Korean Journal of Materials Research (한국재료학회지)

Materials Research Society of Korea (한국재료학회)
권호 표지

Properties SiOF Thin Films Deposited by ECR Plasma CVD

ECR plasma CVD법에 의한 저유전율 SiOF 박막의 특성

  • 이석형 (한양대학교 금속공학과) ;
  • 오경희 (국립기술품질원 신뢰성기술과)
  • Published : 1997.10.01
Download PDF
⟨ Previous Next ⟩

Abstract

본 실험에서는 저유전율 층간절연물질로서 SiOF박막을 ECR plasma CVD를 이용하여 증착하였다. 또한 증착시에 발생시킨 플라즈마의 특성 분석을 위하여 Langmuir probe를 반응챔버에 부착하여 플라즈마 밀도, 마이크로파 전력은 700W, 기판온도는 30$0^{\circ}C$에서 행하였다. 증착된 SiOF 박막을 분석한 결과, 가스유량비(SiF$_{4}$/O$_{2}$)가 0.2에서 1.6으로 증가하였을 때 불소의 함량은 약 5.3at%에서 14.5at%로 증가하였으며, 굴절률은 1.501에서 1.391로 감소하였고 이는 불소 첨가에 의한 박막의 밀도감소에 의한 것으로 생각된다. 또한 박막의 유전상수는 가스유량비가 1.0(11.8qt.% F함유)일 때 3.14였다.

Keywords

References

  1. Thin Solid Films v.235 T. Homma;Y. Kutsuzawa;K. Kunimune;Y. Murao
  2. Ext. Abstr. 25th Int. Conf. Soild State Devices and Materials T. Fukada;T. Akahiro
  3. IEEE IEDM Tech. Digest T. Homma;Y. Murao
  4. Jpn J. Appl. Phys. v.33 T. Usami;K. Shimokawa;M. Yoshimaru
  5. J. Electrochem. Soc. v.140 no.12 T. Homma;M Suzuki;Y. Murao
  6. IEEE VMIC Conf. Proc. N.M. Rutherford;T.A. Baldwin;S.K. Gupta
  7. IEEE VMIC Conf. Proc. S. Dabral;X. Zhang;B.J. Howard;C. Chiang;G. Cuan;K. Hwang;R. Olson;H. Bakhru;C. Steinbruchel
  8. IEEE VMIC Conf. Proc. M.R. Schneider
  9. J. Electrochem. Soc. v.140 no.8 M. Murata;K. Kojima;A. Yokoyama;T. Iniue;T. Iwamori
  10. The J. of the Surface Finishing Society of Japan v.41 no.9 T. Akahori;S. Ozaki;S. Nakayama
  11. J. Appl. Phys. v.80 no.9 S. Lee;J-W. Park
  12. J. Appl. Phys. v.77 no.4 J.-S. Chou;S.-C. Lee
  13. IEEE VMIC Conf. Proc. C.S. Pai;J.A. Mucha;M.R. Baker;F.A. Baiocchi;R. Liu