MOCVD 방법을 이용한 구리 배선 재료의 형성

  • 문종 (삼성전자(주) 반도체 연구소 기초 연구실) ;
  • 염계희 (삼성전자(주) 반도체 연구소 기초 연구실) ;
  • 심태인 (삼성전자(주) 반도체 연구소 기초 연구실) ;
  • 이종길 (삼성전자(주) 반도체 연구소 기초 연구실)
  • 발행 : 1994.06.01