Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference (한국전기전자재료학회:학술대회논문집)

The Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers (한국전기전자재료학회)
권호 표지

High Speed Sram Transistor Performance 향상에 관한 연구

  • 남궁현 (삼성 반도체 총괄 메모리 사업부, DRAM PA팀) ;
  • 황덕성 (삼성 반도체 총괄 메모리 사업부, DRAM PA팀) ;
  • 장형순 (삼성 반도체 총괄 메모리 사업부, DRAM PA팀) ;
  • 박순병 (삼성 반도체 총괄 메모리 사업부, DRAM PA팀) ;
  • 홍순혁 (삼성 반도체 총괄 메모리 사업부, DRAM PA팀) ;
  • 김상종 (삼성 반도체 총괄 메모리 사업부, DRAM PA팀) ;
  • 김석규 (삼성 반도체 총괄 메모리 사업부, DRAM PA팀) ;
  • 김기준 (삼성 반도체 총괄 메모리 사업부, DRAM PA팀) ;
  • 노용한 (성균관대학교 정보통신공학부)
  • Published : 2010.04.01
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Abstract

For high performance transistor in the 0.14um generation, high speed sram is using a weak region of SCE(Short Channel Effect). It causes serious SCE problem (Vth Roll-Off and Punch-Through etc). This paper shows improvement of Vth roll-off and Ion/Ioff characteristics through high concentration Pocket implant, LDD(Light Dopped Dram) and low energy Implant to reduce S/D Extension resistance. We achieve stabilized Vth and Improved transistor Ion/Ioff performance of 10%.

Keywords