Electrical and optical properties in relation to Ga concentration of GZO films deposited by DC magnetron sputtering

DC 마그네트론 스퍼터링법으로 증착한 GZO 박막의 Ga 함량에 따른 전기적 및 광학적 특성

DC magnetron sputtering 법으로 다양한 $Ga_2O_3$함량비( $2.27{\sim}$ 10.81 wt%)를 가진 고밀도 GZO 소결타겟을 사용하여 GZO박막을 증착한 후 도핑농도에 따른 광학적 특성과 전기적 특성을 조사하였다. GZO($Ga_2O_3$: 6.65 wt%)타겟을 사용하여 기판온도 $300^{\circ}C$에서 증착한 GZO박막은 상대적으로 낮은 비저항($5.1{\times}10^{-4}$ ${\Omega}cm$)과 85% 이상의 높은 투과율을 보였다. 또한 타겟의 $Ga_2O_3$함량이 6.65 wt%일때 광학적 밴드갭 에너지는 3.61 eV로 비교적 큰 흡수계수의 변화를 보였으며 그 이상의 $Ga_2O_3$농도에서는 밴드갭 에너지가 감소하는 경향을 보였다.