한국전기전자재료학회:학술대회논문집 (Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference)

한국전기전자재료학회 (The Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers)
권호 표지

LED 광원을 이용한 OVERLAY 계측연구

  • 최교형 (메모리 사업부 P기술팀 삼성전자공과대학교 (SSIT)) ;
  • 김근남 (메모리 사업부 P기술팀 삼성전자공과대학교 (SSIT)) ;
  • 이정호 (메모리 사업부 P기술팀 삼성전자공과대학교 (SSIT)) ;
  • 이기섭 (메모리 사업부 P기술팀 삼성전자공과대학교 (SSIT)) ;
  • 도병훈 (메모리 사업부 P기술팀 삼성전자공과대학교 (SSIT)) ;
  • 강현태 (메모리 사업부 P기술팀 삼성전자공과대학교 (SSIT)) ;
  • 유성재 (메모리 사업부 P기술팀 삼성전자공과대학교 (SSIT))
  • 발행 : 2010.06.16
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초록

노광을 통해 형성되는 패턴 단위를 Shot이라 부르며, 이때 노광되는 각 Shot은 Wafer상에 이전 Layer에서 형성되어 있는 Shot 위에 정확히 중첩되어 형성 시켜야하며, 노광된 Shot이 중첩되어야 할 이전 Layer의 Shot에 대해 얼마만큼의 위치적 오차를 가지고 형성 되었는가 하는 것은 중첩위치오차 (Overlay Alignment Error)로 계측 된다. 이렇게 계측된 중첩위치오차는 현재 진행된 Lot에 대한 재 공정 필요 여부를 결정하거나 다음 Lot 공정을 진행할 때 각 Shot를 이전 Layer Shot에 정확히 중첩시키기 위해 얼마만큼의 위치 보정이 필요한지를 결정하는데 사용된다. 이처럼 Device Node의 Shrink로 인해 엄격한 허용도를 만족시키기 위해서는 Overlay 측정 정확도의 향상이 매우 중요해 지고 있다. 본 논문에서는 Halogen Lamp 대비 Led의 Light Intensity 부분에 대해 중점적으로 실험 하였으며, RBG Type의 Led는 Halogen Lamp Wavelength (광대역) 400nm ~ 800nm가 모두 포함된 White Light Source에서 특정한 단일파장대역 600nm ~ 650nm (가시광선 Led 영역)에서 계측하는 Layer에 대해 적용 가능성을 제시하였다.

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