라디칼 손실 제어를 통한 고선택비 산화막 식각

  • 김정훈 (서울대학교 전기공학과 및 반도체공동연구소) ;
  • 이호준 (서울대학교 전기공학과 및 반도체공동연구소) ;
  • 황기웅 (서울대학교 전기공학과 및 반도체공동연구소) ;
  • 주정훈 (군산대학교 재료공학과)
  • 발행 : 1995.06.01

초록

약한 자장을 사용하는 평면형 유도 결합 플라즈마 식각 장치에서 라디카르이 농도 제어를 위하여 벽면온도를 증가시켜 라디칼 손실을 줄였다. 폴리머를 잘 형성하는 C4F8의 경우 이에 따라 식각 특성이 25%정도 개선되었고, OES(opptical emission sppectroscoppy)와 AMS(appearance mass sppectroscoppy)를 이용하여 라디칼과 이온의 밀도 변화를 측정하여 식각 결과를 설명할 수 있었으며, 반면에 CF4의 경우 큰변화를 볼 수 없었다.

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