저압 MOCVD 방법으로 성장된 InGaAsP 에피층의 ordering 특성에 대한 분석

• 김대연 (서울대학교 재료공학부 및 반도체공동연구소) ;
• 문영부 (서울대학교 재료공학부 및 반도체공동연구소) ;
• 이태완 (서울대학교 재료공학부 및 반도체공동연구소) ;
• 윤의준 (서울대학교 재료공학부 및 반도체공동연구소) ;
• 이정용 (한국과기술원 재료공학과) ;
• 정현식

• 발행 : 1997.02.01

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