Preparation of AlN Thin Film with New Type of Single Precursor

새로운 단일 전구체를 이용한 AIN 박막의 제조

  • 최승철 (아주대학교 재료공학과) ;
  • 안창규 (아주대학교 재료공학과) ;
  • 한성환 (한국과학기술연구원 청정기술센터)
  • Published : 2001.08.01

Abstract

새로운 AlN 박막 제조용 단일 전구체로 AlCl$_3$: $^{t}$ BuNH$_2$을 합성하였다. c축으로 배향된 AlN 박막을 80$0^{\circ}C$에서 사파이어(0006) 단결정 위에 MOCVD 공정으로 증착시켰다. 본 전구체를 사용함으로 박막내의 잔류탄소 및 산소의 오염을 크게 낮출수 있었으며 Al:N의 비율이 1:1인 화학량론비의 AlN 박막을 제조할 수 있었다. 단일 전구체의 결정 구조는 단결정 X선 구조분석과 원소분석을 통하여 규명하였으며 박막분석은 SEM, XRD, SEM, AFM과 RBS 등으로 행하였다.

Keywords

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