Characteristics of ITO films deposited using ITO targets with different conductivities

타겟의 전도도에 따른 ITO 박막의 물성에 관한 연구

  • 조상현 (부산대학교, 재료공학과) ;
  • 박준홍 (삼성코닝, DIM사업부, 타겟기술G) ;
  • 이상철 (삼성코닝, R&D 센터, Nano 재료 Lab) ;
  • 이진호 (삼성코닝, R&D 센터, Nano 재료 Lab) ;
  • 윤한호 (삼성코닝, DIM사업부, 타겟기술G) ;
  • 송풍근 (부산대학교, 재료공학과)
  • Published : 2007.11.12

Abstract

DC 마그네트론 스퍼터링법에 의하여 전도성이 다른 타겟을 사용하여 non-alkali glass 기판위에 실온에서 ITO 박막을 증착하였다. 전도성 향상 타겟을 사용하여 증착한 ITO 박막의 경우, 최저 비저항은 2.9 ${\times}$ $10^{-4}{\Omega}cm$로 산소첨가량 0.5%에서 얻어졌다. 이것은 타겟 표면의 노듈에 의하여 발생하여 박막물성을 저하시키는 마이크로 아킹의 감소 및 플라즈마 임피던스의 감소에 의한 방전 안정성의 증가에 기인한다고 생각된다. 한편 AFM에 의한 박막표면의 관찰결과, 산소첨가량에 따라 박막표면의 거칠기는 증가하는 것으로 나타났다. 이결과는 산소의 증가에 따른 박막의 부분적인 결정화에 기인한다고 생각되어진다. 그러나 XRD 관찰 결과 산소첨가에 따른 박막의 미세구조의 변화는 확인 할 수 없었다.

Keywords