• 전력전자학회:학술대회논문집
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• 전력전자학회 2003년도 춘계전력전자학술대회 논문집(2)
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• pp.611-615
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• 2003

In this paper, a operation characteristics and analysis of the HB(half bridge) inverter for remote plasma system are studied. the remote plasma system is cleaning system for the chemical vapor deposition (CVD) chamber in semiconductor processing. The remote plasma system is powered by the RF generator The main power stage of the RF generator is used for the HB PWM inverter with an low pass filter in the secondary circuit of the transformer. The detailed mode analysis of HB invertor was described. The operation characteristics of Remote Plasma Source are verified by simulation and experimental results.

• 한국표면공학회:학술대회논문집
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• 한국표면공학회 2009년도 추계학술대회 초록집
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• pp.243-244
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• 2009

진공 chamber 내부 plasma를 외부에서 view port를 통한 확인 및 촬영보다 효율을 높이기 위하여 chamber 내부에 무선 camera (IVC : internal vacuum camera)를 삽입하여 더 세밀하게 plasma를 촬영하였고 view port로 확인이 불가능한 부분을 촬영 및 녹화하였다. 외부 view port로 확인할 수 없는 원거리 플라즈마 소스 (remote plasma source, RPS)와 in-line type의 chamber에서 동적 (dynamic) 증착이 이루어지는 substrate에 camera를 부착하여 이동 중 target 위쪽에 방전된 plasma, ICP (inductively coupled plasma) antenna를 진공 중 chamber 내부에서 촬영 및 녹화하였다.

• Applied Science and Convergence Technology
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• 제23권4호
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• pp.169-178
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• 2014

Fluid model based numerical analysis is done to simulate a low damage etch back system for 20 nm scale semiconductor fabrication. Etch back should be done conformally with very high material selectivity. One possible mechanism is three steps: reactive radical generation, adsorption and thermal desorption. In this study, plasma generation and transport steps are analyzed by a commercial plasma modeling software package, CFD-ACE+. Ar + $CF_4$ ICP was used as a model and the effect of reactive gas inlet position was investigated in 2D and 3D. At 200~300 mTorr of gas pressure, separated gas inlet scheme is analyzed to work well and generated higher density of F and $F_2$ radicals in the lower chamber region while suppressing ions reach to the wafer by a double layer conducting barrier.

• 분석과학
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• 제19권6호
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• pp.535-543
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• 2006

현재 반도체 및 LCD(Liquid Crystal Display) 제조 공정에 널리 사용하는 $NF_3$는 국제적으로 대기중 배출량에 대한 규제를 실시 중인 온실가스 중의 하나다. 온실가스의 배출량 감축을 위하여 국내 대상 산업체들은 $NF_3$ 배출량의 감소에 지속적으로 노력을 해 오고 있다. 본 연구는 LCD를 제조하는 국내 3사에 설치된 $NF_3$ 처리용 전기가열방식 스크러버(scrubber)의 제거효율(DRE, Destruction and Removal Efficiency)과 process chamber에서의 $NF_3$ 사용 비율(use rate in process)을 측정하였다. 스크러버의 효율을 정확하게 측정하기 위하여, 비활성 기체인 He을 일정 유량으로 주입시켜주는 방법으로 시료를 채취하고, 정밀 가스질량분석기(Gas-MS)를 이용하여 시료 중 화학종들의 분압을 측정하였다. 세 회사에 설치되어 있는 스크러버의 효율을 측정한 결과, 2004년 이전에 설치한 스크러버의와 그 이후 개선한 스크러버의 DRE는 각각 52%와 95% 이상임을 확인하였다. 또한 Process chamber의 $NF_3$ 사용 효율은 1세대 및 2세대 공정라인에 설치한 RFSC(Radio Frequency Source Chamber)의 경우 75% 보다 낮지만, 3세대 이상 라인에 설치한 RPSC(Remote Plasma Source Chamber)의 경우는 95% 이상으로 측정이 되었다. 반도체 및 디스플레이 공정에 개선된 스크러버와 RPSC식 process chamber를 사용할 경우 $NF_3$ 배출량을 99.95% 이상 줄일 수 있을 것으로 예상된다. 따라서 $NF_3$에 대한 국내 3사의 온실가스 감축 목표가 성공적으로 이루어 질 것으로 예상된다.