Abstract
This paper reports on design and fabrication of near field probe operating at 300~3000 MHz. Design parameters are extracted by equivalent circuit of E-field probe and simulation using S parameter is performed to predict probes performance. The probe consists of a dipole antenna with 3.25 mm length, a zero bias Schottky diode and a highly resistive transmission line. A TEM cell was used for performance evaluation.
본 논문에서는 300~3000 MHz 의 주파수 영역에서 동작하는 근역장 측정 프로브를 설계하여 제작하였다. 설계 파라미터는 프로브에 대한 등가회로를 이용하여 추출하였으며 S파라미터를 이용한 수치해석을 통해 그 특성을 예측하였다. 제작된 프로브는 3.25 mm 길이의 다이폴 안테나와 제로 바이어스 쇼트키 다이오드, 고저항 전송 선으로 구성되어 있으며 TEM 셀을 이용하여 성능을 확인하였다.
