Fabry-Perot 공진기형 AlGaAs 반도체 레이저 증폭기의 이득특성

Gain Characteristics of Fabry-Perot Type AlGaAs Semiconductor Laser Amplifier

단일 종모드로 동작하며, 10mW의 출력을 가지는 AlGaAs 반도체 레이저를 이용하여 Fabry-Perot 공진기형 레이저 증폭기 시스템을 구성하고 비포화 신호이득(unsaturated signal gain), 신호이득 대역폭(signal gain bandwidth), 포화출력(saturation power)을 측정하였다. 증폭기 레이저의 펌핑전류에 따른 비포화 신호 이득은 발진 문턱 전류 근처에서 $0.7\mu\textrmW$의 레이저 출력을 증폭기 레이저에 입사시켰을 때 최대 25dB을 얻었으며 이때 신호이득의 대역폭이 3 GHz 정도임을 확인하였다. 또한 입력 세기(input power)에 따른 비포화 신호이득의 변화를 측정하고 이때의 포화출력을 측정하였다.

The unsaturated signal gain, signal gain bandwidth, and saturation power which are important parameters determining characteristics of the semiconductor laser amplifier were measured for an AlGaAs Fabry-Perot cavity type laser amplifier and compared with the results of Fabry-Perot formula. The unsaturated signal gain 25 dB is obtained near oscillation thereshold current at $0.7\mu\textrmW$ input power. The corresponding signal gain bandwidth was about 3 GHz. Also. We measured the variation of the saturation signal gain and saturation power.