• 센서학회지
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• 제28권5호
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• pp.329-333
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• 2019

Solution-processed oxide thin-film transistors (TFTs) have garnered great attention, owing to their many advantages, such as low-cost, large area available for fabrication, mechanical flexibility, and optical transparency. Negative bias stress (NBS)-induced instability of sol-gel IGZO TFTs is one of the biggest concerns arising in practical applications. Thus, understanding the bias stress effect on the electrical properties of sol-gel IGZO TFTs and proposing an effective recovery method for negative bias stressed TFTs is required. In this study, we investigated the variation of transfer characteristics and the corresponding electrical parameters of sol-gel IGZO TFTs caused by NBS and positive bias recovery (PBR). Furthermore, we proposed an effective PBR method for the recovery of negative bias stressed sol-gel IGZO TFTs. The threshold voltage and field-effect mobility were affected by NBS and PBR, while current on/off ratio and sub-threshold swing were not significantly affected. The transfer characteristic of negative bias stressed IGZO TFTs increased in the positive direction after applying PBR with a negative drain voltage, compared to PBR with a positive drain voltage or a drain voltage of 0 V. These results are expected to contribute to the reduction of recovery time of negative bias stressed sol-gel IGZO TFTs.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 1999년도 추계학술대회 논문집
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• pp.461-463
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• 1999

In this paper, we have systematically investigated the variation of electrical characteristics with back-gate bias of n-channel SOI MOSFET\\`s. When positive bias is applied back-gate surface is inverted and back channel current is increased. When negative bias is applied back-gate surface is accumulated but it does not affect to the electrical characteristics.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2013년도 제44회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.304-305
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• 2013

We report a positive exchange bias (HE) in thinmultilayered filmscontaining nano-oxide layer. The positive HE, obtained for our system results from an antiferromagnetic coupling between the ferromagnetic (FM) CoFe and the antiferromagnetic (AFM) CoO layers, which spontaneously form on top of the nano-oxide layer (NOL). The shift in the hysteresis loop along the direction of thecooling field and the change in the sign of exchange bias are evidence of antiferromagnetic interfacial exchange coupling between the CoO and CoFe layers. Our calculation indicates that uncompensated oxygen moments in the NOL results in antiferromagnetic interfacial exchange coupling between the CoO and CoFe layers. One of the interesting features observed with our system is that it displays the positive HE even above the bulk Neel temperature (TN) of CoO. Although the positive HEsystem has a different AFM/FM interfacial spin structure compare to that of the negative HE one, the results of the angular dependence measurements show that the magnetization reversal mechanism can be considered within the framework of the coherent rotation model.

• 벤처창업연구
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• 제18권5호
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• pp.33-44
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• 2023

창업효능감은 창업에 대한 사람들의 태도와 행동을 설명하는 중요한 변수이다. 본 연구에서는 창업효능감에 영향을 미치는 개인의 심리특성변수인 행운신념과 긍정적 인지편향을 주목하였다. 본 연구에서 특히 주목한 것은 행운이다. 사업성공이 행운에 의해서 좌우된다는 생각과 믿음이 널리 퍼져있다. 그럼에도 이에 대한 학술적 검토와 논의는 제대로 되지 않았다. 학술적으로 무관심했던 이유는 행운이 일종의 미신이며, 예지나 초감각적 지각과 관련이 있고, 외부환경에 의해 무작위적으로 일어난다고 보았기 때문이다. 행운을 개성과 같은 개인의 특성변수로 보고 이를 측정하기 위한 척도가 개발되면서 부터 행운에 대한 연구가 본격적으로 시작되었다. 본 연구에서는 행운신념에 대한 기존연구들을 검토하고, 이 행운신념이 긍정적 인지편향과 창업효능감에 미치는 영향을 실증분석을 통해 살펴보고자 하였다. 실증분석을 위해 본 연구는 일반인 400명을 대상으로 온라인 설문조사를 실사하였다. 가설검증을 위해 AMOS 21.0을 이용하여 구조방정식 모형분석을 실시하였다. 가설검증 결과, 행운신념이 긍정적 인지편향인 자기고양 편향과 통제착각 편향, 낙관주의 편향에 정(+)의 영향을 미칠 것이라는 가설은 모두 채택되었다. 긍정적 인지편향(자기고양 편향, 통제착각 편향, 낙관주의 편향)이 창업효능감에 정(+)의 영향을 미칠 것이라는 가설도 또한 모두 채택되었다. 행운신념과 창업효능감의 관계에서 긍정적 인지편향의 매개적 역할을 살펴보기 위해 추가분석을 실시하였다. 이 분석에서 '행운신념→긍정적 인지편향→창업효능감'의 경로계수 값이 통계적으로 유의하게 나타났다. 이를 통해 행운신념과 창업효능감의 관계에서 행운신념의 간접효과, 즉 긍정적 인지편향의 매개효과를 확인하였다. 마지막 결론에서는 이상의 실증분석 결과를 바탕으로 본 연구의 시사점과 한계점을 논의하였다.

• 벤처창업연구
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• 제9권4호
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• pp.145-153
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• 2014

성공하려는 욕망이 있다는 것과 실패에 대한 두려움이 있다는 것은 창업의도를 설명하는 중요한 요인이 될 수 있다. 본 연구에서는 시도이론에서 시도의도에 영향을 미치는 요인으로 제시한 시도 성공에 대한 태도와 시도 실패에 대한 태도 2가지를 창업시도에 대한 태도로 보고, 이에 영향을 미치는 긍정적 인지편향에 대해 살펴보았다. 자기고양 편향과 낙관주의 편향 그리고 통제착각 편향이 대표적인 긍정적 인지편향들이다. 본 연구에서는 이들 세 가지 편향들이 창업시도 성공과 실패에 대한 태도와 창업의도에 미치는 영향을 경로분석을 통해 구체적으로 살펴보았다. 연구결과, 자기고양 편향과 낙관주의 편향은 창업시도 성공에 대한 태도에는 영향을 미치지 않고 창업시도 실패에 대한 태도에 부(-)의 영향을 미치는 것을 확인할 수 있었다. 통제착각 편향은 창업시도 실패에는 영향을 미치지 않고 창업시도 성공에 대한 태도에 정(+)의 영향을 미치는 것으로 나타났다. 가설과 마찬가지로 창업시도 성공에 대한 태도는 창업의도에 정(+)의 영향을, 창업시도 실패에 대한 태도는 창업의도에 부(-)의 영향을 미치는 사실을 확인할 수 있었다. 이러한 연구결과를 바탕으로 연구의 시사점과 한계점을 제시하였다.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 한국정보디스플레이학회 2005년도 International Meeting on Information Displayvol.II
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• pp.1258-1261
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• 2005

The ramp type bias voltage applied to the common electrode during a reset-period is newly proposed to lower the background luminance and to improve the address discharge characteristics in AC-PDP. The positive ramp bias voltage is applied during the ramp-up period, whereas the negative ramp bias voltage is applied during the ramp-down period. The effects of the voltage slopes in both the positive and negative ramp bias voltages on the background luminance and address voltage characteristics are examined intensively. It is observed that the optimized positive and negative ramp bias voltages applied to the common electrode during the ramp-period can lower the background luminance and also enhance the address discharge characteristics of the AC-PDP.

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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• 제15권3호
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• pp.326-333
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• 2015

This paper reports an adaptive positive feedback bias control technique for operational transconductance amplifiers to adjust the bias current based on the output current monitored by a current replica circuit. This technique enables operational transconductance amplifiers to quickly adapt their power consumption to various analog workloads when they are configured with negative feedback. To prove the concept, a test voltage follower is fabricated in $0.5-{\mu}m$ CMOS technology. Measurement result shows that the power consumption of the test voltage follower is approximately linearly proportional to the load capacitance, the signal frequency, and the signal amplitude for sinusoidal inputs as well as square pulses.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제14권11호
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• pp.869-873
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• 2001

The effects of alternate bias stress on p-channel poly-Si TFT\`s has been systematically investigated. We alternately applied positive and negative bias stress on p-channel poly-Si TFT\`s, device Performance(V$\_$th/, g$\_$m/, leakage current, S-slope) are alternately appeared to be increasing and decreasing. It has been shown that device performance degrade under the negative bias stress while improve under the positive bias stress. This effects have been related to the hot carrier injection into the gate oxide rather than the generation of defect states within the poly-Si/SiO$_2$ interface under alternate bias stress.

• 한국진공학회지
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• 제7권2호
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• pp.94-103
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• 1998

HFCVD(Hot Filament Chemical Vapor Deposition)방법을 이용한 다이아몬드의 핵 생성과 성장에 있어서, 인가한 직류 bias를 변수로 하여 핵생성 밀도와 증착율의 변화를 조 사하였다. 반응압력 20torr, 메탄농도 1.0%, Filament 온도 $2100^{\circ}C$ 그리고 Substrate 온도 $980^{\circ}C$에서 증착 단계를 핵생성기와 성장기로 구분하고 각 단계마다 bias의 방향과 크기를 다르게 인가하면서 다이아몬드 박막을 증착시켰다. Negative bias는 핵생성기에는 핵생성을 촉진시키지만 성장기에도 계속 인가하면 결정입자의 지속적인 성장을 방해하고 결정 구조를 비다이아몬드 성분으로 변화시키는 작용을 하여 박막의 morphology에 좋지 않은 영향을 주 었다. Positive bias는 핵생성기와 성장기에서 모두 $CH_4$의 분해를 촉진시킨 결과 증착율의 향상을 가져왔다. 따라서 다이아몬드 박막의 증착시 핵생성기에서는 negative bias를 인가하 고 성장기에는 positive bias를 인가하는 것이 핵생성 밀도와 증착율의 향상에 효과적인 것 으로 조사되었다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2006년도 제37회 하계학술대회 논문집 C
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• pp.1440-1441
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• 2006

In this study, we synthesized CNTs(carbon nanotubes) on the glass substrate by microwave plasma enhanced chemical vapor deposition (MPECVD), Effect of bias voltage on the grown behavior and morphology of CNTs were investigated. Recently, it has been proposed that aligned CNTs can also be achieved by the application of electric bias to the substrate during growth, the first time reported the bias effect such that the nanotube alignment occurred only when a positive bias was applied to the substrate whereas no aligned growth occurred under a negative bias and no tube growth was observed without bias. On the country, several researchers reported some different observations that aligned nanotubes could also be grown under negative substrate biases. This discrepancy as for the effect of positive and negative bias may indicate that the bias effect is not fully understood yet. The glass and Si wafers were first deposited with TiN buffer layer by r.f sputtering method, and then Ni catalyst same method, The thickness of TiN and Ni layer were 200 nm and 60 nm, respectively. The main process parameters include the substrate bias (0 to - 300 V), and deposition pressure (8 to 20 torr).