대한전기학회:학술대회논문집 (Proceedings of the KIEE Conference)
- 대한전기학회 1999년도 추계학술대회 논문집 학회본부 C
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- Pages.971-973
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- 1999
채널 길이에 따른 n-채널과 p-채널 Poly-Si TFT's의 전기적 특성 분석
Analysis of the Electrical Characteristics with Channel Length in n-ch and p-ch poly-Si TFT's
- 백희원 (수원대학교 공과대학 전자재료공학과) ;
- 이제혁 (수원대학교 공과대학 전자재료공학과) ;
- 임동규 (수원대학교 공과대학 전자재료공학과) ;
-
김영호
(수원대학교 공과대학 전자재료공학과)
- Back, Hee-Won (Dept. of Electronic Materials Engineering, Suwon University) ;
- Lee, Jea-Huck (Dept. of Electronic Materials Engineering, Suwon University) ;
- Lim, Dong-Gyu (Dept. of Electronic Materials Engineering, Suwon University) ;
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Kim, Young-Ho
(Dept. of Electronic Materials Engineering, Suwon University)
- 발행 : 1999.11.20
초록
채널길이에 따른 n-채널과 p-채널 poly-Si TFT's를 제작하고 그 전기적 특성을 분석하였다. n-채널과 p-채널소자는 공통적으로 기생바이폴라트 랜지스터현상(parasitic bipolar transistor action)에 의한 kink 효과, 전하공유(charge sharing)에 의한 문턱전압의 감소, 소오스와 드레인 근처의 결함에 의한 RSCE(reverse short channel effect) 효과, 수직전계에 의한 이동도의 감소, 그리고 avalanche 증식에 의한 S-swing의 감소가 나타났다. n-채널은 p-채널 보다 더 큰 kink, 이동도, S-swing의 변화가 나타났으며, 높은 드레인 전압에서의 문턱전압의 이동은 avalanche 증식(multiplication)에 의한 것이 더 우세한 것으로 나타났다. 누설전류의 경우, 채널 길이가 짧아짐에 따라 n-채널은 큰 증가를 나타냈으나 p-채널의 경우는 변화가 나타나지 않았다.
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