Study on selective PR removal at Color filter process

Color Filter Process에서 선택적 Photoresist 제거방안에 대한 연구

  • Lee, Sang-Eon (Samsung Electronics Co.,Ltd System LSI Business FAB Team 3) ;
  • Park, Jung-Dae (Samsung Electronics Co.,Ltd Memory Business Manufacturing Technology Team) ;
  • Huh, Dong-Chul (Samsung Electronics Co.,Ltd System LSI Business FAB Team 3) ;
  • Hah, Steve (Samsung Electronics Co.,Ltd System LSI Business FAB Team 3) ;
  • Lee, Sun-Yong (Samsung Electronics Co.,Ltd System LSI Business FAB Team 3) ;
  • Roh, Yong-Han (School of Information and Communication Engineering, SungKyunKwan University)
  • 이상언 (삼성전자 System LSI 사업부 FAB3팀) ;
  • 박정대 (삼성전자 메모리사업부 생산기술2팀) ;
  • 허동철 (삼성전자 System LSI 사업부 FAB3팀) ;
  • 하상록 (삼성전자 System LSI 사업부 FAB3팀) ;
  • 이선용 (삼성전자 System LSI 사업부 FAB3팀) ;
  • 노용한 (성균관대학교 정보통신공학부 마이크로소자 Lab)
  • Published : 2010.04.01

Abstract

CMOS Image Sensor(CIS) 소자에서 광감도의 향상과 천연색 형성을 위하여 적용하고 있는 Color-Filter 공정에서 국부적으로 발생하는 strip성 불량과 막질손상을 제거하기 위한 연구를 진행하였다. 우선 지역적 경향성을 보이는 불량에 대해서는 PR strip process type을 액조 진행방식에서 회전식으로 변경했을 때 제거됨을 확인하였고, 막질손상을 최소화하기 위해서는 새로운 유기용매의 적용이 필요하였다. 실험 결과, 케톤기를 가지는 화합물과 Polar Apotic 용매의 혼합화합물을 적용하였을 때 각 막질에 attack을 최소화하면서 원하는 PR만 선택적으로 제거 되며 미세잔류성분에 대한 제거력도 향상됨을 확인하였다.

Keywords