3차원 실장을 위한 Si-wafer의 via hole 딥핑 충전

Filling via hole in Si-wafer for 3 Dimensional Packaging

  • 홍성준 (서울시립대학교 공과대학 신소재공학과) ;
  • 이영우 (서울시립대학교 공과대학 신소재공학과) ;
  • 김규석 (서울시립대학교 공과대학 신소재공학과) ;
  • 이기주 (서울시립대학교 공과대학 신소재공학과) ;
  • 김정오 (한국기계 연구원) ;
  • 박지호 (단양솔텍) ;
  • 정재필 (서울시립대학교 공과대학 신소재공학과)
  • 발행 : 2006.05.01

초록

3차원 실장을 하기 위해서 딥핑 방법으로 전기적 신호를 전달할 수 있는 비아를 가진 실리콘 웨이퍼를 제작하였다. 레이저를 이용하여 실리콘 웨이퍼에 개구부가 원형에 가까운 관통 홀을 형성하였다. 관통 홀의 벽에 도금 방법으로 시드 층을 형성하였다. 관통 홀의 충전 금속은 Sn-3.5Ag-0.7Cu 솔더를 사용하였다. 딥핑 방법으로 시드 층과 솔더 사이의 확산 현상 이용하여 전기적 신호를 전달 할 수 있는 비아를 형성하였다. 비아 내부에 일부 기공과 크랙이 발견되기도 했으나 딥핑 방법을 통해서 빠른 시간 내에 비아를 가진 실리콘 웨이퍼를 제작 할 수 있었다.

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