Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference (한국전기전자재료학회:학술대회논문집)
- 2007.11a
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- Pages.140-141
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- 2007
Etch characteristics of high-k dielectrics thin film by using inductively coupled plasma
유도결합 플라즈마를 이용한 고유전율 박막의 식각특성
- Kim, Gwan-Ha (Chung-Ang Univ.) ;
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Woo, Jong-Chang
(Chung-Ang Univ.)
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Kim, Kyoung-Tae
(Chung-Ang Univ.)
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Kim, Dong-Pyo
(Chung-Ang Univ.)
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- Lee, Cheol-In (Ansan College of Technology) ;
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Kim, Chang-Il
(Chung-Ang Univ.)
- 김관하 (중앙대학교 전자전기공학부) ;
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우종창
(중앙대학교 전자전기공학부)
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김경태
(중앙대학교 전자전기공학부)
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김동표
(중앙대학교 전자전기공학부)
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- 이철인 (안산공과대학 전기과) ;
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김창일
(중앙대학교 전자전기공학부)
- Published : 2007.11.01
Abstract
반도체 소자의 공정에 있어서 device scaling으로 인한 고유전 게이트 산화막 (high-k dielectics thin film)의 공정 개발 확보 방안이 필요하다. 본 논문에서는 유도결합 플라즈마를 이용하여 고유전율 박막을 식각하였다. CF4, SF6 등의 가스에서 금속-F, 금속-S 결합의 낮은 휘발성으로 인하여 시료 표면에 잔류하여 낮은 식각률을 보이며 측벽 잔류물을 형성하였으며, HBr, Cl 기반 플라즈마에서 금속-Br, 금속-Cl 결합은 시료 표면으로부터 탈착이 용이하여 효과적인 식각이 이루어짐을 확인할 수 있었다.