한국결정성장학회지 (Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology)
- 제4권1호
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- Pages.42-45
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- 1994
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- 1225-1429(pISSN)
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- 2234-5078(eISSN)
이종기판을 사용한 저온에서의 실리콘 박막 용액 성장법
Low temperature solution growth of silicon on foreign substrates
- Soo Hong Lee (Energy/Environment Lab., Materials & Device Research Center, Samsung Advanced Institute of Technology, Suwon 440-600, Korea) ;
- Martin A. Green (Center for Photovoltaic Devices and Systems, University of New South Wales, Kensington, N.S.W. 2033, Australia)
- 발행 : 1994.03.01
초록
금 비스무스 용매를 사용하여 실리콘 박막을 사파이어, 보로실리케이트 그라스 기판상에 성장시켰다. 사파이어의 경우
Deposition of silicon on pretreated sapphire and glass substrates has been investigated by the solution growth method at low temperatures. An average 14
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