Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference (한국표면공학회:학술대회논문집)
- 2015.11a
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- Pages.240-240
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- 2015
Application of Si and SiO2 Etching Mechanisms in CF4/C4F8/Ar Inductively Coupled Plasmas for Nanoscale Patterns
나노패턴을 위한 CF4/C4F8/Ar 유도결합 플라즈마에서의 Si 및 SiO2 식각 메커니즘 연구
Abstract
본 논문에서는 플라즈마 모델링과 식각 표면 분석을 통해 가스 비율 변화에 따른
Keywords