용이 가능하지만, 현재 사용되는 반도체 칩에 사용하기가 불가능하다. 그러나 그라핀을 매우 좁은 리본 형태로 만들 경우 밴드갭이 생기고 이에 따라 반도체특성을 뛰게 된다. 이러한 특성은 시뮬레이션을 통해서만 이해되다가 2007년 P. Kim이 그라핀 나노리본의 밴드캡이 리본의 폭이 좁아짐에 따라 증가함을 실험적으로 최초로 발표하였다. 하지만 그라핀을 나노리본형태로 식각 방법에 대해서는 정확히 연구되지 않았다. 따라서 본 연구에서는 $O_2$ plasma ashing 방법을 이용하여 그라핀을 식각하는 방법에 대해 연구하였다. 먼저 Si기판을 initial cleaning 한 후, highly-oriented pyrolytic graphite(HOPG)를 이용하여 기존의 mechanical exfoliation 방식을 통해 그라핀을 형성하였다. Photo-lithography 방법을 통하여 패터닝한 후, 그라핀을 식각하기 위하여 Reactive Ion Etcher (RIE) system을 이용한 $O_2$ plasma ashing을 50 W에서 1 분간 실시하였다. 다시 image reverse photo-lithography 과정과 E-beam evaporator system를 통해서 Al 전극을 형성하여 graphene-FET를 제작하였고, 광학 현미경과 AFM (Atomic force microscope)을 통해 두께를 확인하였다. 본 연구를 통하여 $O_2$ plasma ashing을 이용하여 쉽게 그라 E을 식각할 수 있음을 확인 하였으며, 제작된 소자의 전기적 특성에 대해서 현재 실험중에 있다.

• Journal of Korean Society of Occupational and Environmental Hygiene
• /
• v.6 no.2
• /
• pp.301-312
• /
• 1996

This study was performed to search a optimal analyzing method of cadmium in whole-blood. Cadmium was determined by graphite furnace atomic absorption spectrometry(GFAAS). We investigated the effect of ashing temperature on the absorbance of cadmium in a simple dilution(ten-fold) method with triton X-100 and matrix modifier methods treated with $NH_4H_2PO_4$(1 and 3%) and $Pd(NO_3)_2$(0.00l and 0.005%) as matrix modifier. We also compared the reported reference values of standard blood with values resulted from optimal analyzing conditions of this study. In case of a simple dilution method, when ashing temperature was set at $450^{\circ}C$, the absorbance of sample and background were $0.334{\pm}0.012$ and $1.382{\pm}0.245$, respectively. Background level was higher than the value(0.8) that can be corrected by $D_2$ background correction method. As ashing temperature was rised to $500^{\circ}C$, the absorbance of sample and background were $0.178{\pm}0.008$ and $0.711{\pm}0.223$ respectively. The higher ashing temperature($450^{\circ}C-650^{\circ}C$) was, the lower the absorbance of sample was. In case of a matrix modifier method with $NH_4H_2PO_4$(1 and 3%), when ashing temperature was rised from $500^{\circ}C$ to $650^{\circ}C$, the absorbance of sample slightly changed. The absorbances of sample at $600^{\circ}C$ were $0.230{\pm}0.017$ and $0.137{\pm}0.012$, respectively. These values were larger than that of simple dilution method. But the absorbance of background was higher than the level that can be corrected by $D_2$ method. In case of a matrix modifier method with $Pd(NO_3)_2$(0.001 and 0.005%), the absorbance of sample and background were higher than those of other methods and were stable and reproducible. When ashing temperature was over $550^{\circ}C$, the absorbance of sample was significantly decreased. In case of 0.005% $Pd(NO_3)_2$ carbon residue remained in graphite tube affected the absorbance of sample and background. From these results, We propose that in case of a simple dilution(ten-fold) method with triton X-100 ashing temperature must be maintained below $400^{\circ}C$. In order to diminish the absorbance of background, the alternative method is attenuation of injection volume or multiplication of dilution ratio. We recommend $Pd(NO_3)_2$ than $NH_4H_2PO_4$ as a matrix modifier. In case of a matrix modifier method with $Pd(NO_3)_2$ ashing temperature might be maintained below $550^{\circ}C$.

• Korean Journal of Materials Research
• /
• v.20 no.10
• /
• pp.550-554
• /
• 2010

This work presents a fabrication procedure to make large-area, size-tunable, periodically different shape metal arrays using nanosphere lithography (NSL) combined with ashing and annealing. A polystyrene (PS, 580 ${\mu}m$) monolayer, which was used as a mask, was obtained with a mixed solution of PS in methanol by multi-step spin coating. The mask morphology was changed by oxygen RIE (Reactive Ion Etching) ashing and temperature processing by microwave heating. The Au or Pt deposition resulted in size tunable nano patterns with different morphologies such as hole and dots. These processes allow outstanding control of the size and morphology of the particles. Various sizes of hole patterns were obtained by reducing the size of the PS sphere through the ashing process, and by increasing the size of the PS sphere through annealing treatment, which resulted in tcontrolling the size of the metallic nanoparticles from 30 nm to 230 nm.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
• /
• 2003.07a
• /
• pp.421-424
• /
• 2003

An AP plasma technology has been developed for the application of dry cleaner, PR ashing and PI rework in the large glass size. The technology is cost effective, environment friendly, and best fits for coming generation LCD production since the design is easily scalable to bigger size glasses. Surface cleaning results based on the contact angle study has been presented for $5^{th}$ generation LCD bare glass. PR ashing results and various parametric studies have been also presented.