• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1995년도 하계학술대회 논문집 C
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• pp.1085-1087
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• 1995

A large leakage current may be one of the critical issues for poly-silicon thin film transistors(poly-Si TFTs) for LCD applications. In order to reduce the leakage current of poly-Si TFTs, several offset gated structures have been reported. However, those devices, where the offset length in the source region is not same as that in the drain region, exhibit the asymmetric electrical performances such as the threshold voltage shift and the variation of the subthreshold slope. The different offset length is caused by the additional mask step for the conventional offset structures. Also the self-aligned implantation may not be applicable due to the mis-alignment problem. In this paper, we propose a new fabrication method for poly-Si TFTs with a self-aligned offset gated structure by employing a photo resistor reflow process. Compared with the conventional poly-Si TFTs, the device is consist of two gate electrodes, of which one is the entitled main gate where the gate bias is employed and the other is the entitled subgate which is separate from both sides of the main gate. The poly-Si channel layer below the offset oxide is protected from the injected ion impurities for the source/drain implantation and acts as an offset region of the proposed device. The key feature of our new device is the offset lesion due to the offset oxide. Our experimental results show that the offset region, due to the photo resistor reflow process, has been successfully obtained in order to fabricate the offset gated poly-Si TFTs. The advantages of the proposed device are that the offset length in the source region is the same as that in the drain region because of the self-aligned implantation and the proposed device does not require any additional mask process step.

• Design & Manufacturing
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• 제10권3호
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• pp.8-13
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• 2016

Despite technological advance, there have been several troubles in photo reaction injection molding (photo RIM) to produce ultra thin light guide panels (LGPs). In this study, micro leakage problem at cavity edge during photo RIM was investigated numerically. In order to obtain optimal processing conditions, we regulated inlet pressure of injected resin at the cavity edge and figured out micro leakage behaviors. At low inlet pressure (less than 100 Pa), though the micro leakage problem was not occurred, another problem, short shot due to not enough driving force, was appeared More than 1,000 Pa of the inlet pressure, injected resin was rapidly leaked through the micro gap at the cavity edge. Finally, we obtained optimal inlet pressure around 600 ~ 1,000 Pa. At this region, injected resin fully filled the cavity without micro leakage behavior. Based on the present study, further comparative investigations with experimental photo RIM should be performed to find optimal processing conditions for produce ultra thin LGPs.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제10권5호
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• pp.983-989
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• 2006

현재의 출입국 관리는 여권을 제시하면 여권을 육안으로 검색하고 수작업으로 정보를 입력하여 여권 데이터베이스와 대비하는 것이다. 본 논문에서는 여권의 정보를 인식 할 수 있는 방법을 제안한다. 제안된 여권 인식 방법은 소벨 연산자와 수평 스미어링, 윤곽선 추적 알고리즘을 적용하여 코드의 문자열 영역을 추출한다. 추출된 문자열 영역을 이진화하고 이진화된 문자열 영역에 대해서 개별 코드의 문자들을 복원하기 위하여 CDM 마스크를 적용한 후에 수직 스미어링을 적용하여 개별 코드의 문자를 추출한다. 개별 코드의 인식은 ART2 알고리즘을 RBF 네트워크의 중간층으로 적용하고 중간층과 출력층의 학습에는 일반화된 델타 학습 방법으로 동작하는 RBF 네트워크를 적용한다. 사진 영역은 코드의 문자열 영역을 추출한 후에 코드의 문자열 영역이 시작되는 좌표를 중심으로 사진 영역을 추출한 후, Luminance, Edge, Hue 정보를 이용하여 사진 부분을 검증한다. 검증된 사진 부분 영상은 ART2 알고리즘을 적용하여 사진의 특징들을 분류하고, 이를 이용하여 사진 인증을 하게 된다. 제안된 방법의 성능을 확인하기 위해서 실제 여권 영상을 대상으로 실험한 결과, 제안된 방법이 여권 인식에 우수한 성능이 있음을 확인하였다.

• 한국정밀공학회지
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• 제29권11호
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• pp.1164-1169
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• 2012

This paper presents a study of an integrated infrared (IR) photo sensor for display application. We fabricated hydrogenated amorphous silicon thin film transistor (a-Si:H TFT) and hydrogenated amorphous silicon germanium thin film transistor (a-SiGe:H TFT) which were bottom gate structure. We investigated the dependence of a-SiGe:H TFT characteristics on incident wavelengths. We proposed photo sensor which responded to wavelengths of IR region. Proposed pixel circuit of photo sensor was consists of switch TFT and photo TFT, and one capacitor. We developed integrated photo sensor circuit and investigated the performance of the proposed sensor circuit according to the input wavelengths. The developed photo sensor circuit with a-SiGe:H TFT was suitable for IR.

• 정보화연구
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• 제10권1호
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• pp.113-122
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• 2013

본 논문에서는 영상을 3분할 기법에 맞춰 재구성함으로써 자동으로 구도를 안정적이고 세련되게 보정하는 기법을 제안한다. Saliency Map과 Image Segmentation기술을 이용하여 사진에서 피사체의 관심영역(Region Of Interest, ROI)을 구하고, 그 영역을 기준으로 3분할 기법에 맞도록 사진을 Cropping하여 구도를 보정한다. 또한, 얼굴 인식(Face Detection)기법을 활용하여 사람의 얼굴을 ROI에 추가하고 ROI에 따른 다양한 시나리오에 의하여 구도를 보정함으로써, 좀 더 자연스러운 사진을 얻는다. 실험결과를 통해 보정된 구도의 사진이 원본사진과 비교하여 자연스럽게 보정이 되었는다는 것을 알 수 있다.

• 한국응용과학기술학회지
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• 제16권1호
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• pp.15-20
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• 1999

Photo-crosslinkable polyimide(PI) which contains CF3 moiety was synthesized. Polarized UV light transformed ketone group of PI to hydroxyl group, which was confirmed by IR and UV-visible spectroscopy. We investigated the dichroic UV-absorption before and after photo-reaction with linearly polarized light. In particular we have attempted to clarify the relationship between the anisotropy of surface region and surface azimuthal anchoring energy and knew that the anchoring energy of photo-alignment PI is comparable with that of mechanical rubbing.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제41권3호
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• pp.15-30
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• 2004

본 연구는 게이트 매몰형 단채널 GaAs MESFET의 암전류 특성과 광전류 특성을 해석적으로 모델링하였다. 모델링 결과, 광조사에 의한 중성영역내의 광 전도도의 증가 보다 공핍층 내의 광 기전력 발생에 따른 공핍층 폭의 감소효과로 인한 드레인 전류의 증가가 크게 일어남을 보이고 있다. 중성영역의 케리어 밀도 변화는 1차원 케리어 연속 방정식으로부터 도출하였으며, 광 기전력 도출은 게이트-공핍층 경계면의 광전류와 열전자 방출전류가 상쇄되는 조건으로 도출하였다. 드레인전압 인가에 따른 단채널 소자의 채널 방향의 전계효과를 고려한 2차원 Poisson 방정식의 해법을 제안하였다. 모델링 결과를 시뮬레이션한 결과, 적절한 암전류 및 광전류 특성에 대한 통합적 모델이 얻어짐을 확인하였다.

• Spatial Information Research
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• 제12권4호
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• pp.321-328
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• 2004

본 연구는 PhotoModeler Pro를 이용하여 공간 정보를 자동적으로 추출하기 위한 기법에 관한 것이다. PhotoModeler Pro는 Windows시스템에서 개인용 컴퓨터 상에서 3차원 공간 정보를 취득할 수 있는 우수한 도구이나 스테레오 이미지를 자동적으로 병행하여 처리하는 데는 충분하지 않은 단점이 있다. 따라서 본 연구는 PhotoModeler Pro상에서 자동생성 프로그램과 DDE인터페이스를 이용한 스테레오 매칭 연구에 관한 것으로, 적용 지역은 사면과 계단이 많은 타테야마 지역(일본 나가사키 시)을 대상으로 하였다. 연구 대상 지역에 대한 자동 스테레오 매칭 결과 $100\%$의 적중률을 보였다.

• 한국정보과학회논문지:컴퓨팅의 실제 및 레터
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• 제15권8호
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• pp.611-615
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• 2009

급증하는 디지털 사진 데이터를 내용정보를 고려하여 효율적으로 관리하기 위해서는 무엇보다도 각 사진 이미지들이 얼마나 유사한지를 밝히는 것이 중요하다. 이를 위해 사진을 블록 단위로 분할하고 높은 유사도를 가지는 상위 블록 쌍을 이용하여, 그리디 알고리즘에 기반한 2차원 정렬(alignment)을 통해 주변 블록으로 유사 매칭 영역을 확장함으로써 동일한 객체 혹은 배경을 공유하고 있는지를 판별한다. 제안하는 정렬 알고리즘을 이용해 전체 이미지상에서 최적의 매칭 유사도 값을 가지는 블록영역을 추출해낼 수 있으며, 객체의 이동이나 자세의 변경 및 카메라의 줌 변경에 구애 받지 않으면서 계산이 가능하다. 실험을 통해 다양한 사진에 대해서 제안한 방법이 어떻게 적용될 수있는 지를 알아보고, 추후의 디지털 사진 클러스터링 및 대용량 사진 관리에 유용하게 활용될 수 있음을 살펴본다.

• 약학회지
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• 제47권6호
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• pp.461-468
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• 2003

A method is described for measuring clinically relevant levels of glucose in a pH 7.4 phosphate buffer by nearinfrared (NIR) absorption spectroscopy. Three types of NIR spectrometer, dispersive type, photo-diode array (PDA) type, and fourier transform (FT) type spectrometer were used and the performance was compared. Spectra were collected with a cuvette cell or quartz liquid fiber of 1 mm or 2 mm optical pathlength as transmittance method. Glucose absorption band appeared at second overtone, first overtone, and combination region for all systems. By use of the multivariate technigue of partial least squares (PLS) regression, glucose concentrations can be determined with a 16, 44, and 9.1 mg/d l standard error of prediction for dispersive type, photo-diode array type, and fourier transform type system, respectively. Sensitivity of spectrometer was evaluated by absorbance for the difference of 10 mg/d l glucose. Three absorption bands, second overtone, first overtone, and combination region were suited to three types systems, dispersive type, photo-diode array type, and fourier transform type systems, respectively. This investigation showed that three types NIR spectrometer were proper method for identification and quantitative analysis of glucose and possible for noninvasive blood glucose monitoring.