GIDL current characteristic in nanowire GAA MOSFETs with different channel Width

채널 폭에 따른 나노와이어 GAA MOSFET의 GIDL 전류 특성

In this work, the characteristics of GIDL current in nanowire GAA MOSFET with different channel width and hot carrier stress. When the gate length is fixed as a 250nm the GIDL current with different channel width of 10nm, 50nm, 80nm, and 130nm have been measured and analyzed. From the measurement, the GIDL is increased as the channel width decreaes. However, the derive current is increased as the channel width increases. From measurement results after hot carrier stress, the variation of GIDL current is increased with decreasing channel width. Finally, the reasons for the increase of GIDL current with decreasing channel width and r device. according to hot carrier stress GIDL's variation shows big change when width and the increase of GIDL current after hot carrier stress are confirmed through the device simulation.

본 연구에서는 채널 폭 변화에 따른 나노와이어 GAA 소자의 GIDL 전류 (Gate Induced Drain Leakage Current)를 측정하고, hot carrier 스트레스를 인가하였을 때 소자의 GIDL전류특성 변화를 분석하였다. 소자의 길이는 250nm로 고정시키고 채널 폭이 10nm, 50nm, 80nm, 130nm인 소자들을 사용하여 측정하였다. 스트레스 전의 소자를 측정한 결과 채널 폭이 감소할수록 GIDL전류가 증가하였고, 채널 폭이 증가할수록 구동전류는 증가함을 확인하였다. Hot carrier 스트레스에 따른 GIDL 전류 측정값의 변화율은 채널 폭이 감소할수록 큰 변화율을 보였다. 또한, 채널 폭이 감소할수록 또 hot carrier 스트레스 후 GIDL 전류가 증가하는 이유를 소자 시뮬레이션을 통하여 확인하였다.