Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference (한국전기전자재료학회:학술대회논문집)

The Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers (한국전기전자재료학회)
권호 표지

Plasma Charge Damage on Wafer Edge Transistor in Dry Etch Process

Dry Etch 공정에 의한 Wafer Edge Plasma Damage 개선 연구

  • Han, Won-Man (Samsung Electronics Co., Ltd Memory Business E Technology Group) ;
  • Kim, Jae-Pil (Samsung Electronics Co., Ltd Memory Business E Technology Group) ;
  • Ru, Tae-Kwan (Samsung Electronics Co., Ltd System LSI Business C&M PA) ;
  • Kim, Chung-Howan (Samsung Electronics Co., Ltd Memory Business E Technology Group) ;
  • Bae, Kyong-Sung (Samsung Electronics Co., Ltd Memory Business E Technology Group) ;
  • Roh, Yong-Han (School of Information and Communication Engineering, Sungkyunkwan University)
  • 한원만 (삼성전자 메모리사업부 E기술그룹) ;
  • 김재필 (삼성전자 메모리사업부 E기술그룹) ;
  • 유태광 (삼성전자 Sys LSI사업부 C&M PA) ;
  • 김충환 (삼성전자 메모리사업부 E기술그룹) ;
  • 배경성 (삼성전자 메모리사업부 E기술그룹) ;
  • 노용한 (성균관대학교 정보통신공학부)
  • Published : 2007.06.21
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Abstract

Plasma etching process에서 magnetic field 영향에 관한 연구이다. High level dry etch process를 위해서는 high density plasma(HDP)가 요구된다. HDP를 위해서 MERIE(Magnetical enhancement reactive ion etcher) type의 설비가 사용되며 process chamber side에 4개의 magnetic coil을 사용한다. 이런 magnetic factor가 특히 wafer edge부문에 plasma charging에 의한 damage를 유발시키고 이로 인해 device Vth(Threshold voltage)가 shift 되면서 제품의 program 동작 문제의 원인이 되는 것을 발견하였다. 이번 연구에서 magnetic field와 관련된 plasma charge damage를 확인하고 damage free한 공정조건을 확보하게 되었다.

Keywords