한국진공학회:학술대회논문집 (Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference)

한국진공학회 (The Korean Vacuum Society)
권호 표지

O2 플라즈마 처리에 따른 용액 공정 기반 ITZO 박막 트랜지스터의 문턱전압 연구

  • 김상섭 (성균관대학교 정보통신대학) ;
  • 최병덕 (성균관대학교 정보통신대학)
  • 발행 : 2015.08.24
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초록

본 연구에서는 $O_2$ 플라즈마 처리에 따른 용액 공정 기반 ITZO 박막 트랜지스터를 제작하여, 산소에 따른 문턱전압 변화를 비교, 분석하였다. 처리시간은 0초에서 50초까지 가변하였다. 전달 곡선으로 트랜지스터의 특성을 평가하고, XPS(X-ray Photoelectron Spectroscopy)를 통해 Zn, In, Sn-O 결합과 산소 결합 결함을 확인하였다. 처리 시간이 증가 할수록 문턱전압이 -6.8V에서 -2.1V로 이동하였다. 처리시간이 길어질수록 OM/OL 비율이 0.4533에서 0.4381로 감소하였고, 또한 산소 결합 결함이 감소하였다. 실험결과를 통해 산소 결합 결함을 조절함으로써 문턱전압이 양의 방향으로 이동함을 확인하였다.

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