Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference (한국진공학회:학술대회논문집)
- 2011.08a
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- Pages.278-278
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- 2011
수소 중성입자빔을 이용한 실리콘 에칭
- Kim, Dae-Cheol ;
- Hong, Seung-Pyo ;
- Kim, Jong-Sik ;
- Park, Jong-Bae ;
- O, Gyeong-Suk ;
- Kim, Yeong-U ;
- Yun, Jeong-Sik ;
-
Lee, Bong-Ju
;
- Yu, Seok-Jae
- 김대철 (국가핵융합연구소) ;
- 홍승표 (국가핵융합연구소) ;
- 김종식 (국가핵융합연구소) ;
- 박종배 (국가핵융합연구소) ;
- 오경숙 (국가핵융합연구소) ;
- 김영우 (국가핵융합연구소) ;
- 윤정식 (국가핵융합연구소) ;
-
이봉주
(국가핵융합연구소)
;
- 유석재 (국가핵융합연구소)
- Published : 2011.08.17
Abstract
수소 중성입자빔을 이용한 silicon etching은 기존의 silicon etching 공정 가스(Fluorine이나 Chlorine 계열의 가스) 사용 시 배출되는 유해 가스로 인한 지구 온난화 방지 및 폐기물 처리에 추가적인 비용이 발생하지 않는 친환경 etching 공정이다. 본 연구에 사용된 수소 중성입자빔을 발생시키기 위한 플라즈마 소스는 낮은 압력에서 높은 플라즈마 밀도를 발생시킬 수 있는 ECR 플라즈마 소스를 사용하였으며 중성입자빔의 에너지를 조절할 수 있는 중성화판과 플라즈마로부터의 전하손상을 방지할 수 있어 charge free 공정을 가능하게 하는 Limiter로 구성되어 있다. 본 연구에서는 플라즈마 밀도, 공정 압력 그리고, 중성입자빔의 에너지를 조절하여 수소 중성입자빔을 이용한 poly-crystal silicon과 a-Si:H 간의 etch rate와 etching selectivity를 관찰하였다.