Effect of Hydrogen Implantation Dose and Annealing Condition on Dislocation Density

수소이온주입 도즈량 및 어닐링 조건에 따른 dislocation 밀도 변화에 대한 고찰

  • 나정수 (한양대학교 전자전기컴퓨터공학부) ;
  • 석동방 (한양대학교 전자전기컴퓨터공학부) ;
  • 김재한 (한양대학교 전자전기컴퓨터공학부) ;
  • 이곤섭 (한양대학교 나노 SOI 공정연구실) ;
  • 박재근 (한양대학교 나노 SOI 공정연구실)
  • Published : 2005.05.26