높은 이득과 효율을 갖는 12GHz T-형 게이트 GaAs MESFET

  • 김해천 (한국전자통신연구소 화합물반도체연구부) ;
  • 문재경 (한국전자통신연구소 화합물반도체연구부)
  • 발행 : 1996.06.01