Korean Journal of Optics and Photonics (한국광학회지)

Optical Society of Korea (한국광학회)
권호 표지

Chatacterization of GaAs/AlGaAs optical phase modulator fabricated by self-aligned process

자기정렬공정에 의한 GaAs/AlGaAs 광위상변조기의 제작 및 특성 측정

  • 김병성 (광운대학교 전자통신공학과 신기술연구소) ;
  • 정영철 (광운대학교 전자통신공학과 신기술연구소) ;
  • 변영태 (한국과학기술연구원 정보전자연구부) ;
  • 박경현 (한국과학기술연구원 정보전자연구부) ;
  • 김선호 (한국과학기술연구원 정보전자연구부) ;
  • 임동건 (고려대학교 물리학과)
  • Published : 1996.09.01
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Abstract

An optical phase modulator is fabricated in GaAs/AlGaAs doble heterostructure wafer grown by MOCVD. A self-aligned process, in which the same photoresist pattern is used for both the waveguide etching and the insulation layer formation, is developed and is found to be very useful, Fabry-Perot interference technique is applied to the measurement and the phase modulation efficiency is measured to be 22.5$^{\circ}$/Vmm at 1.31 ${\mu}{\textrm}{m}$ for TE polarization.

MOCVD(metal-organic chemical vapour deposition)방법으로 성장시킨 이중 이종접합구조 GaAs/AlGaAs 웨이퍼를 이용하여 광위상변조기를 제작하였다. 제작과정에서 도파로와 절연층의 형성시 동일 포토레지스트 패턴을 이용하는 자기종렬공정을 개발하여 그 효용성을 입증하였다. Fabry-Perot 간섭법을 이용하여 변조기의 위상변조효율을 측정하였으며 1.31.mu.m파장에서 TE 편광의 경우 22.5.deg./Vmm의 위상변조특성을 얻었다.

Keywords

References

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