Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference (한국진공학회:학술대회논문집)
- 2011.08a
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- Pages.277-277
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- 2011
Slit Wafer Etching Process for Fine Pitch Probe Unit
- Han, Myeong-Su ;
- Park, Il-Mong ;
- Han, Seok-Man ;
- Go, Hang-Ju ;
- Kim, Hyo-Jin ;
- Sin, Jae-Cheol ;
- Kim, Seon-Hun ;
- Yun, Hyeon-U ;
- An, Yun-Tae
- 한명수 (한국광기술원) ;
- 박일몽 (한국광기술원) ;
- 한석만 (한국광기술원) ;
- 고항주 (한국광기술원) ;
- 김효진 (한국광기술원) ;
- 신재철 (한국광기술원) ;
- 김선훈 (한국광기술원) ;
- 윤현우 ((주)루켄테크놀러지스) ;
- 안윤태 ((주)루켄테크놀러지스)
- Published : 2011.08.17
Abstract
디스플레이의 기술발전에 의해 대면적 고해상도의 LCD가 제작되어 왔다. 이에 따라 LCD 점등검사를 위한 Probe Unit의 기술 또한 급속도로 발전하고 있다. 고해상도에 따라 TFT LCD pad가 미세피치화 되어가고 있으며, panel의 검사를 위한 Probe 또한 30 um 이하의 초미세피치를 요구하고 있다. 따라서, 초미세 pitch의 LCD panel의 점등검사를 위한 Probe Unit의 개발이 시급하가. 본 연구에서는 30 um 이하의 미세피치의 Probe block을 위한 Slit wafer의 식각 공정 조건을 연구하였다. Si 공정에서 식각율과 식각깊이에 따른 profile angle의 목표를 설정하고, 식각조건에 따라 이 두 값의 변화를 관측하였다. 식각실험으로 Si DRIE 장비를 이용하여, chamber 압력, cycle time, gas flow, Oxygen의 조건에 따라 각각의 단면 및 표면을 SEM 관측을 통해 최적의 식각 조건을 찾고자 하였다. 식각율은 5um/min 이상, profile angle은