Arsine의 대체 원료 가스인 Monoethylarsine을 이용하여 Ultra High Vacuum Chemical Vappor Depposition 방법으로 성장된 GaAs의 성장 과정과 특성에 관한 연구

  • 노정래 (한국전자통신연구소 기초기술연구부) ;
  • 심재기 (한국전자통신연구소 기초기술연구부) ;
  • 박성주 (한국전자통신연구소 기초기술연구부) ;
  • 이일항 (한국전자통신연구소 기초기술연구부)
  • Published : 1993.07.01